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PHOTOTRANSISTOR

WP32P3C

特点

期机械和光谱匹配到

W34系列红外发光LED灯。

水质清澈镜头。

符合RoHS 。

描述

制作与NPN硅光电晶体管的芯片。

包装尺寸

注意事项：

1.所有尺寸为毫米（英寸）。

2.宽容

±0.25(0.01")

除非另有说明。

3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。

4.规格如有变更，恕不另行通知。

规范编号： DSAF0434

批准： J·卢

REV NO： V.1

检查：艾伦刘

日期：二月/二千零五分之二十八

得出： Y.W.WANG

页次：1 2

ERP ： 1101003346

在T电气/光学特性

=25°C

符号

BR CEO

BR ECO

CE （SAT）

首席执行官

参数

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 集电极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极暗电流

上升时间（ 10％ 90％）

下降时间（90％至10％）

分钟。

典型值。

马克斯。

0.8

100

单位

测试条件

=100uA

Ee=0mW/cm

=100uA

Ee=0mW/cm

=2mA

Ee=20mW/cm

=10V

Ee=0mW/cm

= 5V

=1mA

=1000

= 5V

Ee=1mW/cm

λ=940nm

（上）

关于国家集电极电流

0.1

0.5

在T绝对最大额定值

=25°C

参数

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 集电极击穿电压

在（或低于） 25℃自由空气温度功耗

工作温度范围

存储温度范围

无铅焊锡温度（ >5毫米为5秒）

Max.ratings

30V

100mW

-40°C ~ +85°C

260°C

规范编号： DSAF0434

批准： J·卢

REV NO： V.1

检查：艾伦刘

日期：二月/二千零五分之二十八

得出： Y.W.WANG

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ERP ： 1101003346

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