0
R
XC2C64的CoolRunner -II CPLD
0
0
DS092 （ V1.0 ） 2001年12月19日
先期产品技术说明
特点
业界最佳的0.18微米CMOS CPLD
- 4.0 ns的引脚对引脚的逻辑延迟
- 不到100
A
待机时消耗电流
- 64宏单元多达1600逻辑门
- 快速输入寄存器
- 个别输出摆率控制
- LVCMOS 3.3V至1.8V
- 3.3V LVTTL
提供多种封装形式
- 44引脚PLCC 33个用户I / O
- 44引脚VQFP 33个用户I / O
- 56球CP （ 0.05毫米） BGA与45个用户I / O
- 100引脚VQFP有64个用户I / O
优化的高性能1.8V系统
- 超低功耗运行
- 高级0.18微米4-金属层的非挥发性
过程
先进的系统功能
- 四增强的安全性
- 多电压系统接口
- 热插拔
- IEEE1532在系统可编程
- 通过PLA阵列高级引脚锁定
- 所有引脚输入迟滞（施密特触发器）
- 对所有用户的引脚总线保持电路
- IEEE标准1149.1边界扫描（ JTAG ）
- 快速编程时间
- 在设计变更优秀销固定
- 高品质和可靠性
- 保证万编程/擦除周期
- 20年数据保留
描述
了CoolRunner -II 64个宏单元的器件是专为
高性能和低功耗的应用。因之
积蓄力量，以高端通信设备和
速到电池供电的设备。
该装置由四个功能块间CON-
通过低功耗先进的互连矩阵（ AIM ）连接的。
AIM的饲料40输入到每个功能块。该功能
灰块由一个40 56对长期PLA和16宏观
细胞含有大量的配置位，使
操作的组合或注册模式。额外
倚重，这些寄存器可全局复位或预置，
配置为D或T触发器或用作D锁存器。有
还有多个时钟信号，全球和本地产品
长期基础，在每个宏单元的基础。输出控制显
的NAL包括压摆率控制，总线保持和漏极开路。一
另外施密特触发输入，可对每路输入
引脚上。
除了组合和注册输出，稳压
存器可以被配置为快速输入。
时钟可在全球或功能块的基础。
三个全局时钟可用于所有的功能块
一个同步时钟源。全局时钟是另外
用于设置或预置单个宏单元的寄存器
上电。在具体的功能产生本地时钟
块，只提供给宏蜂窝在寄存器
功能块。
一个双边沿触发器的功能也可以在每个巨
rocell基础。此功能允许表现它在哪里
没有需要提高的总功耗
整个设备。
了CoolRunner -II 64宏单元CPLD的I / O兼容
与标准LVTTL33和LVCMOS18 ，25，和33伏特
（见表1） 。
请参阅的CoolRunner -II系列数据表architec-
TURE描述。
快速零功率设计技术
所有CoolRunner - II CPLD的应用快速零功率 （ FZP ）
设计技术，采用了CMOS技术在两个
的制造和设计方法。赛灵思CoolRun-
NER - II被制造0.18微米制程技术
这是从领先的FPGA产品得到开发
换货。的CoolRunner - II设计技术采用级联
的CMOS门电路来实现的产品，而不是TRA-总和
ditional检测放大器的方法。由于这个FZP技
术，赛灵思的CoolRunner- II CPLD的实现高
高性能和低功耗运行。
2001 Xilinx公司保留所有权利。所有Xilinx商标，注册商标，专利和网站上列出的
http://www.xilinx.com/legal.htm 。
所有其他商标和注册商标均为其各自所有者的财产。所有规格如有变更，恕不另行通知。
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支持的I / O标准
了CoolRunner -II 64宏单元同时具有LVCMOS
和LVTTL I / O实现。看
表1
对于I / O标
准电压。该LVTTL I / O标准是一个通用的
对于使用3.3V应用EIA / JESDSA标准
LVTTL输入缓冲器和推挽输出缓冲器。该LVC-
MOS标准采用的是3.3V ， 2.5V ，1.8V和1.5V的应用
系统蒸发散。它不要求使用一个基准电压或
终止电压。
表1：
I / O标准XC2C64
I / O
标准
LVTTL
LVCMOS33
LVCMOS25
LVCMOS18
产量
V
CCIO
3.3V
3.3
2.5
1.8
输入
V
CCIO
3.3V
3.3
2.5
1.8
输入
V
REF
不适用
不适用
不适用
不适用
板
终止
电压V
T
不适用
不适用
不适用
不适用
25
20
ICC （MA ）
15
10
5
0
0
50
100
150
200
250
300
频率（MHz）
DS092_07_121501
图1：
I
CC
与频率
表2：
I
CC
与频率（ 1.8V LVCMOS牛逼
A
= 25°C)
频率（MHz）
50
典型的我
CC
（MA ）
3.6
75
5.5
100
7.3
125
9.1
150
10.8
175
12.5
200
14.2
225
15.9
250
17.5
275
19.2
300
20.8
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绝对最大额定值
符号
V
CC
V
CCIO
V
IN
V
TS
V
英镑
T
SOL
T
J
描述
电源电压相对于地
电源电压输出驱动器
输入电压相对于地
(1)
电压施加到三态输出
(1)
存储温度（环境）
最大焊接温度（ 10秒@ 1 / 16英寸= 1.5毫米）
结温
价值
-0.5 2.0
-0.5到4.0
-0.5到4.0
-0.5到4.0
-65到+150
+ 60
+ 50
单位
V
V
V
V
°C
°C
°C
注意事项：
下面GND 1.最大直流冲必须被限制为0.5V或10毫安，取其最容易实现的。在转换过程中，
该器件引脚可下冲至-2.0V或过冲至+ 3.9V ，提供这种过度或不足持续不到10纳秒，并与
迫使电流被限制到200毫安。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
CCIO
参数
电源电压为内部逻辑
器和输入缓冲器
商业牛逼
A
= 0 ° C至+ 70°C
工业牛逼
A
= -40 ° C至+ 85°C
民
1.7
1.7
3.0
2.3
1.7
1.4
最大
1.9
1.9
3.6
2.7
1.9
1.6
单位
V
V
V
V
V
V
电源电压输出驱动器@ 3.3V工作电压
电源电压输出驱动器@ 2.5V操作
电源电压输出驱动器@ 1.8V工作
电源电压输出驱动器@ 1.5V操作
(1)
注意事项：
