X22C12
1K位
X22C12
非易失性静态RAM
描述
256 x 4
特点
高性能CMOS
-150ns RAM访问时间
高可靠性
-store周期：100万
- 数据保存： 100年
低功耗
-active ：最大40mA 。
-Standby ： 100
A最大。
无限阵列回想一下， RAM读写周期
非易失性存储禁止： V
CC
= 3.5V典型
完全兼容TTL和CMOS
JEDEC标准的18引脚300mil的DIP
100 ％兼容于X2212
- 随着时间增强功能
该X22C12是256 ×4 CMOS NOVRAM设有
高速静态RAM重叠位对位与非
挥发性ê
2
舞会。该NOVRAM设计允许数据
可以很容易地从RAM传送到E
2
PROM （ STORE ）
从ê
2
PROM到RAM （ RECALL ） 。这家商店
操作是在5ms内或更小，并已完成
召回是在1μs内完成。
Xicor公司NOVRAMs是专为无限的写入操作
系统蒸发散的RAM ，无论是从ê召回
2
PROM或
从主机写入。该X22C12将可靠地承受
百万STORE周期。固有的数据保存
超过100年以上。
工作原理图
引脚配置
塑料DIP
CERDIP
商店
A7
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
商店
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
X22C12 14
13
12
11
10
VCC
A6
A5
I/O4
I/O3
I/O2
I/01
WE
召回
3817 FHD F02
2
非易失性ê PROM
存储阵列
A0
A1
A2
A3
A4
商店
召回
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
输入
数据
控制
列选择
控制
逻辑
VCC
VSS
ROW
SELECT
静态RAM
存储阵列
ARRAY
召回
COLUMN
I / O电路
SOIC
A7
A4
A3
A2
A1
A0
CS
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
X22C12
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
A6
A5
I/O4
NC
NC
I/O3
I/O2
I/O1
WE
A7
A6
A5
CS
WE
3817 FHD F01
商店
召回
3815 FHD F10.1
Xicor公司，公司1991年， 1995年专利待定
3817-2.4 96年7月30日T0 / C0 / D1 SH
1
特性如有变更，恕不另行通知
X22C12
绝对最大额定值
在偏压温度.................. -65 ° C至+ 135°C的
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于V
SS .......................................
-1V至+ 7V
直流输出电流............................................ 5毫安
焊接温度
（焊接， 10秒） .............................. 300℃
推荐工作条件
温度
广告
产业
军事
分钟。
0°C
–40°C
–55°C
马克斯。
+70°C
+85°C
+125°C
3817 PGM T12.1
评论
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
电源电压
X22C12
范围
5V
±10%
3817 PGM T13
直流工作特性
（在推荐的工作条件，除非另有规定编）
范围
符号
l
CC
参数
V
CC
电源电流，
RAM的读/写
V
CC
待机电流
（ TTL输入）
V
CC
待机电流
（ CMOS输入）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
分钟。
马克斯。
40
单位
mA
测试条件
CS
= V
IL
， I / O的=开放，所有其他=
V
IH
，地址= 0.4V / 2.4V电平@
F = 8MHz的
存储或调用功能不活跃，
I / O的=开放，所有其它输入= V
IH
存储或调用功能不活跃，
I / O的=开放，所有其它输入=
V
CC
–0.3V
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
OUT
= V
SS
到V
CC
I
SB1
I
SB2
2
100
mA
A
I
LI
I
LO
V
lL(2)
V
IH(2)
V
OL
V
OH
–1
2
2.4
10
10
0.8
V
CC
+ 1
0.4
A
A
V
V
V
V
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -2mA
3817 PGM T02.3
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
参数
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
8
6
单位
pF
pF
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
3815 PGM T03.1
注意事项：
（ 1 ）该参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
(2) V
IL
分钟。和V
IH
最大。仅供参考，未经测试。
3
X22C12
模式选择
CE
H
L
L
L
X
H
X
H
WE
X
H
L
L
H
X
H
X
召回
H
H
H
H
L
L
H
H
商店
H
H
H
H
H
H
L
L
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据的高
输入数据低
输出高Z
输出高Z
输出高Z
输出高Z
模式
未选择
(3)
读取RAM
写“ 1 ” RAM
写“0” RAM
阵列召回
阵列召回
非易失性商店
(4)
非易失性商店
(4)
3817 PGM T05.1
耐力和数据保留
参数
耐力
STORE周期
数据保留
上电时序
符号
t
PUR(5)
t
PUW(5)
参数
上电到读操作
电到写操作或存放时
马克斯。
100
5
单位
s
ms
3817 PGM T07
分钟。
100,000
1,000,000
100
单位
每比特数据的变化
STORE周期
岁月
3817 PGM T06
等效交流负载电路
5V
测试的交流条件
输入脉冲电平
输入上升和
下降时间
输入和输出
定时水平
100pF
0V至3V
10ns
1.5V
3817 PGM T04.1
919
产量
497
3815 FHD F09.1
注意事项：
（ 3 ）芯片的选择取消，但可能会自动完成存储周期。
(4)
商店
=低电平时，才需要启动存储周期，在这之后存储周期将自动完成
（例如
商店
= X).
(5) t
PUR
和T
PUW
是从时间V所需的延迟
CC
是稳定的，直到特定网络版操作可以启动。这些
参数周期性采样，而不是100 ％测试。
4
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