WTM649A
PNP外延平面晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
1
1.基地
2.收集
3.辐射源
SOT-89
2
3
绝对最大额定值（T
A
=25C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
P
D
T
j
T
英镑
范围
-180
-160
-5
-1.5
-3
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
C
C
器件标识
WTM649A=649A
电气特性（T
A
= 25° Cunless另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -1mA ，我
E
=0
符号
民
典型值
最大
单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
-180
-160
-5
-
-
-
-
-
-
-
-
-10
V
V
V
A
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ，我
B
=0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -1mA ，我
C
=0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -160V ，我
E
=0
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01-Aug-05
WTM649A
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(1)
直流电流增益
V
CE
= -5V ，我
C
=-150mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-500mA
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -600mA ，我
B
=-50mA
基射极饱和电压
V
CE
= -5V ，我
C
=-150mA
1.脉冲测试：脉冲宽度≤ 380μs ，占空比≤ 2 ％
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
60
30
-
-
-
-
-
-
200
-
-1
-1.5
-
V
V
动态特性
跃迁频率
V
CE
= -5V ，我
C
= -150mA ， F = 100MHz的
输出电容
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
f
T
C
ob
-
-
140
27
-
-
兆赫
pF
分类h及
FE1
秩
h
FE1
B
60-120
C
100-200
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WTM649A
电气特性曲线
集电极emiter饱和电压
350
直流电流晶体管比H
FE
V
CE
= -5V
Ta=75C
300
250
200
150
100
50
0
-1
-10
-100
-1000
-25C
25C
-1.2
-1.0
V
CE （ SAT ）
(V)
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-1
Ta=-75C
-25C
25C
-10
-100
集电极电流I
C
（MA ）
-1000
l
C
=101
B
集电极电流I
C
（MA ）
图1电流增益&集电极电流
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
3
10
30
100 300 1000
集电极电流I
C
（MA ）
T
C
=-25C
图2 Satueation电压&集电极电流
240
增益带宽乘积F
T
（兆赫）
V
CE
=5V
Ta=-25C
200
160
120
80
40
0
10
30
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
1000
l
C
=101
B
75C 25C
图3 Satueation电压&集电极电流
集电极输出电容C
ob
（PF ）
200
100
50
20
10
5
2
F = 1 MHz的
I
E
= 0
集电极电流I
C
(A )
图4增益带宽积
&集电极电流
-3
-1.0
（ -40V ， -0.5A ）
-0.3
-0.1
-0.03
-0.01
-1
（ -160V ， -0.02A ）
-3
-10
-30 -100 -300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
DC操作（T
C
=25C)
I
CMAX
（ -13.3V ， -1.5A ）
-1
-3
-10
-30
-100
集电极基极电压V
CB
(V)
图5电容&集电极 - 基极电压
图6安全工作区
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WTM649A
SOT- 89外形尺寸
单位：mm
E
G
暗淡
A
SOT-89
J
C
H
K
L
B
D
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
民
最大
1.400
1.600
0.320
0.520
0.360
0.560
0.350
0.440
4.400
4.600
1.400
1.800
2.300
2.600
3.940
4.250
1.500TYP
2.900
3.100
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