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W39L040
512K
×
8 CMOS FLASH MEMORY
1.概述
该W39L040是4Mbit的, 3.3伏的CMOS只快闪记忆体组织为512K
×
8位。对于柔性
擦除能力,数据的4Mbits被分成64K字节8均匀的扇区,分别为
由16个较小的偶数页具有4千字节。该字节宽( × 8 )的数据显示在DQ7
DQ0.
该装置可被编程和擦除的在系统与标准的3.3V电源。一个12伏
V
PP
不是必需的。的W39L040导致快速的程序独特的单元架构/擦除
极低的电流消耗操作(相对于其他可比3.3伏闪光
内存产品) 。该设备还可以被编程,并通过使用标准EPROM擦除
程序员。
2.特点
单3.3伏操作
3.3伏读
3.3伏的擦除
3.3伏计划
硬件保护:
可选16K字节或64K字节的顶部/底部
与闭锁保护引导块
快速的程序操作:
逐字节编程: 50
S
( MAX 。 )
快速擦除操作:
芯片擦除周期时间: 100 ms(最大值)
扇区擦除周期时间: 25 ms(最大值)
页擦除周期时间: 25 ms(最大值)
灵活的4K页的大小可以被用作
参数块
典型的编程/擦除周期: 1K / 10K
二十年的数据保留
低功耗
工作电流10 mA(典型值)
待机电流: 2
A
(典型值)。
节目结束检测
读访问时间: 70/90纳秒
8连64K字节扇区每一个,这是
与4K字节组成的16灵活的页面
任何单个部门或页面可擦除
软件方法:切换位/数据查询
TTL兼容的I / O
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包: 32L PLCC , TSOP 32L ( 8×
20毫米)和32L STSOP (8× 14毫米)
-1-
出版日期: 2003年2月10日
修订A3
W39L040
3.引脚配置
4.框图
V
DD
V
SS
A
1
2
4
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 15 16 17 18 19 20
D
Q
1
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Q
2
A
1
5
3
A
1
6
2
A
1
8
1
V
D
D
#
W
E
A
1
7
#CE
#OE
#WE
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
DQ7
控制
产量
卜FF器
DQ0
.
.
DQ7
32 31 30
32L PLCC
A0
.
.
A18
解码器
CORE
ARRAY
V
D
S
Q
S
3
D
Q
4
D
Q
5
D
Q
6
A11
A9
A8
A13
A14
A17
#WE
V
DD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
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5
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16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32L TSOP & STSOP
#OE
A10
#CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
5.引脚说明
符号
A0
A18
DQ0
DQ7
#CE
#OE
#WE
V
DD
V
SS
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
-2-
W39L040
6.功能描述
设备总线操作
读取模式
该W39L040的读操作是由#CE和#OE ,这两者都必须为低电平控制
主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时,芯片
被取消选择,并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制,并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻状态时,无论#CE或#OE是
高。参考定时波形的进一步细节。
写模式
设备擦除和编程都通过命令寄存器来实现的。的内容
寄存器作为输入,内部状态机。状态机输出规定的功能
该装置。
命令寄存器本身不占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是一个
锁存器,用于存储指令,以及执行所需要的地址和数据信息
命令。命令寄存器写入通过将#WE为逻辑低电平状态,而#CE为逻辑
低的状态, #OE为逻辑高电平状态。地址锁存#WE或#CE的下降沿,
以较迟者为准情况;而数据被锁存#WE或#CE的上升沿,取两者发生
第一。标准的微处理器写定时被使用。
请参见AC写特性和擦除/编程波形的具体时间
参数。
待机模式
有两种实现W39L040设备在备用模式时,两者都使用#CE销方式。
一种CMOS待机模式实现了与
在V举行#CE输入
DD
±0.3V.
在这种条件下的电流
典型地降低至小于15
A
(最大值)。一个TTL待机模式实现了与举行#CE销
在V
IH
.
