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复合晶体管
XN07651
(XN7651)
NPN硅外延平面晶体管（ Tr1的）
PNP硅外延平面晶体管（ TR2）
电机驱动
I
特点
两个元素合并到一个包
由一个半减少安装面积和装配成本的
3
2
1
(0.65)
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
4
5
6
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
单位：mm
0.16
+0.10
–0.06
I
元素的基本型号
2SB0970 （ 2SB970 ）
+
ARN-5
0.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
10°
1.1
+0.2
–0.1
参数
Tr1
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电流
*1
Tr2
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电流
*1
整体
总功耗
总功耗
*2
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
C
P
T
P
T
T
j
T
英镑
等级
20
15
7
0.55
1.1
0.7
15
10
7
0.55
1.1
0.7
350
750
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
V
A
A
A
mW
mW
°C
°C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：发射器（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
EIAJ ： SC- 74
0-0.1
标记符号： 9W
内部连接
4
Tr2
5
1.1
+0.3
–0.1
I
Abosolute最大额定值
T
a
=
25°C
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
Mini6 -G1封装
6
Tr1
3
2
1
注）* 1：T
a
= 20°C ±
2°C
* 2：瞬时总功率耗散（对于50毫秒的单脉冲）
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2001年9月
SJJ00243AED
0.4
±0.2
5°
1
XN07651
I
电气特性
T
a
=
25°C
±
2°C
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极电压emittter
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1 * 1
h
FE2 * 1
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ sat）的1 * 1
V
CE(sat)2
二极管的正向电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
F
*2
*1
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
1毫安，我
B
=
0
I
E
=
10
A,
I
C
=
0
V
CB
=
15 V，I
E
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.5 A
V
CE
=
2 V，I
C
=
1 A
I
C
=
0.3 A，I
B
=
8毫安
I
C
=
0.7 A，I
B
=
8毫安
I
F
=
0.55 A
V
CB
=
10 V，I
E
= 50
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
20
15
7
典型值
最大
单位
V
V
V
A
V
V
V
兆赫
pF
0.1
200
60
0.2
0.5
1.4
200
10
800
f
T
C
ob
Tr2
参数
集电极 - 基极电压
集电极电压emittter
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1
*1
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 1
妈，我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 10
V，I
E
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
=
0.5 A
V
CE
= 2
V，I
C
= 1
A
I
C
=
0.3 A，I
B
= 8
mA
I
C
=
0.7 A，I
B
= 8
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
15
10
7
典型值
最大
单位
V
V
V
0.1
100
60
0.22
0.6
130
22
350
A
V
V
兆赫
pF
h
FE2 * 1
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ sat）的1 * 1
V
CE （ sat）的2 * 1
跃迁频率
集电极输出电容
f
T
C
ob
注）* 1 ：脉冲测量
* 2 ：有效用于与内置二极管的晶体管
共同的特征图
P
T
T
a
400
350
总功耗P
T
（ mW）的
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度T
a
(°C)
2
SJJ00243AED
XN07651
Tr1的特性图
I
C
V
CE
0.6
I
B
=
1毫安
0.5
T
a
=
25C
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.3
0.5毫安
0.4毫安
0.2
0.3毫安
0.2毫安
0.1
0.1毫安
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006
0.2
1.2
I
C
I
B
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=
10 V
T
a
=
25C
1
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
/ I
B
=
37.5
1.0
集电极电流I
C
(A)
0.4
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.6
0.1
T
a
=
75°C
25°C
– 25°C
0.4
0.01
0.001
0.01
0.1
1
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(A)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
I
C
800
700
T
a
=
75°C
25°C
V
CE
=
2 V
100
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
600
500
25°C
400
300
200
100
0
0.001
10
0.01
0.1
1
1
0
5
10
15
20
25
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
Tr2的特性图
I
C
V
CE
0.3
I
B
= 10
mA
9
mA
8
mA
7
mA
6
mA
5
mA
4
mA
3
mA
2
mA
1
mA
0
0
1
2
3
4
5
6
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
T
a
=
25C
1
I
C
/ I
B
=
50
V
BE （ SAT ）
I
C
10
I
C
/ I
B
=
50
0.35
集电极电流I
C
(A)
0.25
0.2
T
a
=
75°C
0.1
25°C
– 25°C
1
25°C
T
a
=
– 25°C
75°C
0.15
0.1
0.05
0.01
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.1
1
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
SJJ00243AED
3
XN07651
h
FE
I
C
400
350
V
CE
= 2
V
1 000
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
T
a
=
75°C
300
250
200
150
100
50
0
0.001
25°C
25°C
100
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8 10 12 14 16
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
4
SJJ00243AED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业，给予相对权利，或者给予任何许可。
（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-
struments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购
荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，
所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们
产品。
（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期
及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。
（ 7 ）本资料的任何部分，未经书面许可，不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前，请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考，以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因，本资料中的任何信息，如可用的
