初步W49V002A
功能说明
接口模式选择和说明
此装置可以在两种接口模式下操作，一种是编程接口模式，另一种是LPC
接口模式。该装置的MODE引脚提供了这两种接口模式之间的控制。
这些接口模式之前，需要从#RESET电或重返配置
.
当MODE引脚
被设置为高状态时，该装置是在编程模式;而MODE引脚设置为低电平状态（或
阔叶无连接） ，它是在LPC模式。在编程模式下，该器件的行为只是像
传统的闪存部件与8根数据线。但该行和列地址的输入进行多路复用，从而去
通过地址输入A [ 10 ： 0 ] 。对于LPC模式，它符合LPC接口规范
1.0修订版。通过LAD [ 3：0] ，以与系统的芯片组进行通信。
读（写）模式
在编程界面模式下， W49V002A的读（写）操作是由#OE （ #WE ）控制。
该#OE （ #WE ）保持低电平的主机获得（写）从（到）输出（输入）数据。 #OE是
输出控制，用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻抗状态
当#OE高。如在LPC接口模式中，读或写操作是通过循环的"bit 1确定
TYPER + DIR" 。
复位操作
该#RESET输入引脚可以在某些应用中使用。当#RESET脚处于高电平状态，器件
处于正常操作模式。当#RESET引脚为低电平状态时，它会停止装置，输出全部
处于高阻抗状态。作为高状态重新置位到#RESET销，设备将返回到
读或待机模式，这取决于所述控制信号。
芯片擦除操作
该芯片擦除模式可以通过一个6字节的命令序列来启动。该命令加载后
周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会
在快100毫秒（典型值）完成。主机系统不需要提供任何控制或定时
在此操作。如果引导块编程锁定被激活时，仅在其他的数据
存储器块将被擦除到FF （十六进制） ，而在所述引导块中的数据将不被擦除（保持为
芯片擦除操作之前相同的状态） 。对整个存储器阵列将被擦除到FF （十六进制）
芯片擦除操作，如果引导块编程锁定功能没有被激活。该设备将
自动返回到正常读模式的擦除操作完成之后。数据轮询和/或切换
位可用于检测擦除周期的结束。
扇区擦除操作
这七个部门，一个引导块和两个参数块和四个主要模块，可擦除
分别通过启动一个6字节的命令序列。扇区地址被锁存下降#WE
缘第六周期的，而30 （十六进制）的数据输入命令被锁存于#WE的上升沿。
命令加载循环后，器件进入内部扇区擦除模式，这是
自动计时，将在快150毫秒（典型值）完成。不需要在主机系统
提供此操作过程中的任何控制或定时。该设备将自动返回到正常的读
完成擦除操作后的模式。数据轮询和/或翻转位可用于检测的端
擦除周期。
程序运行
该W49V002A被编程在逐字节的基础。编程操作只能改变逻辑数据
出版日期： 2001年4月
修订版A1
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