在这种条件下的电流一般会降低至2 mA (最大值)。
在待机模式下的输出处于高阻抗状态,独立于#OE输入的。
输出禁止模式
以在逻辑高电平的#OE输入(Ⅴ
IH
) ,从设备输出被禁止。这将导致
输出引脚为高阻抗状态。
自动选择模式
所述自动选择模式中,允许从设备中二进制码的读取,并将确定其
制造商和型号。此模式适用于使用由编程设备为目的
自动匹配设备以与其相应的规划算法来编程。
此模式是功能在器件的整个温度范围内。
以激活此模式中,编程设备必须迫使V
ID
( 11.5V至12.5V )地址引脚
A9 。两个标识符字节然后可从该装置的输出由来自切换地址A0测序
V
IL
到V
IH
。所有的地址都不用管它,除了A0和A1 (见"Auto选Codes" ) 。
出版日期: 2003年2月10日
修订A3
-3-
W39L040
的制造商,设备代码,也可以通过指令寄存器读,例如,当
该W39L040被删除或不使用高电压的引脚A9在系统编程。该
命令序列,则说明"Auto选Codes" 。
字节0 ( A0 = V
IL
)代表制造商代码(华邦= DAH )和字节1 ( A0 = V
IH
)的
设备识别码( W39L040 = B6hex ) 。所有标识为制造商和设备将展出奇
平价DQ7定义为奇偶校验位。为了读取正确的装置执行的代码时,
自动选择, A1必须是低的状态。
数据保护
该W39L040的目的是提供保护,防止意外删除或编程引起的
系统杂散电平信号,可能会在电源转换存在。上电时器件
在阅读模式下自动复位内部状态机。另外,对于其控制寄存器
体系结构,变更的存储内容仅发生成功完成特定的后
多总线周期的命令序列。该器件还集成了多项功能以防止
从V造成无意的写周期
DD
上电和掉电转换或系统噪声。
引导块操作
有四种备选设置引导块。在顶部/底部或者16K字节或64K字节
此装置的位置可以被锁定为引导块,其可被用于存储引导代码。这是
位于最后的16K / 64K字节或第16K / 64K字节的地址范围从存储的
7C000 / 70000 (十六进制)到7FFFF (十六进制)用于顶部位置或00000 (十六进制)到03FFF / 0FFFF (十六进制)为底
位置。
请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置
数据为指定的块不能被擦除或编程(编程锁定) ,其它存储器
位置可以通过常规的编程方法来改变。
为了检测所述引导块的特征是否被设置在第一/最后的16K / 64K字节块或没有,
用户可以执行软件命令序列:输入产品识别方式(见
命令代码的识别/引导块锁定检测特定的代码) ,然后读
从地址0002 (十六进制)为第(底部)位置或7FFF2 (十六进制) ,去年(顶部)的位置。如果DQ0 / DQ1
输出数据为"0 / 1,"的16K字节的引导块编程锁定功能将被激活;如果
输出数据DQ0 / DQ1为"1 / 1,"的64K字节的引导块编程锁定功能将
激活。如果输出数据的DQ0 / DQ1是"0 / 0,"为16K / 64K字节的引导块,所述锁定
功能将被灭活和块可被擦除/编程。
返回到正常操作时,执行一个3字节的命令序列(或备用的单字节
命令)退出的识别模式。对于特定的代码,请参阅命令代码
识别/引导块锁定检测。
V
DD
抑制
以避免在V的写周期开始
DD
上电和掉电时, W39L040锁定了
当V
DD
< 2.0V (见电压DC特性部分) 。的写入和读出操作是
抑制当V
DD
小于2.0V典型。该W39L040忽略所有写和读操作,直到
V
DD
> 2,0V 。用户必须确保控制引脚处于正确的逻辑状态时, V
DD
& GT ; 2.0V
防止无意识。
写脉冲"GLITCH"保护
小于10纳秒(典型值)的#OE , #CE ,或#WE噪声脉冲不会启动写周期。
-4-
W39L040
逻辑INHIBIT
写作是由持有#OE = V任何一个抑制
IL
, #CE = V
IH
或#WE = V
IH
。要启动一个写周期
#CE和#WE必须是逻辑零而#OE是一个逻辑1 。
电时写入和读取禁止
上电设备与#WE = #CE = V
IL
和#OE = V
IH
不接受的命令上涨
#WE除了延时5ms的边缘(参见AC特性上电时序)。内部状态
机器会自动复位到上电时读取模式。
命令德网络nitions
设备操作由写入特定的地址和数据序列进入命令选择
注册。在不当的顺序书写不正确的地址和数据值或写他们将重置
该装置所读取的模式。 "Command Definitions"定义了有效的寄存器命令序列。
读命令
设备会自动开机,在读状态。在这种情况下,一个命令序列是不
读数据所需的。标准的微处理器读周期将获取数组数据。此默认值
保证了内存的内容没有虚假变更的权力转移过程中发生。
