怀特电子设计
1Mx32 SRAM模块
特点
■
17的访问时间， 20日，为25ns
■
包装
?? 84铅， 28毫米CQFP ， （套餐511 ）
?? 66引脚PGA类型， 1.385"平方，密封胶结
RAMIC HIP
（ 402包） *
■
组织为512Kx32的两家银行，用户
CON连接可配置为2Mx16或4Mx8
*待开发包。
WS1M32-XXX
■
商用，工业和军用温度
范围
■
TTL兼容的输入和输出
■
5伏电源
■
低功耗CMOS
■
内置的去耦电容和地面多
引脚低噪音运行
■
重量
WS1M32 - XH2X * - 13克（典型值）
WS1M32 - XG3X - 20克（典型值）
引脚配置WS1M32 ， XH2X *
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
WE
2
OE
2
GND
I / O
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
CS
1
NC
I / O
3
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
1
A
18
WE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
6
A
7
CS
2
A
8
A
9
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
OE
4
WE
4
I / O
27
A
3
A
4
A
5
WE
3
OE
3
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
0
A
1
A
2
I / O
23
OE
1
宽E
1
引脚说明
56
I / O
0
-
31
A
0-18
WE
1-4
CS
1-2
OE
1-4
V
C
C
GND
N
C
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图
OE
2
宽E
2
OE
3
宽E
3
OE
4
宽E
4
I / O
22
I / O
21
I / O
20
66
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
CS
1
A
0-18
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
2M
8
512K X
x 8
2M
512K
x 8
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
CS
2
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
注： CS
1
& CS
2
作为银行的选择
2002年7月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
引脚配置WS1M32 ， XG3X
顶视图
GND
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
I / O
27
I / O
26
I / O
25
I / O
24
NC
NC
NC
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
I / O
19
I / O
18
I / O
17
I / O
16
V
CC
WS1M32-XXX
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
GND
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
WE
4
WE
3
WE
2
WE
1
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
V
CC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
输出使
电源
地
没有连接
11
10
9
8 7 6 5 4 3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
V
CC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
OE
1
OE
2
OE
3
OE
4
NC
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
GND
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34 35 36
37
38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
8
8
CS
1-2
OE
1-4
V
CC
GND
N
C
框图
OE
1
宽E
1
OE
2
宽E
2
OE
3
宽E
3
OE
4
宽E
4
CS
1
A
0-18
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
2M
8
512K X
x 8
2M
512K
x 8
512K ×8
512K ×8
8
8
V
CC
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CS
1
NC
CS
2
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
CS
2
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
注： CS
1
& CS
2
作为银行的选择
1.146"
该WEDC 84领先G3 CQFP填写
作为同样的配合和功能
JEDEC 84领先CQFJ或84
PLCC 。但G3拥有TCE
铅检测的优势
在CQFP形式。
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
2
怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
VCC + 0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
参数
OE
1-4
电容
WE
1-4
电容
CS
1-2
电容
数据I / O容量
地址输入电容
WS1M32-XXX
电容
(T
A
=+25°C)
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大单位
30
30
30
30
75
pF
pF
pF
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（ MIL）
工作温度（工业级）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
2.2
-0.5
-55
-40
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
°C
°C
此参数由设计保证，但未经测试。
真值表
CS
1
H
L
L
L
H
H
H
L
CS
2
H
H
H
H
L
L
L
L
OE
X
L
H
X
L
H
X
X
WE
X
H
H
L
H
H
L
X
模式
数据I / O
动力
待机
高Z
待机
读
数据输出
活跃
输出禁用
高Z
活跃
写
DATA IN
活跃
读
数据输出
活跃
输出禁用
高Z
活跃
写
DATA IN
活跃
无效状态无效状态无效状态
DC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC ×32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= G
ND
到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安， VCC = 4.5
I
OH
= -4.0mA ， VCC = 4.5
2.4
民
最大
10
10
720
120
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
AC特性
(V
CC
=5.0V,GND=0V,T
A
=-55°Cto+125°C)
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
WS1M32-XXX
符号
民
17
-17
最大
17
0
17
10
2
0
12
12
2
0
0
民
20
-20
最大
20
0
20
10
2
0
12
12
民
25
-25
最大
单位
ns
25
25
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC特性
(V
CC
=5.0V,GND=0V,T
A
=-55°Cto+125°C)
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
0
符号
民
17
15
15
11
15
2
0
2
9
0
-17
最大
民
20
15
15
12
15
2
0
3
11
0
-20
最大
民
25
17
17
13
17
2
0
4
13
-25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
W
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
4
怀特电子设计
时序波形 - 读周期
t
RC
地址
WS1M32-XXX
t
AA
CS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
OE
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
写周期 - 我们控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
写周期 - CS控
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
CW
t
AH
t
AS
CS
t
AW
t
WP
WE
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， CS控
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
1Mx32 SRAM模块
特点
■
17的访问时间， 20日，为25ns
■
包装
?? 84铅， 28毫米CQFP ， （套餐511 ）
?? 66引脚PGA类型， 1.385"平方，密封胶结
RAMIC HIP
（ 402包） *
■
组织为512Kx32的两家银行，用户
CON连接可配置为2Mx16或4Mx8
*待开发包。
WS1M32-XXX
■
商用，工业和军用温度
范围
■
TTL兼容的输入和输出
■
