产品speci fi cation
WNM2023
单N沟道, 20V , 3.2A ,功率MOSFET
V
DS
(V)
20
RDS(ON) ( Ω )
0.038@ V
GS
=4.5V
0.044@ V
GS
=2.5V
0.052@ V
GS
=1.8V
SOT-23-3L
说明
D
该WNM2023是N沟道增强MOS
场
效果
晶体管。
用途
先进
TRENCH
(上)
3
技术和设计,提供优秀的研发
DS
低栅极电荷。此装置适用于在使用中
的DC-DC转换,电源开关和充电电路。
标准产品WNM2023是无铅的。
1
G
2
S
引脚配置(顶视图)
特点
沟槽技术
吃晚饭的高密度电池设计
1
3
W04*
2
出色的导通电阻较高的直流电流
非常低阈值电压
小型封装SOT- 23-3L
记号
W04 =器件代码
*
=月( AZ )
应用
驱动继电器,电磁阀,电机, LED等。
的DC-DC转换器电路
开关
负荷开关
充电
设备
订购信息
包
SOT-23-3L
航运
3000/Reel&Tape
WNM2023-3/TR
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sales@twtysemi.com
1第3
产品speci fi cation
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
a
最大功率耗散
a
连续漏电流
b
最大功率耗散
b
漏电流脉冲
c
工作结温
焊接温度
存储温度范围
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
T
L
T
英镑
3.2
2.5
0.8
0.5
2.9
2.3
0.6
0.4
10
150
260
-55到150
10 S
稳定状态
20
±8
2.9
2.3
0.7
0.4
2.7
2.1
0.5
0.3
WNM2023
单位
V
A
W
A
W
A
°C
°C
°C
热电阻额定值
参数
结至环境热阻
a
结至环境热阻
b
结到外壳热阻
t
≤
10 s
稳定状态
t
≤
10 s
稳定状态
稳定状态
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJC
典型
125
140
150
165
60
最大
150
175
180
210
75
单位
° C / W
a
b
c
d
表面安装在FR4板采用1平方英寸的焊盘尺寸, 1盎司镀铜
表面安装在FR4板采用最小焊盘尺寸, 1盎司镀铜
重复性等级,脉冲宽度有限的结温,叔
p
=为10μs ,占空比= 1 %
重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J
=150°C.
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