会自动返回该器件完成一个嵌入式程序后,读取状态或
嵌入式擦除算法。
请参阅AC阅读特点和波形的具体时间参数。
自动选择命令
闪速存储器被设计用于在应用中的本地CPU可改变存储器的内容。
因此,虽然该设备驻留在目标制造和设备代码必须能够访问
系统。 PROM编程器通常通过提高A9到高电压接入签名代码。
然而,复用高电压到地址线一般不是一个理想的系统设计
实践中。
该器件包含一个自动选择命令的操作来补充传统的PROM编程
方法论。通过写自动选择命令序列到启动操作
命令寄存器。下面的命令写入,从地址XX00H一个读周期检索
制造DAH代码。从地址XX01H读周期返回的设备代码( W39L040 =
B6hex).
要终止运作,就必须编写自动选择退出命令序列进
注册。
字节的程序命令
该设备被编程在逐字节的基础。编程为四个总线周期操作。该
程序指令序列是通过写2 "unlock"写周期开始,随后程序
设置命令。程序地址和下一个被写入的数据,这又引发了嵌入式
程序算法。地址锁存#CE或#WE的下降沿,发生者为准
随后,数据被锁存#CE或#WE的上升沿,先发生者为准。上升
#CE或#WE的边缘(先发生者为准)开始使用嵌入式程序编程
出版日期: 2003年2月10日
修订A3
-5-
W39L040
512K
×
8 CMOS FLASH MEMORY
1.概述
该W39L040是4Mbit的, 3.3伏的CMOS只快闪记忆体组织为512K
×
8位。对于柔性
擦除能力,数据的4Mbits被分成64K字节8均匀的扇区,分别为
由16个较小的偶数页具有4千字节。该字节宽( × 8 )的数据显示在DQ7
DQ0.
该装置可被编程和擦除的在系统与标准的3.3V电源。一个12伏
V
PP
不是必需的。的W39L040导致快速的程序独特的单元架构/擦除
极低的电流消耗操作(相对于其他可比3.3伏闪光
内存产品) 。该设备还可以被编程,并通过使用标准EPROM擦除
程序员。
2.特点
单3.3伏操作
3.3伏读
3.3伏的擦除
3.3伏计划
硬件保护:
可选16K字节或64K字节的顶部/底部
与闭锁保护引导块
快速的程序操作:
逐字节编程: 50
S
( MAX 。 )
快速擦除操作:
芯片擦除周期时间: 100 ms(最大值)
扇区擦除周期时间: 25 ms(最大值)
页擦除周期时间: 25 ms(最大值)
灵活的4K页的大小可以被用作
参数块
典型的编程/擦除周期: 1K / 10K
二十年的数据保留
低功耗
工作电流10 mA(典型值)
待机电流: 2
A
(典型值)。
节目结束检测
读访问时间: 70/90纳秒
8连64K字节扇区每一个,这是
与4K字节组成的16灵活的页面
任何单个部门或页面可擦除
软件方法:切换位/数据查询
TTL兼容的I / O
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包: 32L PLCC , TSOP 32L ( 8×
20毫米)和32L STSOP (8× 14毫米)
-1-
出版日期: 2003年2月10日
修订A3
W39L040
3.引脚配置
4.框图
V
DD
V
SS
A
1
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A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
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14 15 16 17 18 19 20
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1
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2
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1
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1
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V
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#
W
E
A
1
7
#CE
#OE
#WE
29
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26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
#OE
A10
#CE
DQ7
控制
产量
卜FF器
DQ0
.
