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WFD5N50
5N50
硅N沟道MOSFET
LIC
特点
■ 5A , 500V , RDS ( ON) ( Max1.6Ω ) @ VGS = 10V
■超低栅极电荷(典型值32nC )
快速开关能力
■ 100 %雪崩测试
■最大结温范围( 150 ℃ )
概述
次是电力MO SFET是亲杜CED USI NG赢得é英里的广告车土木工程署
玻璃体条纹, DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有较高的
吕格雪崩甜心克拉呃istics 。该设备是SPE cially好
适用于高效率开关模式电源,功率因数
校正和半桥和全桥谐振拓扑线
电子镇流器。
DPAK
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J,
T
英镑
T
L
结温和存储温度
0.49
-55~150
300
W/℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(注2 )
(注1 )
(注3)
(Note1)
2.9
18
±30
300
7.5
4.5
61
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
P一岭米ETE
TER
价值
ALUE
500
5
加利我TS
V
A
通道
温度
热特性
V UE人
ALUE
SYMB OL
R
QJC
R
QCS
R
qJA
P一RA M等ê
ETE
热阻,结到外壳
热电阻,外壳到散热器
热阻,结到环境
-
-
-
典型值
-
0.5
-
米斧
2.05
-
62.5
℃/W
℃/W
℃/W
ü尼特
NIT
Rev.A的2010年10月
.
版权所有@ Winsemi微电子有限公司,保留所有权利。
WFD5N50
5N50
电气特性( TC = 25 ℃ )
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏截止电流
漏源击穿电压
打破电压温度
系数
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷(栅源
Qg
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )费
QGS
QGD
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
ΔBV
DSS
/
-Tj
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
tf
花花公子
测试条件
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
I
G
= -10 μA ,V
DS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0 V
I
D
=250μA,
25℃
V
DS
= 10 V,I
D
=250 μA
V
GS
= 10 V,I
D
= 2.25A
V
DS
= 40 V,I
D
= 2.25A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=250 V,
I
D
=4.5A
R
G
=25Ω
(Note4,5)
V
DD
= 400 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
=5 A
(Note4,5)
引用
to
-
±30
-
500
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
0.55
-
1.16
4.2
800
16
76
15
40
85
45
32
3.7
15
最大
±100
-
1
-
-
4.5
1.6
-
1050
21
100
40
90
180
100
44
单位
nA
V
μA
V
V/℃
V
Ω
S
pF
ns
-
-
-
nC
-
-
源极 - 漏极额定值和特性(Ta = 25℃)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
-
-
I
DR
= 5A ,V
GS
= 0 V
I
DR
= 5A ,V
GS
= 0 V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
305
2.6
最大
5
18
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
μC
注1.Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
2.L=24mH,I
AS
=5A,V
DD
=50V,R
G
=25Ω,StartingT
J
=25℃
3.I
SD
≤5A ,二/ dt≤300A / US ,V
DD
<BV
DSS
,起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试:脉冲Width≤300us ,职务Cycle≤2 %
5.Essentially独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
.
稳定,让你提前
WFD5N50
5N50
3/7
.
稳定,让你提前
WFD5N50
5N50
图7最大安全作业区
最大
图8最大漏极电流与
MAXI
XIM
Curre
外壳温度
EMP
图9瞬态热响应曲线
ESP
CUR
4/7
稳定,让你提前
.
WFD5N50
5N50
图10门测试电路波形&
图。
EST保监会
图1 1电阻开关测试电路波形&
图。
ESI IVE
itchin
EST保监会
图12松开电感式开关测试电路波形&
图。
工业TIV
ING
中国保监会
5/7
.
稳定,让你提前
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    WFD5N50
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    -
    -
    -
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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WISDOM
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电话:0755-83679110 0755-23125986
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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