复合晶体管
XN0121E
(XN121E)
NPN硅外延平面型
单位：mm
对于开关/数字电路
■
特点
两个元素合并到一个包
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本的
3
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
4
5
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
2
0.30
+0.10
–0.05
10
1
■
基本型号
UNR221E （ UN221E ）
×
2
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
300
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：收藏家（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
EIAJ ： SC- 74A
0-0.1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
4 ：发射器
5 ：基地（ Tr1的）
Mini5 -G1封装
标记符号： AQ
内部连接
3
4
5
Tr2
1.1
+0.3
–0.1
Tr1
1
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
h
FE
比
*
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE （小
/大）
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V ，R
L
=
1 k
民
50
50
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
0.1
0.5
0.2
60
0.50
0.99
0.25
4.9
0.2
30%
47
2.14
+30%
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
V
V
k
兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
150
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ： 2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2003年6月
SJJ00024BED
0.4
±0.2
5
1
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妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
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2002年七月
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