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X28HC64
64K
X28HC64
5伏,字节可变ê
2
舞会
8K ×8位
特点
55ns存取时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS
-40 mA的工作电流最大。
—200
待机电流最大。
快速写周期时间
-64字节页写操作
- 字节或页写入周期: 2ms的典型
-complete存储器重写: 0.25秒。典型
- 有效字节写周期时间: 32
典型
软件数据保护
写检测结束
威刚投票
- 切换位
高可靠性
-Endurance : 100,000次
- 数据保存: 100年
JEDEC批准字节宽引脚
描述
该X28HC64是8K ×8 ê
2
PROM ,与制造
Xicor公司专有的高性能,浮栅
CMOS技术。像所有的Xicor公司的可编程非易失
非易失性存储器的X28HC64是5V唯一设备。该
X28HC64采用了JEDEC核准的引脚排列针对字节
宽回忆,与行业标准兼容的RAM 。
该X28HC64支持64字节页写操作,
有效地提供了32μs /字节写周期和使
abling被典型地写在0.25的整个存储器
秒。该X28HC64还具有
数据
投票和
触发位投票,两种方法提供早点结束
写检测。此外, X28HC64包括一
用户可选软件的数据保护方式,进一步
增强Xicor公司的硬件写保护功能。
Xicor公司ê
2
PROM的设计和测试应用
系统蒸发散需要延长的续航能力。固有的数据重新
张力大于100年。
TSOP
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
NC
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A3
A4
A5
A6
A7
A12
NC
NC
VCC
NC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
销刀豆网络gurations
VCC
WE
A7
A12
NC
NC
NC
塑料DIP
扁平封装
CERDIP
SOIC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
X28HC64
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
LCC
PLCC
X28HC64
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
X28HC64
25
24
23
22
PGA
I/O1
I/O2
I/O3
I/O5
I/O6
12
13
15
17
18
I/O0
A0
11
10
A1
A3
A5
A2
8
A4
6
A12
2
A7
3
X28HC64
VSS
I/O4
I/O7
14
16
19
CE
20
OE
22
A10
21
A11
23
A8
25
NC
26
3857 ILL F22
10
11
12
21
13
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
9
7
3857 FHD F03
5
3857 FHD F02.1
VCC
A9
28
24
NC
1
WE
27
4
A6
3857 FHD F04
底部视图
Xicor公司,公司1994年, 1995年, 1996年专利待定
3857-3.0 97年8月5日T1 / C0 / D0 EW
1
特性如有变更,恕不另行通知
X28HC64
引脚说明
地址(A
0
–A
12
)
的地址输入中选择一个8位的存储器位置
在读或写操作。
芯片使能( CE )
该芯片使能输入必须为低电平,使所有的读/
写操作。当
CE
为高电平时,功率消耗
被减小。
输出使能( OE )
输出使能输入控制数据输出缓冲器
与用于启动读取操作。
数据输入/输出( I / O
0
-I / O
7
)
数据被写入或从X28HC64通过读
I / O引脚。
写使能( WE)
写使能输入控制数据到的写作
X28HC64.
工作原理图
65,536-BIT
E2PROM
ARRAY
引脚名称
符号
A
0
–A
12
I / O
0
-I / O
7
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
+5V
无连接
3857 PGM T01
X缓冲器
锁存器和
解码器
A0–A12
地址
输入
缓冲器
锁存器和
解码器
I / O缓冲器
和锁存器
I/O0–I/O7
数据输入/输出
CE
OE
WE
VCC
VSS
3857 FHD F01
控制
逻辑与
定时
2
X28HC64
设备操作
读出操作是由两个启动
OE
CE
低。
在读操作由或终止
CE
or
OE
返回高电平。这两个线路的控制结构消除
纳茨总线争用中的系统环境。数据
总线将处于高阻抗状态时,无论
OE
or
CE
为高。
写操作开始时两者
CE
WE
低,
OE
为HIGH 。该X28HC64支持一个
CE
WE
控制的写周期。也就是说,地址
由的下降沿锁存的任一
CE
or
WE ,
为准过去。类似地,数据被锁存
在内部通过的上升沿或者
CE
or
WE ,
而─
先出现。字节写操作,一旦开始,
会自动继续完成,通常在
2ms.
页写操作
该X28HC64的页写入功能,使整个
存储器写入以0.25秒。页写允许
数据的2到64个字节将被连续写入
在您的开始的X28HC64
内部编程周期。主机可以读取数据
从一个页面中的系统内的其它设备
写操作(改变源地址),但
网页地址(A
6
至A
12
)对于每个后续
有效的写周期的一部分,在此操作中必须
相同的初始页面的地址。
页写模式,可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期,主机
可以编写一个附加1在63个字节
作为第一个字节被写入相同的方式。每个演替
西伯字节装入周期,由开始
WE
前高后低
过渡,必须的下降沿为100μs内开始
WE 。
如果后续
WE
前高后低
为100μs内未检测到转换时,内部
自动编程周期将开始。有
没有页面写入窗口的限制。有效的页面
写窗口是无限宽,所以只要主机
继续到字节装入周期内访问设备
100μs的时间。
写操作状态位
该X28HC64为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统
写周期时间。状态位被映射到
的I / O ,如图1的总线。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
3857 FHD F11
数据
投票( I / O
7
)
该X28HC64特点
数据
轮询的方法来
表示到主机系统,该字节写或页
写周期结束。
数据
投票允许一个简单的
位的测试操作,以确定X28HC64的状态,
无需额外的外部中断输入或外部硬
洁具。在内部编程周期, AT-任何
诱惑读取写入会产生的最后一个字节
这些数据对我补/ O
7
(即写入数据= 0XXX
XXXX ,读取数据= 1XXX XXXX) 。一旦编程
周期完成后, I / O
7
会反映真实的数据。
切换位( I / O
6
)
该X28HC64还提供了另一种方法,用于阻止 -
挖掘时,内部写周期完成。中
内部编程周期I / O
6
将切换从
HIGH到LOW和低到高后续
尝试读出该设备。当内部循环是
完成这种切换将停止,该设备将
访问额外的读或写操作。
3
X28HC64
数据
轮询I / O
7
图2中。
数据
投票总线序列
LAST
WE
CE
OE
VIH
I/O7
高Z
VOL
An
An
An
An
An
An
An
3857 FHD F12
VOH
X28HC64
准备
A0–A12
网络连接gure 3 。
数据
投票软件流程
数据
轮询可以有效地减少时间进行写入
到X28HC64 。在图2中illus-的时序图
trates总线上的事件序列。软件
溢流图3图演示的一种方法
执行该例程。
写数据
写到
完成?
是的
最后保存数据
和地址
NO
请阅读最后
地址
IO7
比较?
是的
NO
准备
3857 FHD F13
4
X28HC64
切换位I / O
6
图4.切换位总线序列
LAST
WE
CE
OE
I/O6
VOH
*
VOL
高Z
*
X28HC64
准备
*开始和结束的I / O6的状态会有所不同。
3857 FHD F14
图5.切换位软件流
切换位可以消除软件管家
节省家务和提取的最后一个地址和数据
写入设备,以执行
数据
轮询。
这可以是特别有帮助的构成的阵列
多X28HC64回忆,经常更新。
翻转位轮询也可以提供状态的方法
检查在多处理器的应用。时机
在图4中图示出的事件上的序列
总线。图5中的软件流程图展示
一种用于轮询切换位。
上次写
负载ACCUM
从ADDR
比较
ACCUM与
ADDR
比较
行?
是的
NO
准备
3857 FHD F15
5
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