【W28F641B/T64Mbit的（ 4Mbit的×16)页面模式工作的双快闪记忆体表盒内的1.一般】,IC型号W28F641B,W28F641B PDF资料,W28F641B经销商,ic,电子元器件-51电子网

W28F641B/T

64Mbit的（ 4Mbit的

16)

页面模式工作的双快闪记忆体

表盒内的

1.一般DESCRIPTION.................................................................................................................. 2

2.特点......................................................................................................................................... 2

3.引脚配置....................................................................................................................... 3

4.电气特性.............................................. .................................................. 16

绝对最大额定值* ............................................................................................................ 16

工作条件........................................................................................................................ 16

电容

(1)

.................................................................................................................................. 17

AC输入/输出测试Conditions...................................................................................................... 17

DC Characteristics............................................................................................................................ 18

交流特性 - 只读操作（ 1 ） ........................................ ......................................... 20

交流特性 - 写操作

(1, 2)

...................................................................................... 23

重置Operations.............................................................................................................................. 25

复位AC规格................................................................................................................... 25

块擦除，整片擦除，（页缓冲区中）计划和OTP程序性能

(3)

............. 26

5.其他INFORMATION........................................................................................................... 27

推荐工作条件............................................... ............................................... 27

在器件上电................................................................................................................... 27

毛刺噪声.............................................................................................................................. 28

6.订购INFORMATION............................................................................................................. 29

7.包装尺寸.................................................................................................................三十

48针标准薄型小尺寸封装（以毫米计） ..................................... .... 30

48球TFBGA （8毫米× 11毫米）（以毫米为单位测量） ................................. ................... 30

8.版本历史......................................................................................................................... 31

