WFP70N06
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
Δ
BV
DSS
/
Δ
T
J
I
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
门源泄漏，正向
栅源泄漏，反向
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
I
D
= 250uA ，参考25 ℃下
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V ，T
C
= 125 °C
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10 V，I
D
= 35A
60
-
-
-
-
-
-
0.07
-
-
-
-
-
-
10
100
100
-100
V
V /°C的
uA
uA
nA
nA
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
GSS
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源导通状态电阻
tance
2.0
-
-
0.0125
4.0
0.015
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0 V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
1755
790
155
2280
1030
200
pF
动态特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷（米勒电荷）
V
DS
=48V, V
GS
= 10V ，我
D
=70A
（注4,5）
-
V
DD
= 30V ，我
D
= 35A ，R
G
=25
（注4,5）
25
135
115
105
50
11
18
60
280
240
220
65
-
-
nC
ns
-
-
-
-
-
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
※
笔记
1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2， L = 180uH ，我
AS
= 70A ，V
DD
= 25V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=
25°C
3. I
SD
≤
70A ， di / dt的
≤
300A / us的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
=
25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300US ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立的工作温度。
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 70A ，V
GS
=0V
I
S
= 70A ，V
GS
= 0V ，二
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
60
110
马克斯。
70
280
1.5
-
-
单元。
A
V
ns
uC
版权所有@智半导体公司，保留所有权利。
典型特征
（续）
1.2
2.5
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
1.1
2.0
1.5
1.0
1.0
0.9
※
注意事项：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 A
0.5
※
注意事项：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 35 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度的关系
80
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
图8.导通电阻变化
与温度的关系
10
3
70
60
I
D
，漏电流[ A]
10
2
I
D
，漏电流[ A]
100
s
1毫秒
10毫秒
DC
10
1
50
40
30
20
10
0
25
※
注意事项：
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 175 C
3.单脉冲
o
o
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
50
75
100
125
150
175
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[
℃
]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
与外壳温度
10
0
Z
θ
JC
热响应
(t),
D = 0 .5
0 .2
10
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
t) = 0 .9 3
℃
/ W M A X 。
(
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
t)
(
P
DM
t
1
S IN克乐P ü LS ê
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S单方W AVE P ü LS E D市建局TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线
WFP70N06
硅N沟道MOSFET
LIC
CHA
OSF
特点
■
70A ， 60V ， RDS(on)(Max0.014Ω)@VGS=10V
■
超低栅极电荷（典型值70nC ）
■
低的Crss （典型值160pF ）
■
改进的dv / dt能力
■
100％的雪崩测试
■
最高结温范围（ 175 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的平面生产
条纹， DMOS technology.This最新的技术已经特别
旨在最大限度地减少通态电阻，具有低栅极电荷
与出色的开关性能和坚固耐用的雪崩
特点， DC-DC转换器和
portableand ，电池operatedproducts 。
动力
管理
in
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
1/8表格案例5秒
结温和存储温度
最大无铅焊接温度的目的，
300
1.05
-55~175
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note2)
(Note3)
(Note1)
51
280
±25
800
7.0
158
A
A
V
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
60
70
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
0.95
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的Jun.2011
版权所有@ Winsemi微电子有限公司，保留所有权利。
WFP70N06
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
漏切离型电流
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压温度
系数
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
QGS
QGD
V
GS
=10V,
nC
I
D
=70A
(Note4,5)
-
-
18
24
-
-
tf
花花公子
V
DS
=48V,
-
70
90
R
G
=50
(Note4,5)
-
-
95
125
200
260
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
ΔBV
DSS
/
△T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
测试条件
V
GS
=±25V,V
DS
=0V
V
DS
=60V,V
GS
=0V
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
I
D
=250A,Referenced
民
-
-
60
-
TYPE
-
-
-
0.066
-
-
2350
160
690
60
30
最大
±100
1
-
-
4.0
0.014
3050
200
890
130
70
单位
nA
A
V
V/℃
至25 ℃
V
DS
=10V,I
D
=250 A
V
GS
=10V,I
D
=35A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=30V,
I
D
=35A
2.0
-
-
-
-
-
-
V
pF
ns
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25
℃
)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
积分反向的P- nJunction
二极管theMOSFET
I
DR
=70A,V
GS
=0V
I
DR
=70A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
62
110
最大
70
280
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
C
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L = 250uH我
AS
=70A,V
DD
=25V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤70A,di/dt≤300A/us,V
DD
<BV
DSS
，起始物为
J
=25℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，让你提前
QQ：2881677436 复制