1.使用输入滞后1.5V LVCMOS 。
DC电气特性
（在推荐的工作条件）
符号
V
CCIO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
IH
I
CCSB
I
CC
C
JTAG
C
CLK
C
IO
参数
输入电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输入电压
输入漏电流
I / O高阻泄漏
待机电流
动态电流
JTAG输入电容
全局时钟输入电容
I / O容量
I
OH
= -8毫安，V
CCIO
= 3V
I
OL
= 8毫安， V
CCIO
= 3V
V
IN
= 0或V
CCIO
V
IN
= 0或V
CCIO
V
CC
= 1.9V, V
CCIO
= 3.6V
F = 1 MHz的
F = 50MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
测试条件
分钟。
3.0
2.0
–0.3
2.4
-
–10
–10
马克斯。
3.6
V
CCIO
+ 0.3V
0.8
-
0.4
10
10
100
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
pF
pF
pF
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LVCMOS 3.3V的直流电压指标
符号
V
CCIO
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
I
OH
= -8毫安，V
CCIO
= 3V
I
OH
= -0.1毫安，V
CCIO
= 3V
V
OL
低电平输入电压
I
OL
= 8毫安， V
CCIO
= 3V
I
OL
= 0.1毫安， V
CCIO
= 3V
I
IL
I
IH
C
JTAG
C
CLK
C
IO
输入漏电流
I / O高阻泄漏
JTAG输入电容
全局时钟输入电容
I / O容量
V
IN
= 0V或V
CCIO
V
IN
= 0V或V
CCIO
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
测试条件
分钟。
3.0
2
–0.3
V
CCIO
– 0.4V
V
CCIO
– 0.2V
-
-
–10
–10
马克斯。
3.6
V
CCIO
+ 0.3V
0.8
-
-
0.4
0.2
10
10
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
pF
pF
LVCMOS 2.5V的直流电压指标
符号
V
CCIO
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
I
OH
= -8毫安，V
CCIO
= 3V
I
OH
= -0.1毫安，V
CCIO
= 3V
V
OL
低电平输出电压
I
OL
= 8毫安， V
CCIO
= 3V
I
OL
= 0.1毫安，V
CCIO
= 3V
I
IL
I
IH
C
JTAG
C
CLK
C
IO
输入漏电流
I / O高阻泄漏
JTAG输入电容
全局时钟输入电容
I / O容量
V
IN
= 0V或V
CCIO
V
IN
= 0V或V
CCIO
到3.9V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
测试条件
分钟。
2.3
1.7
–0.3
V
CCIO
– 0.4V
V
CCIO
– 0.2V
-
-
–10
–10
马克斯。
2.7
3.9
0.7
-
-
0.4
0.2
10
10
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
4
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XC2C64的CoolRunner -II CPLD
LVCMOS 1.8V的直流电压指标
符号
V
CCIO
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
I
OH
= -8毫安，V
CCIO
= 3V
I
OH
= -0.1毫安，V
CCIO
= 3V
V
OL
低电平输入电压
I
OL
= 8毫安， V
CCIO
= 3V
I
OL
= 0.1毫安， V
CCIO
= 3V
I
IL
I
IH
C
JTAG
C
CLK
C
IO
输入漏电流
I / O高阻泄漏
JTAG输入电容
全局时钟输入电容
I / O容量
V
IN
= 0或V
CCIO
到3.9V
V
IN
= 0或V
CCIO
到3.9V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
测试条件
分钟。
1.7
0.7× V
CCIO
–0.3
V
CCIO
-0.45
V
CCIO
-0.2
-
-
–10
–10
马克斯。
1.9
3.9
0.2× V
CCIO
-
-
0.45?
0.2
10
10
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
pF
pF
1.5V的直流电压指标
符号
V
CCIO
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
I
OH
= -8毫安，V
CCIO
= 3V
I
OH
= -0.1毫安，V
CCIO
= 3V
V
OL
低电平输入电压
I
OL
= 8毫安， V
CCIO
= 3V
I
OL
= 0.1毫安， V
CCIO
= 3V
I
IL
I
IH
C
JTAG
C
CLK
C
IO
输入漏电流
I / O高阻泄漏
JTAG输入电容
全局时钟输入电容
I / O容量
V
IN
= 0或V
CCIO
到3.9V
V
IN
= 0或V
CCIO
到3.9V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
–10
–10
测试条件
分钟。
1.4
0.7× V
CCIO
–0.3
V
CCIO
– 0.45
V
CCIO
– 0.2
0.4
0.2
10
10
马克斯。
1.6
3.9
0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
pF
pF
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