双N沟道JFET开关
公司
U401 – U406
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50V
栅电流（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功率耗散（T
A
= 85 C)
减免上述25
o
C
o
最低系统误差和校准
低漂移带温度
工作在低电源电压
高输出阻抗
引脚配置
一面
300mW
2.6mW/
o
C
两旁
500mW
5mW/
o
C
TO-71
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
订购信息
部分
U401-6
XU401-6
S2
D2
G1
D1
G2
S1
包
密封TO- 71
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
CJ2
U401 – U406
公司
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
参数
栅极 - 源
击穿电压
门反向电流
（注2 ）
门源截止
电压
栅源电压
（上）
饱和漏极
电流（注3）
经营门
电流（注2 ）
门门
击穿电压
共源
前锋
跨
（注3）
共源
输出电导
共源
前锋
跨
共源
输出电导
共源
输入电容
（注6 ）
共源
反向传输
电容（注6 ）
当量
短路输入
噪声电压
共模
抑制比
迪FF erential
栅源电压
栅源电压
微分漂移（注意
4)
95
5
1000
0.5
-.5
U401
民
BV
GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS （ ON）
I
DSS
I
G
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U402
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U403
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U404
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U405
民
-50
-25
-2.5
-2.3
10.0
-15
-10
0.5
-.5
最大
U406
民
-50
-25
-2.5
V
-2.3
10.0
-15
-10
mA
pA
nA
V
V
DG
= 15V ，我
D
= 200
A
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DG
= 15V ，我
D
= 200
A
T
A
= 125
o
C
V
DS
= 0, V
GS
= 0,
I
G
=
±
1
A
最大
V
pA
V
DS
= 0, I
G
= -1
A
V
DS
= 0, V
GS
= -30V
V
DS
= 15V ，我
D
= 1nA的
单位
测试条件
BV
G1-G2
±
50
±
50
±
50
±
50
±
50
±
50
g
fs
2000
7000
2000
7000 2000 7000 2000 7000 2000
7000
2000 7000
V
DS
= 10V,
V
GS
= 0
F = 1kHz时
g
os
20
20
20
20
20
20
S
g
fs
2000
1000
2000 1000 2000 1000 2000 1000
2000
1000 2000
F = 1kHz时
V
DG
= 15V,
I
D
= 200
A
g
os
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
C
国际空间站
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
pF
F = 1MHz的
C
RSS
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
e
n
20
20
20
20
20
20
nV
Hz
√
dB
V
DS
= 15V,
V
GS
= 0
F = 10Hz的
（注6 ）
CMRR
|
V
GS1
V
GS2
|
|
V
GS1
V
GS2
|
T
95
10
95
10
95
15
90
20
40
V
DG
= 10 20V ，
I
D
= 200
A（注5,6）
V
DG
= 10V ，我
D
= 200
A
T
A
= -55
o
C
T
B
= +25
o
C
T
C
= +125
o
C
mV
10
10
25
25
40
80
V
DG
= 10V,
V / C
I
D
= 200
A
o
注：1 。
每个晶体管。
2.
大约增加一倍，每10
o
增加T中
A
.
3.
脉冲测试持续时间= 300μS ;占空比
≤3%.
4.
测量结束点T'
A
, T
B
, T
C
.
V
DD
5.
CMRR = 20日志
10
,
V
DD
= 10V.
| V
GS
1
V
GS
2
|
6.
仅供设计参考，未经100％测试。
QQ：2880707522 复制