5伏电源
■
低功耗CMOS
■
内置的去耦电容和地面多
引脚低噪音运行
■
重量
WS1M32 - XH2X * - 13克（典型值）
WS1M32 - XG3X - 20克（典型值）
引脚配置WS1M32 ， XH2X *
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
WE
2
OE
2
GND
I / O
11
A
10
A
11
A
12
V
CC
CS
1
NC
I / O
3
33
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
1
A
18
WE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
6
A
7
CS
2
A
8
A
9
I / O
16
I / O
17
I / O
18
44
34
V
CC
OE
4
WE
4
I / O
27
A
3
A
4
A
5
WE
3
OE
3
GND
I / O
19
55
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
0
A
1
A
2
I / O
23
OE
1
宽E
1
引脚说明
56
I / O
0
-
31
A
0-18
WE
1-4
CS
1-2
OE
1-4
V
C
C
GND
N
C
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图
OE
2
宽E
2
OE
3
宽E
3
OE
4
宽E
4
I / O
22
I / O
21
I / O
20
66
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
CS
1
A
0-18
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
2M
8
512K X
x 8
2M
512K
x 8
512K ×8
512K ×8
8
8
8
8
CS
2
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
注： CS
1
& CS
2
作为银行的选择
2002年7月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
引脚配置WS1M32 ， XG3X
顶视图
GND
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
I / O
27
I / O
26
I / O
25
I / O
24
NC
NC
NC
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
I / O
19
I / O
18
I / O
17
I / O
16
V
CC
WS1M32-XXX
引脚说明
I / O
0-31
A
0-18
WE
1-4
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
GND
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
WE
4
WE
3
WE
2
WE
1
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
V
CC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
输出使
电源
地
没有连接
11
10
9
8 7 6 5 4 3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
V
CC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
OE
1
OE
2
OE
3
OE
4
NC
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
GND
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34 35 36
37
38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
8
8
CS
1-2
OE
1-4
V
CC
GND
N
C
框图
OE
1
宽E
1
OE
2
宽E
2
OE
3
宽E
3
OE
4
宽E
4
CS
1
A
0-18
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
2M
8
512K X
x 8
2M
512K
x 8
512K ×8
512K ×8
8
8
V
CC
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CS
1
NC
CS
2
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
CS
2
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
注： CS
1
& CS
2
作为银行的选择
1.146"
该WEDC 84领先G3 CQFP填写
作为同样的配合和功能
JEDEC 84领先CQFJ或84
PLCC 。但G3拥有TCE
铅检测的优势
在CQFP形式。
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2
怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-0.5
民
-55
-65
-0.5
最大
+125
+150
VCC + 0.5
150
7.0
单位
°C
°C
V
°C
V
参数
OE
1-4
电容
WE
1-4
电容
CS
1-2
电容
数据I / O容量
地址输入电容
WS1M32-XXX
电容
(T
A
=+25°C)
符号
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
最大单位
30
30
30
30
75
pF
pF
pF
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度（ MIL）
工作温度（工业级）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
2.2
-0.5
-55
-40
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
°C
°C
此参数由设计保证，但未经测试。
真值表
CS
1
H
L
L
L
H
H
H
L
CS
2
H
H
H
H
L
L
L
L
OE
X
L
H
X
L
H
X
X
WE
X
H
H
L
H
H
L
X
模式
数据I / O
动力
待机
高Z
待机
读
数据输出
活跃
输出禁用
高Z
活跃
写
DATA IN
活跃
读
数据输出
活跃
输出禁用
高Z
活跃
写
DATA IN
活跃
无效状态无效状态无效状态
DC特性
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
待机电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC ×32
I
SB
V
OL
V
OH
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= G
ND
到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安， VCC = 4.5
I
OH
= -4.0mA ， VCC = 4.5
2.4
民
最大
10
10
720
120
0.4
单位
A
A
mA
mA
V
V
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
3
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怀特电子设计
AC特性
(V
CC
=5.0V,GND=0V,T
A
=-55°Cto+125°C)
参数
读周期
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
1
t
CHZ
1
t
OHZ
1
WS1M32-XXX
符号
民
17
-17
最大
17
0
17
10
2
0
12
12
2
0
0
民
20
-20
最大
20
0
20
10
2
0
12
12
民
25
-25
最大
单位
ns
25
25
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
ns
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC特性
(V
CC
=5.0V,GND=0V,T
A
=-55°Cto+125°C)
参数
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
t
WHZ
1
t
DH
0
符号
民
17
15
15
11
15
2
0
2
9
0
-17
最大
民
20
15
15
12
15
2
0
3
11
0
-20
最大
民
25
17
17
13
17
2
0
4
13
-25
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
输出时序参考电平
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
W
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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怀特电子设计
时序波形 - 读周期
t
RC
地址
WS1M32-XXX
t
AA
CS
t
RC
地址
t
ACS
t
CLZ
OE
t
CHZ
t
AA
t
OH
数据I / O
以前的数据有效
数据有效
t
OE
t
OLZ
数据I / O
高阻抗
t
OHZ
数据有效
读周期1 （ CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
读周期2 （WE = V
IH
)
写周期 - 我们控制
t
WC
地址
t
AW
t
CW
CS
t
AH
t
AS
WE
t
WP
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
数据I / O
数据有效
写周期1 ，我们控制
写周期 - CS控
t
WC
地址
WS32K32-XHX
t
CW
t
AH
t
AS
CS
t
AW
t
WP
WE
t
DW
数据I / O
数据有效
t
DH
写周期2 ， CS控
5
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