怀特电子设计
WV3HG2256M72AER-D6
高级*
4GB - 2x256Mx72 DDR2 SDRAM RDIMM ，W / PLL
特点
240针，双列直插存储器模块（DIMM）
快速数据传输率： PC2-6400 * ， PC2-5300 * ，
PC2-4300和PC2-3200
支持ECC错误检测和校正
V
CC
= V
CCQ
= 1.8V± 0.1V
V
CCSPD
= + 1.7V至+ 3.6V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
四位预取架构
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
多个内部器件银行并发
手术
支持重复的输出选通（ RDQS / RDQS ＃ ）
可编程CAS＃延迟（CL） ： 3，4， 5 * 6 *
可调节的数据输出驱动强度
片上端接（ ODT ）
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
自动&自我刷新： 64ms的8,192刷新周期
金缘接触
符合RoHS
双列
封装选项
240针DIMM
PCB -30.00mm （ 1.181" ） TYP
注：可用性咨询工厂：
供应商源控制选项
工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
描述
该WV3HG2256M72AER是2x256Mx72双数据
基于1Gb的速度DDR2 SDRAM高密度模块
DDR2 SDRAM元件。此内存模块由
十八栈256Mx4位的有8家银行DDR2
FBGA封装的同步DRAM ， 2 - 14位
在BGA封装安装在一个240针注册缓冲器
DIMM FR4基板。
工作频率
PC2-3200
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
*咨询工厂的可用性
PC2-4300
266MHz
4-4-4
PC2-5300*
333MHz
5-5-5
PC2-6400*
400MHz
6-6-6
200MHz
3-3-3
2006年4月
第1版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
2006年4月
第1版
符号
V
REF
V
SS
DQ0
DQ1
V
SS
DQS0#
DQS0
V
SS
DQ2
DQ3
V
SS
DQ8
DQ9
V
SS
DQS1#
DQS1
V
SS
RESET＃
NC
V
SS
DQ10
DQ11
V
SS
DQ16
DQ17
V
SS
DQS2#
DQS2
V
SS
DQ18
DQ19
V
SS
DQ24
DQ25
V
SS
DQS3#
DQS3
V
SS
DQ26
DQ27
V
SS
CB0
CB1
V
SS
DQS8#
DQS8
V
SS
CB2
CB3
V
SS
V
CCQ
CKE0
V
CC
BA2
NC
V
CCQ
A11
A7
V
CC
A5
PIN号
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
符号
A4
V
CCQ
A2
V
CC
V
SS
V
SS
V
CC
NC
V
CC
A10/AP
BA0
V
CCQ
WE＃
CAS ＃
V
CCQ
CS1#
ODT1
V
CCQ
V
SS
DQ32
DQ33
V
SS
DQS4#
DQS4
V
SS
DQ34
DQ35
V
SS
DQ40
DQ41
V
SS
DQS5#
DQS5
V
SS
DQ42
DQ43
V
SS
DQ48
DQ49
V
SS
SA2
NC
V
SS
DQS6#
DQS6
V
SS
DQ50
DQ51
V
SS
DQ56
DQ57
V
SS
DQS7#
DQS7
V
SS
DQ58
DQ59
V
SS
SDA
SCL
PIN号
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
符号
V
SS
DQ4
DQ5
V
SS
DM0/DQS9
NC/DQS9#
V
SS
DQ6
DQ7
V
SS
DQ12
DQ13
V
SS
DM1/DQS10
NC/DQS10#
V
SS
NC
NC
V
SS
DQ14
DQ15
V
SS
DQ20
DQ21
V
SS
DM2/DQS11
NC/DQS11#
V
SS
DQ22
DQ23
V
SS
DQ28
DQ29
V
SS
DM3/DQS12
NC/DQS12#
V
SS
DQ30
DQ31
V
SS
CB4
CB5
V
SS
DM8DQS17
NC/DQS17#
V
SS
CB6
CB7
V
SS
V
CCQ
CKE1
V
CC
NC
NC
V
CCQ
A12
A9
V
CC
A8
A6
PIN号
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
232
233
234
235
236
237
238
239
240
符号
V
CCQ
A3
A1
V
CC
CK0
CK0#
V
CC
A0
V
CC
BA1
V
CCQ
RAS ＃
CS0#
V
CCQ
ODT0
A13
V
CC
V
SS
DQ36
DQ37
V
SS
DM4/DQS13
NC/DQS13#
V
SS
DQ38
DQ39
V
SS
DQ44
DQ45
V
SS
DM5/DQS14
NC/DQS14#
V
SS
DQ46
DQ47
V
SS
DQ52
DQ53
V
SS
NC
NC
V
SS
DM6/DQS15
NC/DQS15#
V
SS
DQ54
DQ55
V
SS
DQ60
DQ61
V
SS
DM7/DQS16
NC/DQS16#
V
SS
DQ62
DQ63
V
SS
V
CC
SPD
SA0
SA1
2
WV3HG2256M72AER-D6
先进
引脚名称
引脚名称
A0-A13
BA0,BA2
DQ0-DQ63
CB0-CB7
DQS0-DQS17
DQS0#-DQS17#
DM0-DM8
ODT0 ， ODT1
CK0,CK0#
CKE0 ， CKE1
CS0 ＃ ， CS1 ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
RESET＃
SA0-SA2
SDA
SCL
V
CC
V
CCQ
V
SS
V
REF
V
CC
SPD
NC
功能
地址输入
SDRAM行地址
数据输入/输出
校验位
数据选通信号
数据选通信号的补
数据口罩
片上终端控制
时钟输入端，正线
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
寄存器复位输入
SPD地址
SPD数据输入/输出
SPD时钟输入
核心动力
I / O电源
地
电源为参考
SPD电源
无连接
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怀特电子设计
WV3HG2256M72AER-D6
先进
功能框图
VSS
RCS1#
RCS0#
DQS0
DQS0#
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM0/DQS9
NC/DQS9#
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQS1
DQS1#
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQS2
DQS2#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM1/DQS10
NC/DQS10#
CS ＃ DQS DQS ＃
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM2/DQS11
NC/DQS11#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQS3
DQS3#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DM3/DQS12
NC/DQS12#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQS4
DQS4#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM4/DQS13
NC/DQS13#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQS5
DQS5#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM5/DQS14
NC/DQS14#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQS6
DQS6#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM6/DQS15
