WFP3205
硅N沟道MOSFET
特点
■
110A ， 50V ，R
DS （ ON）
（最大8mΩ ） @V
GS
=10V
■
超低栅极电荷（ Typical133nC ）
■
快速开关能力
■
100％的雪崩测试
■
最高结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， DMOS技术。这项最新技术有
beenespecially旨在最大限度地减少通态电阻，已
一个lowgate负责与出色的开关性能，并
ruggedavalanche characteristics.This功率MOSFET是很好
适合用于同步DC -DC转换器和电源
管理inportable和电池供电产品。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
1.3
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
(Note1)
(Note3)
(Note1)
80
390
±20
20
5.0
200
A
A
V
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
50
110
单位
V
A
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结-to -Case
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到 - 环境
价值
民
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
0.75
-
62
单位
℃/W
℃/W
℃/W
Rev.A的Jun.2011
版权所有@ Winsemi微电子有限公司，保留所有权利。
WFP3205
电气特性（ TC = 25 ℃ ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏切离型电流
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压温度
系数
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
Qg
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（ "miller" ）充电
QGS
QGD
V
GS
=10V,
nC
I
D
=60A
(Note4,5)
-
-
-
-
35
54
tf
花花公子
R
G
=4.5
V
GS
=10V
V
DS
=44V,
-
133
146
(Note4,5)
-
-
65
50
-
-
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
ΔBV
DSS
/
△T
J
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
测试条件
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
民
-
±30
-
50
-
TYPE
-
-
-
-
0.057
-
-
-
3247
211
781
101
14
最大
±100
单位
nA
V
A
V
V/℃
V
m
S
I
G
= ±10 μA ，V
DS
=0V
V
DS
=50V,V
GS
=0V
I
D
= 250 μA ，V
GS
=0V
I
D
=1mA,
-
10
-
-
4
8.0
-
-
-
-
-
-
参考25 ℃
V
DS
=V
GS
,I
D
=250 A
V
GS
=10V,I
D
=60A
V
DS
=25V,I
D
=60A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=28V,
I
D
=60A
2
-
44
-
-
-
-
-
pF
ns
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=60A,V
GS
=0V
I
DR
=60A,V
GS
=0V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
69
143
最大
110
390
1.4
104
215
单位
A
A
V
ns
C
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L = 138uH我
AS
=60A,,R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤60A,di/dt≤207A/us,V
DD
<BV
DSS
, T
J
≤150℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤400us ，职务Cycle≤2 ％
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，让你提前
QQ：2880707522 复制
