怀特电子设计
512Kx32 SRAM模块， SMD 5962-94611
特点
!
!
15 * ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns存取时间
包装
66针， PGA类型， 1.075"广场，密封
陶瓷HIP （ 400包） 。
68铅， 40毫米密封薄型CQFP ，
3.5毫米（ 0.140" ） （ 502包）
1
68铅，密封CQFP （ G2U ） ， 22.4毫米
（ 0.880 ＆ QUOT ; ）广场（ 510包） 3.56毫米
（ 0.140 ＆ QUOT ; ）的高度。
68铅，密封CQFP （ G2L ） ， 22.4毫米
（ 0.880 ＆ QUOT ; ）广场， 5.08毫米（ 0.200 ＆ QUOT ; ）高
（ 528包） 。
!
!
!
!
!
WS512K32-XXX
TTL兼容的输入和输出
5伏电源
低功耗CMOS
内置的去耦电容和地面多
引脚低噪音运行
重量
WS512K32N - XH1X - 13克典型
WS512K32 - XG2UX - 8克典型
WS512K32-XG4TX
1
- 20克典型
WS512K32 - XG2LX - 8克典型
!
!
组织为512Kx32 ，用户刀豆网络可配置为
1Mx16或2Mx8
商用，工业和军用温度
范围
*仅适用于商业和工业15ns的存取时间
温度。这个速度是不充分的特点，并且受
更改，恕不另行通知。
注1 ：套餐不建议用于新设计
图。 1
引脚配置WS512K32N ， XH1X
T
OP
V
IEW
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
B
LOCK
D
IAGRAM
2003年12月13牧师
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
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图。 2
引脚配置WS512K32 ， XG4TX
1
T
OP
V
IEW
WS512K32-XXX
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
A
0-18
WE
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
B
LOCK
D
IAGRAM
注1 ：套餐不建议用于新设计
图。 3
引脚配置WS512K32 - XG2UX和WS512K32 ， XG2LX
T
OP
V
IEW
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
B
LOCK
D
IAGRAM
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
2
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A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
Vcc+0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
CS
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
WS512K32-XXX
T
RUTH
T
ABLE
模式
待机
读
输出禁用
写
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
R
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（ MIL）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
-0.5
-55
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
单位
V
V
V
°C
参数
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G4T
CQFP G2U / G2L
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
C
APACITANCE
(T
A
= +25°C)
符号
C
OE
C
WE
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
50
20
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
最大单位
50
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC
极特
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC ×32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
民
V
CC
= 5.5, V
IN
= G
ND
到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安15 - 为35ns ，
I
OL
= 2.1毫安45 - 55ns ， VCC = 4.5
I
OH
= -4.0mA 15 - 为35ns ，
I
OH
= -1.0mA 45 - 55ns ， VCC = 4.5
2.4
最大
10
10
660
80
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
D
ATA
R
ETENTION
C
极特
(T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
数据保持电源电压
数据保持电流
低功耗数据保持
电流（ WS512K32L -XXX ）
符号
V
DR
I
CCDR1
I
CCDR2
条件
民
CS
≥
V
CC
0.2V
V
CC
= 3V
V
CC
= 3V
2.0
最大
5.5
28
16
V
mA
mA
单位
3
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AC - C
极特
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
TRC
TAA
TOH
TACS
TOE
TCLZ
1
TOLZ
1
1
1
WS512K32-XXX
符号
-15*
民
15
15
0
15
8
2
0
12
12
2
0
0
最大
-17
民
17
17
0
17
9
2
0
12
12
最大
-20
民
20
20
0
20
10
2
0
12
12
最大
-25
民
25
25
0
25
12
4
0
12
12
最大
-35
民
35
35
0
35
25
4
0
15
15
最大
-45
民
45
45
0
45
25
4
0
20
20
最大
-55
民
55
55
55
25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
20
ns
ns
TCHZ
tOHZ
*仅适用于商业和工业温度15ns的存取时间。这个速度是不充分的特点，并须改变
恕不另行通知。
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC - C
极特
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
t
W C
t
C宽
t
AW
t
W
t
WP
t
AS
t
AH
t
O w制备
1
符号
-15*
民
15
13
13
10
13
2
0
2
8
0
0
最大
-17
民
17
15
15
11
15
2
0
2
9
0
最大
-20
民
20
15
15
12
15
2
0
3
11
0
最大
-25
民
25
17
17
13
17
2
0
4
13
0
最大
民
35
25
25
20
25
2
0
4
-35
最大
-45
民
45
35
35
25
35
2
5
5
最大
-55
最小最大
55
50
50
25
40
2
5
5
20
20
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WHZ
1
t
DH
15
0
*仅适用于商业和工业温度15ns的存取时间。这个速度是不充分的特点，并须改变
恕不另行通知。
1.此参数由设计保证，但未经测试。
2.最小为2ns的地址建立时间是在G2U ， G1U和H1包。吨
AS
最低为G4T包是为0ns 。
图。 4
AC测试电路
参数
AC牛逼
美东时间
C
ONDITIONS
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75 ½.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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4
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图。五
时序波形 - 读周期
WS512K32-XXX
图。 6
写周期 - 我们控制
图。 7
写周期 - CS控
WS32K32-XHX
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