复合晶体管
XN0F256
NPN硅外延平面型
单位：mm
静音
■
特点
两个元素合并到一个包
（集电极耦合晶体管具有内置电阻）
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
由一个半减少安装面积和装配成本的
4
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
5
6
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
3
2
1
0.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
10
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
600
300
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：收藏家
3 ：发射器（ TR2）
EIAJ ： SC- 74
0-0.1
标记符号： 6A
内部连接
4
5
6
Tr2
3
2
1.1
+0.3
–0.1
4 ：基地（ TR2）
5 ：北卡罗来纳州
6 ：基地（ Tr1的）
Mini6 -G1封装
Tr1
1
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输入阻抗
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
R
1
f
T
V
CB
=
10 V，I
E
= 50
毫安，女
=
200兆赫
条件
I
C
=
1
A,
I
E
=
0
I
C
=
1毫安，我
B
=
0
I
E
=
1
A,
I
C
=
0
V
CB
=
30 V，I
E
=
0
V
EB
=
5 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
50毫安
I
C
=
50毫安，我
B
=
2.5毫安
30%
4.7
200
100
民
30
20
5
1
1
600
80
+30%
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
mV
k
兆赫
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
0.4
±0.2
5
出版日期： 2003年7月
SJJ00120BED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
复合晶体管
XN0F256
NPN硅外延平面型
单位：mm
静音
■
特点
两个元素合并到一个包
（集电极耦合晶体管具有内置电阻）
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
由一个半减少安装面积和装配成本的
4
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
5
6
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
3
2
1
0.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
10
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
600
300
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：收藏家
3 ：发射器（ TR2）
EIAJ ： SC- 74
0-0.1
标记符号： 6A
内部连接
4
5
6
Tr2
3
2
1.1
+0.3
–0.1
4 ：基地（ TR2）
5 ：北卡罗来纳州
6 ：基地（ Tr1的）
Mini6 -G1封装
Tr1
1
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输入阻抗
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
R
1
f
T
V
CB
=
10 V，I
E
= 50
毫安，女
=
200兆赫
条件
I
C
=
1
A,
I
E
=
0
I
C
=
1毫安，我
B
=
0
I
E
=
1
A,
I
C
=
0
V
CB
=
30 V，I
E
=
0
V
EB
=
5 V，I
C
=
0
V
CE
=
5 V，I
C
=
50毫安
I
C
=
50毫安，我
B
=
2.5毫安
30%
4.7
200
100
民
30
20
5
1
1
600
80
+30%
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
mV
k
兆赫
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
0.4
±0.2
5
出版日期： 2003年7月
SJJ00120BED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
QQ：2880707522 复制