NC/DQS15#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQS#7
DQS7#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM7/DQS16
NC/DQS16#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQS8
DQS8#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM8/DQS17
NC/DQS17#
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
CS ＃ DQS DQS ＃
CB0
CB1
CB2
CB3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CB4
CB5
CB6
CB7
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
V
CCSPD
CS0#
CS1#
BA0-BA2
A0-A13
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
RESET ＃ **
PCK7**
PCK7#**
串行PD
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
1:2
R
E
G
I
S
T
E
R
RST ＃
RCS0 ＃ CS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
RCS1 ＃ CS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
RBA0-RBA2
BA0 - BA2 ： DDR2 SDRAM芯片
RA0-RA13
A0 - A13 ： DDR2 SDRAM芯片
RRAS ＃
RAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
RCAS ＃
CAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
RWE ＃
WE＃ ： DDR2 SDRAM芯片
SCL
RCKE0
CKE ： DDR2 SDRAM芯片
RCKE1
CKE ： DDR2 SDRAM芯片
RODT0
ODT ： DDR2 SDRAM芯片
RODT1
ODT ： DDR2 SDRAM芯片
V
CC
/V
CCQ
V
REF
串行PD
V
SS
SDA
WP A0
A1
A2
SA0 SA1 SA2
CK0
CK0#
RESET ＃ **
P
L
L
OE
PCK0 - PCK6 ， PCK8 ， PCK9
CK ： DDR2 SDRAM芯片
CK ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
PCK0 ＃ -PCK6 ＃ ， PCK8 ＃ ， PCK9 ＃
PCK7
CK ：注册
PCK7#
CK ＃ ：注册
注：所有电阻值是22欧姆，除非另有规定ED 。
** RESET ＃ ， PCK7和PCK7 ＃连接到这两个寄存器。等信号连接到两个寄存器中的一个。
2006年4月
第1版
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
参考V所有电压
SS
等级
参数
电源电压
I / O输入参考电压
I / O终端电压
SPD电源电压
符号
V
CC
V
REF
V
TT
V
CCSPD
分钟。
1.7
0.49*V
CC
V
REF
-0.04
1.7
TYPE
1.8
0.50*V
CC
V
REF
—
WV3HG2256M72AER-D6
先进
建议的直流工作条件
马克斯。
1.9
0.51*V
CC
V
REF
+0.04
3.6
单位
V
V
V
V
笔记
3
1
2
注意事项：
1. VREF预计相当于VCCQ发送装置/ 2和跟踪变化的相同的DC电平。峰 - 峰值在VREF的噪音不得超过±1 ％的
直流值。在VREF峰 - 峰值交流噪声不得超过VREF的± 2％。该测定是将要采取在最近的VREF旁路电容器..
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
CCQ
所有集成电路都连接到V
CC
.
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
英镑
参数
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
储存温度
命令/地址，
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ，
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
DQ ， DQS ， DQS ＃
民
-0.5
-0.5
-55
最大
2.3
2.3
100
单位
V
V
°C
I
L
输入漏电流;任何输入0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
; V
REF
输入0V<V
IN
<0.95V;
其它引脚没有被测= 0V
-10
10
A
I
OZ
I
VREF
输出漏电流; 0V<V
OUT
＆ LT ; V
CCQ
; DQS和ODT是禁用
V
REF
漏电流; V
REF
=有效V
REF
水平
-10
-72
10
72
A
A
电容
T
A
= 25 ° C，F = 100MHz时，V
CC
= 1.8V
参数
输入电容： （ A0 A13 ， BA0 BA2 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ） ， （ ODT0 ， ODT1 ）
输入电容： （ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容： （ CK0 ， CK0 ＃ ）
输入电容： （ DM0 DM8 ） ， （ DQS0 DQ17 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5 （ 665 ）
C
IN5 （ 534 ， 403 ）
C
OUT1 （ 665 ）
C
OUT1 （ 534 ， 403 ）
民
10
10
10
10
9
9
9
9
最大
12
12
12
11
11
12
11
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ） ， （ CB0 CB7 ）
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第1版
4
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怀特电子设计
WV3HG2256M72AER-D6
先进
工作温度条件
参数
工作温度（商业）
符号
豪饮者
等级
0到+ 85C
单位
°C
笔记
1, 2
注意事项：
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件，请参阅JEDED JESD51.2
2.在0 ° C至+ 85°C ，工作温度范围内，所有的DRAM特定连接的阳离子将得到支持。
直流输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
符号
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.125
-0.300
最大
V
CC
+ 0.300
V
REF
- 0.125
单位
V
V
AC输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
AC输入高电平（逻辑1 ）电压DDR2-400 & DDR- 533
AC输入高电平（逻辑1 ）电压DDR2-667 *
AC输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-400 & DDR2-533
AC输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-667 *
*咨询工厂的可用性
符号
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（AC）的
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（AC）的
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民
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2006年4月
第1版
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