.
DQ7
32 31 30
32L PLCC
A0
.
.
A18
解码器
CORE
ARRAY
V
D
S
Q
S
3
D
Q
4
D
Q
5
D
Q
6
A11
A9
A8
A13
A14
A17
#WE
V
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A18
A16
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A12
A7
A6
A5
A4
1
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27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32L TSOP & STSOP
#OE
A10
#CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
V SS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
5.引脚说明
符号
A0
A18
DQ0
DQ7
#CE
#OE
#WE
V
DD
V
SS
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
-2-
W39L040
6.功能描述
设备总线操作
读取模式
该W39L040的读操作是由#CE和#OE ,这两者都必须为低电平控制
主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时,芯片
被取消选择,并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制,并用于
从门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻状态时,无论#CE或#OE是
高。参考定时波形的进一步细节。
写模式
设备擦除和编程都通过命令寄存器来实现的。的内容
寄存器作为输入,内部状态机。状态机输出规定的功能
该装置。
命令寄存器本身不占用任何可寻址的内存位置。该寄存器是一个
锁存器,用于存储指令,以及执行所需要的地址和数据信息
命令。命令寄存器写入通过将#WE为逻辑低电平状态,而#CE为逻辑
低的状态, #OE为逻辑高电平状态。地址锁存#WE或#CE的下降沿,
以较迟者为准情况;而数据被锁存#WE或#CE的上升沿,取两者发生
第一。标准的微处理器写定时被使用。
请参见AC写特性和擦除/编程波形的具体时间
参数。
待机模式
有两种实现W39L040设备在备用模式时,两者都使用#CE销方式。
一种CMOS待机模式实现了与
在V举行#CE输入
DD
±0.3V.
在这种条件下的电流
典型地降低至小于15
A
(最大值)。一个TTL待机模式实现了与举行#CE销
在V
IH
.
在这种条件下的电流一般会降低至2 mA (最大值)。
在待机模式下的输出处于高阻抗状态,独立于#OE输入的。
输出禁止模式
以在逻辑高电平的#OE输入(Ⅴ
IH
) ,从设备输出被禁止。这将导致
输出引脚为高阻抗状态。
自动选择模式
所述自动选择模式中,允许从设备中二进制码的读取,并将确定其
制造商和型号。此模式适用于使用由编程设备为目的
自动匹配设备以与其相应的规划算法来编程。
此模式是功能在器件的整个温度范围内。
以激活此模式中,编程设备必须迫使V
ID
( 11.5V至12.5V )地址引脚
A9 。两个标识符字节然后可从该装置的输出由来自切换地址A0测序
V
IL
到V
IH
。所有的地址都不用管它,除了A0和A1 (见"Auto选Codes" ) 。
出版日期: 2003年2月10日
修订A3
-3-
W39L040
的制造商,设备代码,也可以通过指令寄存器读,例如,当
该W39L040被删除或不使用高电压的引脚A9在系统编程。该
命令序列,则说明"Auto选Codes" 。
字节0 ( A0 = V
IL
)代表制造商代码(华邦= DAH )和字节1 ( A0 = V
IH
)的
设备识别码( W39L040 = B6hex ) 。所有标识为制造商和设备将展出奇
平价DQ7定义为奇偶校验位。为了读取正确的装置执行的代码时,
自动选择, A1必须是低的状态。
数据保护
该W39L040的目的是提供保护,防止意外删除或编程引起的
系统杂散电平信号,可能会在电源转换存在。上电时器件
在阅读模式下自动复位内部状态机。另外,对于其控制寄存器
体系结构,变更的存储内容仅发生成功完成特定的后
多总线周期的命令序列。该器件还集成了多项功能以防止
