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WS57C51C
高速16K
x
8 CMOS PROM / RPROM
主要特点
非常快的访问时间
—
35纳秒
引脚兼容Am27S51
和N82HS1281
免疫闭锁
—
高达200 mA的
低功耗
快速编程
ESD保护超过2000 V
概述
该WS57C51C是一个高性能128K紫外线可擦电重新可编程只读存储器
（ RPROM ） 。它是在先进的CMOS技术，这使得它在双极PROM的操作制
速度，而功耗仅为25 ％，其双极型晶体管所需的功率。
该WS57C51C过双极PROM器件的再一个优点是，它利用了成熟的EPROM中的事实
技术。这使得能够对整个存储器阵列，用于之后的开关特性和功能进行测试
装配。不象不能被擦除的设备，在一个窗口包每WS5751C是100％测试用
前和组装后的最坏情况的测试模式。
该WS57C51C提供低功耗替代它们致力于双极PROM的设计
足迹。这是一个直接的简易替换为相同的体系结构（ 16K ×8 ）的双极PROM 。无需软件，
硬件和布局的变化需要进行。
框图
EPROM阵列
引脚配置
顶视图
芯片载体
A
6
A
7
A
8
A
9
V
CC
A
10
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
8
A6 - A13
ROW
地址
ROW
解码器
CERDIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A10
A11
A12
A13
CS1/VPP
CS2
CS3
CS4
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
131,072 BITS
6
A0 - A5
COLUMN
地址
COLUMN
解码器
SENSE
放大器器
CS1 / V
PP
CS2
CS3
CS4
8
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
O
1
4 3 2
32 31 30
1
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
O
2
NC
GND
A
12
A
13
CS1/V
PP
CS2
CS3
CS4
NC
O
7
O
6
O
3
NC
4
O
5
输出
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
CS到输出有效时间（最大值）
57C51C-35
35纳秒
20纳秒
57C51C-45
45纳秒
20纳秒
57C51C-55
55纳秒
25纳秒
57C51C-70
70纳秒
30纳秒
返回到主菜单
2-47
WS57C51C
绝对最大额定值*
储存温度............................- 65 °至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面....................................- 0.6V至+ 7V
V
PP
相对于地面...................- 0.6V至+ 14V
ESD保护................................................ ..
＆ GT ;
2000V
模式选择
引脚
CS1/
模式
读
产量
关闭
产量
关闭
产量
关闭
产量
关闭
节目
节目
VERIFY
VPP CS2 CS3 CS4 V
CC
输出
V
IL
V
IH
X
X
X
V
PP
V
IL
V
IL
X
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
X
X
V
IH
V
IL
X
X
X
V
IH
X
V
IL
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
D
OUT
高Z
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
*
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在这个业务部门的说明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
极限条件下的长时间
时间会影响器件的可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
军事
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
+5V ± 10%
+5V ± 10%
+5V ± 10%
DC读取特性
在整个工作范围。 （见上文）
符号
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
V
CC
工作电流
（ CMOS）的
（注3）
（注3）
I
OL
= 16毫安
I
OH
= -4毫安
V
CC
= 5.5 V ， F = 0兆赫（注1 ） ，
输出不加载
加4毫安/ MHz的交流操作
V
CC
= 5.5 V ， F = 0兆赫（注2 ） ，
输出不加载
加4毫安/ MHz的交流操作
V
IN
= 5.5V或GND
V
OUT
= 5.5 V或GND
Comm'l
产业
军事
Comm'l
产业
军事
–10
–10
2.4
30
35
35
50
60
60
10
10
测试条件
民
–0.1
2.0
最大
0.8
V
CC
+ 0.3
0.4
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
CC1
I
CC2
V
CC
工作电流
（ TTL）的
输入漏
当前
输出漏
当前
I
LI
I
LO
注意事项：
1. CMOS输入： GND ± 0.3V或V
CC
± 0.3V.
2. TTL输入： V
IL
≤
0.8V, V
IH
≥
2.0V.
3.这是绝对的电压相对于设备的接地引脚，包括所有因系统和/或测试噪音过冲。
不要尝试没有合适的设备来测试这些值。
2-48
WS57C51C
AC阅读特点
在整个工作范围。 （见上文）
参数
符号
57C51C-35
民
最大
57C51C-45
民
最大
57C51C-55
民
最大
57C51C-70
民
最大
单位
地址输出延迟
CS到输出延迟
输出禁止以
输出的浮动
*
地址输出保持
t
加
t
CS
t
DF
t
OH
0
35
20
20
0
45
20
20
0
55
25
25
0
70
30
25
ns
*
采样，未经100％测试。
AC读取时序图
地址
有效
t
加
t
OH
CSX ， CS3
t
CS
输出
有效
t
DF
2-49
WS57C51C
电容
(4)
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
符号
C
IN
C
OUT
C
VPP
参数
输入电容
输出电容
V
PP
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
V
PP
= 0 V
典型值
(5)
4
8
18
最大
6
12
25
单位
pF
pF
pF
注意事项：
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.Typical数值为T
A
= 25 ° C和标称电源电压。
测试负载
（高阻抗测试系统）
交流测试输入/输出波形
98
2.01 V
D.U.T.
3.0
1.5
30 pF的
（包括SCOPE
，夹具
电容）
0.0
TEST
要点
1.5
AC测试输入驱动的3.0 V的逻辑"1"和0.0 V
对于逻辑"0."定时测量是在1.5 V的制作
输入和输出的转换在两个方向上。
注意：
6.提供充分的去耦电容尽可能靠近该器件，从而实现所公布的AC和DC参数。
一个0.1微法的电容并联一个0.01微法的电容器连接V之间
CC
并推荐地。
去耦不足可能会导致访问时间降解或其它瞬态性能故障。
2-50
WS57C51C
归一化电源电流
与
电源电压
1.60
40.0
35.0
1.40
30.0
归一化我
CC
DELTA吨
aa
（纳秒）
1.20
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.60
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
电源电压（ V）
0.0
典型的访问时间更改
与
输出负载
1.00
0.80
0.0
200
400
600
800
1000
电容（ pF）的
归一化TAA
与
环境温度
1.6
1.2
归一化电源电流
与
环境温度
1.4
1.1
归一吨
aa
1.2
归一化我
CC
1.0
1.0
0.9
0.8
0.6
-55 -35 -15
5
25
45
65
85
105 125
环境温度（ ° C）
0.8
-55 -35 -15
5
25
45
65
85
105 125
环境温度（ ℃）
2-51
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