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出版日期： 2003年3月27日

修订A3

W28F641B/T

1.概述

该W28F641 ，一个4页的平面双模式工作（同时读取，而擦除/编程）闪光

存储器，是一种低功率，高密度，低成本，为广泛的非易失性读/写存储解决方案

的应用范围。该产品可以在V来操作

= 2.7V至3.6V和V

= 1.65V至3.6V或

11.7V至12.3V 。它的低电压工作能力，大大延长了电池寿命的便携式

应用程序。

该W28F641提供高性能异步页模式。它直接允许代码执行

从闪光，从而消除耗时的等待状态。此外，该配置性分区

体系结构允许灵活的双操作工作。

存储阵列块架构采用增强的数据保护功能，并提供了

单独的参数及主要模块提供最大的灵活性，安全的非易失性代码和

数据的存储。

快速的程序功能是通过使用高速缓存页计划提供的。特别OTP

（一次性编程）块提供了一个区域用于存储永久代码，诸如独特的号码。

2.特点

与16Bit的I / O接口64M密度

高性能读取

三十五分之八十〇纳秒8字的页面模式

配置性的4面双工作

灵活的分区

阅读过程中块擦除或操作（页

缓冲区）计划

对于每个分区状态寄存器

低功耗工作

2.7V的读取和写入操作

DDQ

输入/输出电源隔离

自动节能模式降低

CCR

在静态模式

增强的代码+数据存储

典型的擦除/编程挂起

OTP（一次性编程）座

4字厂，规划面积

4 - Word用户可编程区域

与页面缓冲的高性能计划

16字的页面缓冲区

字（典型值），在12V V

一百27 32K字

主要模块

顶部或底部的位置参数

增强的数据保护功能

个别块锁和锁座向下

与零延迟

所有的块都被锁定在上电时或设备

RESET

绝对保护与V

≤

PPLK

块擦除，整片擦除，（页缓冲区中）

电源在Word程序锁定

TRANSITIONS

自动擦除/编程算法

3.0V低功耗11

字（典型值）。

程序设计

12V无胶逻辑9

字（典型值）。

生产编程和擦除0.5秒

（典型值）。

交叉兼容命令支持

通用闪存接口（ CFI ）

基本命令集

扩展循环能力

工作温度

最低100000块擦除周期

芯片尺寸封装

-40 ° C至+ 85°C

的CMOS工艺（ P型硅衬底）

灵活无阻塞架构

0.75毫米间距48球TFBGA封装和48引脚

TSOP

ETOX 闪存技术

八4K字的参数块

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W28F641B/T

无设计或评为抗辐射

* ETOX是Intel Corporation的注册商标。

3.引脚配置

A13

A11

#WP

A19

A14

A10

#WE

#reset

A18

A17

A15

A12

A21

A20

0.75毫米间距

48球TFBGA

引脚

A16

DQ14

DQ5

DQ11

DQ2

DQ8

#CE

DDQ

DQ15

DQ6

DQ12

DQ3

DQ9

DQ0

VSS

DQ7

DQ13

DQ4

DQ10

DQ1

#OE

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A21

A20

#WE

#reset

#WP

A19

A18

A17

48针TSOP

标准引脚

12毫米X 20毫米

顶视图

A16

DDQ

VSS

DQ15

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

#OE

VSS

#CE

8× 11毫米

顶视图

图1. 0.75毫米间距TFBGA 48球和48引脚TSOP （普通本德）引脚

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出版日期： 2003年3月27日

修订A3

W28F641B/T

表1.引脚说明

符号

A21

TYPE

输入

名称和功能

地址输入：

输入的地址。 64M ： A0

A21.

数据输入/输出：

输入数据和崔期间命令（命令用户

接口）存储阵列，状态寄存器，查询码在写周期，数据输出，

输入/

识别码和分区配置寄存器代码读取。数据引脚浮到高

DQ0

DQ15

产量

阻抗（High Z）时，芯片或输出被取消。数据在内部

在擦除或编程周期锁定。

#CE

输入

CHIP ENABLE ：

激活该设备的控制逻辑电路，输入缓冲器，解码器和

感测放大器。＃ CE-高（V

）释放器件降低功耗

消费待机水平。

RESET ：

当低（V

）， #RESET复位内部自动化和抑制写

操作，它提供数据保护。 RESET ＃高（V

），使正常

操作。上电后或复位模式下，设备将自动设置为只读数组

模式。 #RESET必须是上电时低/倒。

OUTPUT ENABLE ：

在一个读周期中栅极的器件的输出。

写使能：

控制写入崔和阵列模块。地址和数据

被锁在#CE或#WE （取变高第一）的上升沿。

写保护：

当#WP为V

，锁定的块不能被解锁。抹去

或编程操作可以被执行到未锁定的，而不是块

锁定的。当#WP为V

，锁定下被禁用。

监测电源电压：

不用于电源引脚。

随着V

≤

PPLK

，块擦除，整片擦除，（页面缓存）程序或OTP程序

不能被执行，并且不应该被尝试。

输入

采用12V ± 0.3V至V

提供快速擦除或快速编程模式。在这

模式下，V

是电源引脚。采用12V ± 0.3V至V

在擦除/编程即可

只能最多1,000次循环的每个块上进行。 V

可以被连接到

12V ± 0.3V ，总共最多80小时。使用该引脚的电压为12V超越这些

限制可能会减少块循环能力或造成永久性的损害。

#reset

#OE

#WE

#WP

输入

DDQ

器件电源：

随着V

≤

LKO

所有写尝试闪速存储器

供应被抑制。在无效的V器件业务

电压（见DC特性）

产生虚假的结果，不应该尝试。

供应

输入/输出电源（ 2.7V至3.6V ）：

电源为所有的输入/输出

销。

供应

地面：

不要任何浮动接地引脚。

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W28F641B/T

表2.同步操作模式允许有四架飞机

(1,2)

然后让其在其他分区模式为：

IF ONE

分区是：

阅读阅读阅读阅读

阵列ID / OTP状态查询

字

节目

页面

卜FF器

节目

满

块

OTP

块

节目

芯片

抹去

程序擦除

暂停

抹去

暂停

读阵列

读取ID / OTP

阅读状态

阅读查询

Word程序

页面缓存

节目

OTP程序

块擦除

整片擦除

节目

暂停

块擦除

暂停

注意事项：

1. "X"表示操作使用。

配置性分区双重限制工作：

状态寄存器反映分区的状态，而不是WSM （写状态机）的状态 - 这允许一个状态寄存器为每个分区。

只有一个分区可以被擦除或一次编程 - 没有命令排队。

命令必须被写入到一个地址通过该命令所针对的块中。

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出版日期： 2003年3月27日

修订A3