WE128K32-XXX
128Kx32 EEPROM模块， SMD 5962-94585
特点
s
120 *访问时间， 140 ， 150 ， 200 ， 250 ， 300纳秒
s
包装：
66针， PGA类型， 27.3毫米（ 1.075 ＆ QUOT ; ）广场，密封
陶瓷HIP （ 400包）
68领先， 22.4毫米平方米。 CQFP （ G2T ）
1
， 4.57毫米（ 0.180" ）高，
（ 509包）
68领先， 23.9毫米平方薄型CQFP （ G1U ） ， 3.57毫米
（ 0.140 ＆ QUOT ; ）高， （ 519包）
68领先， 23.9毫米平方薄型CQFP （ G1T ） ， 4.06毫米
（ 0.160" ）高， （ 524包）
s
组织为128Kx32 ;用户可配置为256Kx16或512Kx8
s
擦写次数10,000次
s
数据保留十年最低（ + 25° C）
s
商用，工业和军用温度范围
s
s
s
s
s
s
s
s
低功耗CMOS
自动页写操作
页写周期时间： 10ms以下
数据轮询写入检测结束
硬件和软件数据保护
TTL兼容的输入和输出
5伏电源
内置的去耦电容和多接地引脚为低
噪音运行
s
重量
WE128K32-XG2TX
1
- 8克典型
WE128K32 - XG1UX - 5克典型
WE128K32 - XG1TX - 5克典型
WE128K32 - XH1X - 13克典型
*不适用于SMD产品为120ns
注1 ：套餐不建议用于新设计
图。 1
引脚配置WE128K32N ， XH1X
顶视图
引脚说明
I / O
0-31
数据输入/输出
A
0-16
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图
2001年11月修订版6
1
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WE128K32-XXX
图。 3
引脚配置WE128K32 ， XG2TX
1
， WE128K32 - XG1UX和WE128K32 ， XG1TX
顶视图
引脚说明
I / O
0-31
数据输入/输出
A
0-16
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
白68引CQFP罢了
作为同一配合和功能
JEDEC的68引线CQFJ或
68 PLCC 。但它有三氯乙烯
铅检测的优势
的CQFP形式。
GND
NC
框图
注1 ：套餐不建议用于新设计
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WE128K32-XXX
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
在OE和A9电压
符号
T
A
T
英镑
V
G
-55到+125
-65到+150
-0.6至6.25
-0.6至13.5
单位
°C
°C
V
V
CS
H
L
L
X
X
X
OE
X
L
H
H
X
L
真值表
WE
X
H
L
X
H
X
模式
待机
读
写
输出禁用
写
抑制
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z /数据输出
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
电容
(T
A
= +25°C)
参数
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G2T / G1U / G1T
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号
C
OE
C
WE
条件
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
最大
50
单位
pF
pF
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
°C
°C
此参数由设计保证，但未经测试。
DC特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流×32模式
待机电流
输出低电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CCx32
I
SB
V
OL
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
= 4.5V
2.4
民
最大
10
10
250
2.5
0.45
单位
A
A
mA
mA
V
V
输出高电压
V
OH
I
OH
= -400μA ，V
CC
= 4.5V
注： DC测试条件： V
IH
= V
CC
-0.3V, V
IL
= 0.3V
图。 4
AC测试电路
参数
AC测试条件
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪抗Z
0
= 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
3
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AC写特性
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
写周期参数
写周期时间， TYP = 6ms的
地址建立时间
把脉冲宽度（WE或CS ）
片选建立时间
地址保持时间
数据保持时间
芯片选择保持时间
数据建立时间
输出使能建立时间
输出使能保持时间
写脉冲宽高
符号
t
WC
t
AS
t
WP
t
CS
t
AH
t
DH
t
CSH
t
DS
t
OES
t
OEH
t
WPH
0
150
0
100
10
0
100
10
10
50
民
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写
写周期开始时， OE为高电平和低电平脉冲是在WE
或CS与CS或WE低。地址锁存在下降
去年为准CS的边缘或WE 。该数据通过锁存
CS或WE的上升沿，以先到为准。字节写
操作将自动继续完成。
写周期时序
图5和图6示出了写周期的时序关系。一
写周期开始地址的应用程序，写使能和
片选。片选是通过将CS线完成
低。写使能由设置WE线低。该
写周期开始最后的任政务司司长或WE变为低电平时。
从高分到低分的WE线过渡也启动了
内置150
微秒
延时定时器，允许页面模式操作。
高发生以后每次我们过渡到低
完成了150的前
微秒
超时将重新启动
从零计时器。定时器的操作是一样的
可重触发单稳态。
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图。五
写波形图
我们控制
图。 6
写波形图
CS控
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