产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息
在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，
松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，
销售或分发该材料给第三方，通过互联网或以任何其他方式，是禁止的。
2001年MAR
复合晶体管
XN07651
(XN7651)
NPN硅外延平面晶体管（ Tr1的）
PNP硅外延平面晶体管（ TR2）
电机驱动
I
特点
两个元素合并到一个包
由一个半减少安装面积和装配成本的
3
2
1
(0.65)
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
4
5
6
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
单位：mm
0.16
+0.10
–0.06
I
元素的基本型号
2SB0970 （ 2SB970 ）
+
ARN-5
0.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
10°
1.1
+0.2
–0.1
参数
Tr1
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电流
*1
Tr2
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极电流
*1
整体
总功耗
总功耗
*2
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
C
P
T
P
T
T
j
T
英镑
等级
20
15
7
0.55
1.1
0.7
15
10
7
0.55
1.1
0.7
350
750
150
55
to
+150
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
V
A
A
A
mW
mW
°C
°C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：发射器（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
EIAJ ： SC- 74
0-0.1
标记符号： 9W
内部连接
4
Tr2
5
1.1
+0.3
–0.1
I
Abosolute最大额定值
T
a
=
25°C
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
Mini6 -G1封装
6
Tr1
3
2
1
注）* 1：T
a
= 20°C ±
2°C
* 2：瞬时总功率耗散（对于50毫秒的单脉冲）
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2001年9月
SJJ00243AED
0.4
±0.2
5°
1
XN07651
I
电气特性
T
a
=
25°C
±
2°C
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极电压emittter
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1 * 1
h
FE2 * 1
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ sat）的1 * 1
V
CE(sat)2
二极管的正向电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
F
*2
*1
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
1毫安，我
B
=
0
I
E
=
10
A,
I
C
=
0
V
CB
=
15 V，I
E
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.5 A
V
CE
=
2 V，I
C
=
1 A
I
C
=
0.3 A，I
B
=
8毫安
I
C
=
0.7 A，I
B
=
8毫安
I
F
=
0.55 A
V
CB
=
10 V，I
E
= 50
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
20
15
7
典型值
最大
单位
V
V
V
A
V
V
V
兆赫
pF
0.1
200
60
0.2
0.5
1.4
200
10
800
f
T
C
ob
Tr2
参数
集电极 - 基极电压
集电极电压emittter
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1
*1
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 1
妈，我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 10
V，I
E
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
=
0.5 A
V
CE
= 2
V，I
C
= 1
A
I
C
=
0.3 A，I
B
= 8
mA
I
C
=
0.7 A，I
B
= 8
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
15
10
7
典型值
最大
单位
V
V
V
0.1
100
60
0.22
0.6
130
22
350
A
V
V
兆赫
pF
h
FE2 * 1
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ sat）的1 * 1
V
CE （ sat）的2 * 1
跃迁频率
集电极输出电容
f
T
C
ob
注）* 1 ：脉冲测量
* 2 ：有效用于与内置二极管的晶体管
共同的特征图
P
T
T
a
400
350
总功耗P
T
（ mW）的
300
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度T
a
(°C)
2
SJJ00243AED
XN07651
Tr1的特性图
I
C
V
CE
0.6
I
B
=
1毫安
0.5
T
a
=
25C
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.3
0.5毫安
0.4毫安
0.2
0.3毫安
0.2毫安
0.1
0.1毫安
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006
0.2
1.2
I
C
I
B
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=
10 V
T
a
=
25C
1
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
/ I
B
=
37.5
1.0
集电极电流I
C
(A)
0.4
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.6
0.1
T
a
=
75°C
25°C
– 25°C
0.4
0.01
0.001
0.01
0.1
1
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(A)
集电极电流I
C
(A)
h
FE
I
C
800
700
T
a
=
75°C
25°C
V
CE
=
2 V
100
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
600
500
25°C
400
300
200
100
0
0.001
10
0.01
0.1
1
1
0
5
10
15
20
25
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
Tr2的特性图
I
C
V
CE
0.3
I
B
= 10
mA
9
mA
8
mA
7
mA
6
mA
5
mA
4
mA
3
mA
2
mA
1
mA
0
0
1
2
3
4
5
6
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
T
a
=
25C
1
I
C
/ I
B
=
50
V
BE （ SAT ）
I
C
10
I
C
/ I
B
=
50
0.35
集电极电流I
C
(A)
0.25
0.2
T
a
=
75°C
0.1
25°C
– 25°C
1
25°C
T
a
=
– 25°C
75°C
0.15
0.1
0.05
0.01
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.1
1
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
SJJ00243AED
3
XN07651
h
FE
I
C
400
350
V
CE
= 2
V
1 000
C
ob
V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
T
a
=
75°C
300
250
200
150
100
50
0
0.001
25°C
25°C
100
0.01
0.1
1
10
0
2
4
6
8 10 12 14 16
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
4
SJJ00243AED
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可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
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妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
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即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，
所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们
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