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WFN1N60

硅N沟道MOSFET

特点

1.3A ， 600V ，R

DS （ ON）

(Max8.5)@V

=10V

超低栅极电荷（典型9.1nC ）

快速开关能力

100％的雪崩测试

最高结温范围（ 150 ℃ ）

概述

次是电力MO SFET使用WINSE英里的ADVAN生产

CED平面条形， VDMOS技术。这项最新技术

有

一直

尤其

设计

最小化

导通状态

性，具有较高的坚固雪崩特性。

该器件特别适合好于高效率开关

模式电源。基于上半年的电子镇流器

桥梁和UPS 。

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

dv / dt的

减额在25℃以上因素

英镑

结温和存储温度

通道温度

0.05

-55~150

300

W/℃

℃

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

(Note2)

(Note1)

(Note3)

(Note1)

0.84

5.0

±30

3.9

5.5

V / ns的

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

参数

价值

600

1.3

单位

热特性

符号

QJC

qJA

参数

热阻，结-to -Case

热阻，结到 - 环境

价值

民

典型值

最大

120

单位

℃/W

Rev.A的AUG.2011

WFN1N60

电气特性（ TC = 25 ℃ ）

特征

栅极漏电流

栅源击穿电压

符号

GSS

（ BR ） GSS

测试条件

=±30V,V

=0V

= ±10 μA ，V

=0V

=600V,V

=0V

民

±30

TYPE

最大

±100

100

单位

V/℃

漏切离型电流

DSS

=480V,TC=125℃

漏极 - 源极击穿电压

击穿电压温度

系数

栅极阈值电压

漏 - 源极导通电阻

正向跨导

输入电容

反向传输电容

输出电容

开启上升时间

导通延迟时间

开关时间

开启下降时间

打开-O FF延迟时间

总栅极电荷（栅源

（ BR ） DSS

ΔBV

DSS

△T

GS （ TH）

DS （ ON）

政府飞行服务队

国际空间站

RSS

OSS

TD （上）

TD （关闭）

= 250 μA ，V

=0V

= 1mA时，参考

600

0.65

7.7

1.3

247

4.9

9.1

1.2

4.5

4.0

8.5

319

6.4

25℃

=250 A

=10V,I

=0.65A

=50V,I

=6.5A

=25V,

=0V,

f=1MHz

=300V,

=1.3A

=25

(Note4,5)

=480V,

2.0

=10V,

=1.3A

(Note4,5)

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（ "miller" ）充电

QGS

QGD

源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25℃）

特征

连续漏电流反向

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

TRR

QRR

测试条件

=1.3A,V

=0V

=1.3A,V

=0V,

/ DT = 100 A / μs的

民

TYPE

163

0.85

最大

1.3

5.0

1.4

单位

注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温

2.L = 92mH我

=1.3A,V

=50V,R

= 25Ω ，起始物为

=25℃

3.I

≤1.3A,di/dt≤200A/us,V

<BV

DSS

，起始物为

=25℃

4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％

5.基本上是独立的工作温度。

此晶体管是静电敏感设备

请小心处理

2/7

稳定，让你提前

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图1在国家特色

图2传输特性

图3导通电阻变化VS漏

电流和栅极电压

图4体二极管正向电压的变化

VS源电流和温度

图5电容特性

图6栅极电荷特性

3/7

稳定，让你提前

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图7击穿电压变化

与温度

图8导通电阻变化VS

温度

图7最大安全作业区

图8最大漏极电流与

外壳温度

图9瞬态热响应曲线

4/7

稳定，让你提前

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图10门测试电路波形&

图11电阻开关测试电路波形&

图12松开电感式开关测试电路波形&

5/7

稳定，让你提前

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