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P沟道JFET开关
公司
2N5114 – 2N5116
概述
理想的反相开关或"Virtual Gnd"切换成
反相运算的输入。安培。无需驱动程序和
±10VAC
信号可以只使用+ 5V逻辑( TTL或CMOS)处理。
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
栅极 - 漏极和栅极 - 源极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+200
o
C
引线温度(焊接, 10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500mW的
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为3mW /
o
C
注意:
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
低导通电阻
I
D(关闭)
<500pA
交换机直接从TTL逻辑
引脚配置
订购信息
TO-18
部分
温度范围
-55
o
C至+200
o
C
-55
o
C至+200
o
C
2N5114-16密封的TO- 18
X2N5114-16排序芯片载体
D
5508
G,C
S
开关特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
符号
t
d
t
r
t
关闭
t
f
参数
导通延迟时间
上升时间(注2 )
关断延迟时间(注2 )
下降时间(注2 )
2N5114
最大
6
10
6
15
2N5115
最大
10
20
8
30
2N5116
最大
12
30
10
50
ns
单位
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
符号
BV
GSS
I
GSS
参数
栅源击穿电压
门反向电流
2N5114
最大
30
500
1.0
-500
I
D(关闭)
排水截止电流
-1.0
门源夹断电压
5
10
3
-1.0
6
1
-1.0
4
2N5115
最大
30
500
1.0
-500
2N5116
最大
30
500
1.0
-500
单位
V
pA
A
pA
A
V
测试条件
I
G
= 1μA ,V
DS
= 0
V
GS
= 20V, V
DS
= 0
T
A
150
o
C
V
DS
= -15V
V
GS
= 12V ( 2N5114 )
V
GS
= 7V ( 2N5115 )
V
GS
= 5V ( 2N5116 )
V
DS
= -15V ,我
D
= -1nA
V
P
2N5114 – 2N5116
公司
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明) (续)
符号
参数
漏电流在零电压
(注1 )
正向栅源电压
漏源电压
静态漏源导通电阻
小信号漏源
阻力
共源输入电容
(注2 )
共源反向传输
电容(注2 )
2N5114
最大
-30
-90
-1
-1.3
75
75
25
2N5115
最大
-15
-60
-1
-0.8
100
100
25
2N5116
最大
-5
-25
-1
-0.6
150
150
25
pF
7
7
7
V
单位
测试条件
V
GS
= -0
V
DS
= -18V ( 2N5114 )
V
DS
= -15V ( 2N5115 )
V
DS
= -15V ( 2N5116 )
I
G
= -1mA ,V
DS
= 0
V
GS
= 0
I
D
= -15mA ( 2N5114 )
I
D
= -7mA ( 2N5115 )
I
D
= -3mA ( 2N5116 )
V
GS
= 0, I
D
= -1mA
V
GS
= 0, I
D
= 0中,f = 1kHz的
V
DS
= -15V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 0
V
GS
= 12V ( 2N5114 )
V
GS
= 7V ( 2N5115 )
V
GS
= 5V ( 2N5116 )
F = 1MHz的
I
DSS
V
GS ( F)
V
DS ( ON)
r
DS ( ON)
r
DS ( ON)
C
国际空间站
mA
C
RSS
注意事项1 。
脉冲测试;时间= 2ms的。
2.
仅供设计参考,未经100%测试。
V
GG
V
DD
测试条件
2N5114
V
DD
V
GG
R
L
R
G
I
D(上)
V
IN
-10V
20V
430
100
-15mA
-12V
2N5115
-6V
12V
910
220
-7mA
-7V
2N5116
-6V
8V
2K
390
-6V
V
DS ( ON)
V
IN
t
d
10%
输入
1.2K
R
L
90%
t
关闭
t
r
90%
10%
t
r
产量
0040
0.1F
V
IN
R
G
51
1.2K
7.5K
10%
51
采样
范围
51
-3mA
-5V
采样示波器
上升时间0.4ns的
输入电阻10MΩ
输入电容取1.5pF
0050
典型性能特性
V
p
VS
DS ( ON)
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
V
p
VS我
DSS
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
V
p
VS克
fs
2.0
V
DS
= 0.1V
V
GS
= 0
2.0
V
DS
= 20V
V
GS
= 0
(脉冲的)
2.0
V
DS
= 20V
V
GS
= 0
(脉冲的)
V
p
(V)
V
p
(V)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
10
30
100
300
1,000
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1
3
10
30
100
V
p
(V)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
1,000
3,000
10,000
30,000
100,000
r
DS ( ON)
(欧姆)
0060
t
DSS
(MA )
0070
g
fs
(V)
0080
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    X2N5116
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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