从V造成无意的写周期
DD
上电和掉电转换或系统噪声。
引导块操作
有四种备选设置引导块。在顶部/底部或者16K字节或64K字节
此装置的位置可以被锁定为引导块,其可被用于存储引导代码。这是
位于最后的16K / 64K字节或第16K / 64K字节的地址范围从存储的
7C000 / 70000 (十六进制)到7FFFF (十六进制)用于顶部位置或00000 (十六进制)到03FFF / 0FFFF (十六进制)为底
位置。
请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置
数据为指定的块不能被擦除或编程(编程锁定) ,其它存储器
位置可以通过常规的编程方法来改变。
为了检测所述引导块的特征是否被设置在第一/最后的16K / 64K字节块或没有,
用户可以执行软件命令序列:输入产品识别方式(见
命令代码的识别/引导块锁定检测特定的代码) ,然后读
从地址0002 (十六进制)为第(底部)位置或7FFF2 (十六进制) ,去年(顶部)的位置。如果DQ0 / DQ1
输出数据为"0 / 1,"的16K字节的引导块编程锁定功能将被激活;如果
输出数据DQ0 / DQ1为"1 / 1,"的64K字节的引导块编程锁定功能将
激活。如果输出数据的DQ0 / DQ1是"0 / 0,"为16K / 64K字节的引导块,所述锁定
功能将被灭活和块可被擦除/编程。
返回到正常操作时,执行一个3字节的命令序列(或备用的单字节
命令)退出的识别模式。对于特定的代码,请参阅命令代码
识别/引导块锁定检测。
V
DD
抑制
以避免在V的写周期开始
DD
上电和掉电时, W39L040锁定了
当V
DD
< 2.0V (见电压DC特性部分) 。的写入和读出操作是
抑制当V
DD
小于2.0V典型。该W39L040忽略所有写和读操作,直到
V
DD
> 2,0V 。用户必须确保控制引脚处于正确的逻辑状态时, V
DD
& GT ; 2.0V
防止无意识。
写脉冲"GLITCH"保护
小于10纳秒(典型值)的#OE , #CE ,或#WE噪声脉冲不会启动写周期。
-4-
W39L040
逻辑INHIBIT
写作是由持有#OE = V任何一个抑制
IL
, #CE = V
IH
或#WE = V
IH
。要启动一个写周期
#CE和#WE必须是逻辑零而#OE是一个逻辑1 。
电时写入和读取禁止
上电设备与#WE = #CE = V
IL
和#OE = V
IH
不接受的命令上涨
#WE除了延时5ms的边缘(参见AC特性上电时序)。内部状态
机器会自动复位到上电时读取模式。
命令德网络nitions
设备操作由写入特定的地址和数据序列进入命令选择
注册。在不当的顺序书写不正确的地址和数据值或写他们将重置
该装置所读取的模式。 "Command Definitions"定义了有效的寄存器命令序列。
读命令
设备会自动开机,在读状态。在这种情况下,一个命令序列是不
读数据所需的。标准的微处理器读周期将获取数组数据。此默认值
保证了内存的内容没有虚假变更的权力转移过程中发生。
会自动返回该器件完成一个嵌入式程序后,读取状态或
嵌入式擦除算法。
请参阅AC阅读特点和波形的具体时间参数。
自动选择命令
闪速存储器被设计用于在应用中的本地CPU可改变存储器的内容。
因此,虽然该设备驻留在目标制造和设备代码必须能够访问
系统。 PROM编程器通常通过提高A9到高电压接入签名代码。
然而,复用高电压到地址线一般不是一个理想的系统设计
实践中。
该器件包含一个自动选择命令的操作来补充传统的PROM编程
方法论。通过写自动选择命令序列到启动操作
命令寄存器。下面的命令写入,从地址XX00H一个读周期检索
制造DAH代码。从地址XX01H读周期返回的设备代码( W39L040 =
B6hex).
要终止运作,就必须编写自动选择退出命令序列进
注册。
字节的程序命令
该设备被编程在逐字节的基础。编程为四个总线周期操作。该
程序指令序列是通过写2 "unlock"写周期开始,随后程序
设置命令。程序地址和下一个被写入的数据,这又引发了嵌入式
程序算法。地址锁存#CE或#WE的下降沿,发生者为准
随后,数据被锁存#CE或#WE的上升沿,先发生者为准。上升
#CE或#WE的边缘(先发生者为准)开始使用嵌入式程序编程
出版日期: 2003年2月10日
修订A3
-5-
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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