初步W45B012
1M
×
1串行闪存
概述
该W45B012制造与华邦的高性能CMOS技术的WinFlash 。该
串行Flash组织成32个扇区为4096字节的W45B012 。该存储器被访问
读取或SPI总线兼容的串行协议擦除/编程。该总线信号：串行数据
输入（ SI ） ，串行数据输出（ SO ） ，串行时钟（ SCK ） ，写保护（ #WP ） ，芯片使能（ #CE ） ，和
硬件复位（ #RESET ） 。该器件在8L SON和32L PLCC封装。
特点
单2.7
3.6V的读取和写入操作
串行接口架构
SPI兼容：模式0和模式3
自动写时序
国内
VPP
GENERATION
检测结束写入的
软件状态
20 MHz的最大时钟频率
硬件复位引脚（ #RESET ）
重置设备待机模式
TTL兼容
硬件数据保护
保护/取消保护器件的写入
手术
字节串行读与单个命令
卓越的可靠性
耐力： 10,000次（典型值）。
20年数据保留
低功耗
工作电流：30 MA（最大）
A
（最大）
部门或芯片擦除功能
统一的4K字节扇区
快速擦除和字节编程
芯片擦除时间： 100 ms（最大值）
扇区擦除时间： 25 ms（最大值）
字节编程时间： 50
S
（ MAX 。 ）
可用的软件包
8 SON （ 5× 6毫米） ， 32L PLCC
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出版日期： 2002年4月18日
修订版A1
初步W45B012
功能说明
设备操作
该W45B012使用的各8位的命令，数据和地址来执行总线周期
操作。操作说明，列于下表中。所有的指令都是同步关闭
高到#CE低过渡。第一个从低到高的转变在SCK将启动指令
序列。输入将在SCK的上升沿被接受先从最显著位。任何
低输入指令之前高转换上#CE完成将终止任何指令
进度和设备返回到待机模式。
读
读操作从最初的访问地址输出，以便数据。虽然SCK输入，
该地址将被自动递增，直到地址空间中，端部（顶部），则内部
地址指针自动递增到地址空间（ 00000H ）的开头（底部） ，以及
数据输出流将继续。读出的数据流是通过所有地址，直到连续
由低到高#CE过渡终止。
部门/芯片擦除操作
扇区擦除操作将清除所选部门"FF"所有位。芯片擦除指令
将清除设备"FF"所有位。
字节编程操作
字节编程操作方案选择的字节所需的数据位。选定
启动程序运行时字节必须处于擦除状态（ "FF" ） 。这些数据是从第7位输入
0位的顺序。
软件运行状态
状态操作确定某个擦除或编程操作正在进行中。如果位0是一个"0"的
擦除或编程操作过程中，该设备正忙。如果位0是一个"1"的设备已准备好
任何有效的操作。读出的状态是连续的，持续的时钟周期，直到由低封端的
对#CE高的转变。
RESET
复位将终止任何操作，例如读取，擦除和编程，正在进行中。它是由一激活
高上#RESET引脚为低电平转换。只要该设备将保持在复位状态为#RESET
是低的。最小复位时间为10
S.
参见图14复位时序图。 #RESET是内部
向上拉动的和在正常操作期间可以保持不连接。复位后，该设备处于待机
模式中，一个高到上#CE低转换是必需的，开始下一个动作。内部上电复位
电路可以防止意外的数据写入。施加一个逻辑低电平上电期间#RESET
在过程随后改变到逻辑电平高时， V
DD
已达到正确的电压电平将
上电过程中提供防止意外的写入额外的保护。
阅读WINBOND ID /读取设备ID
读取的厂商ID和读取设备ID读取操作的JEDEC指定生产厂家
识别和分配的生产设备的识别码。这些代码可被用来
确定实际设备驻留在系统中。
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出版日期： 2002年4月18日
修订版A1
初步W45B012
写保护
该#WP引脚提供无意中写保护。该#WP引脚必须保持高电平任何擦除或
程序操作。该#WP引脚"don't care"所有其他操作。在典型的应用中， #WP引脚
连接到V
SS
用一个标准的下拉电阻。 #WP然后驱动为高电平时擦除或
是必需的程序操作。如果#WP引脚连接到V
DD
用的上拉电阻，那么所有的操作
可能出现的写保护功能被禁用。该#WP引脚具有内部上拉和能
未连接状态时无法使用。
设备操作指令
总线周期
操作/型号
读
扇区擦除
2
芯片擦除
字节编程
软件状态
阅读制造ID
读取设备ID
3
注意事项：
1. A23
A17是"Don't Care"的设备。
2. A16
A12被用于确定扇区地址，A11
A8是不在乎。
3. A16
A1 = 0 ， W45B010设备ID = 98H ，读出与A 0 = 1 。
1
2
3
4
地址
A
7
A
0
X
X
A
7
A
0
A
0 = 0
A
0 = 1
5
数据
X
DOUT
DOUT
DIN
6
DUMMY
X
X
X
X
7
数据
DOUT
命令地址
1
地址
FFH
20h
60h
10h
9Fh
90h
90h
A
23
A
16
A
15
A
8
A
23
A
16
A
15
A
8
X
X
A
23
A
16
A
15
A
8
DOUT
X
X
X
X
DAH
98h
设备操作表
手术
读
扇区擦除
芯片擦除
字节编程
软件状态
Reset2
阅读制造ID
读取设备ID
SI
X
X
X
DIN
X
X
X
X
SO
DOUT
X
X
X
DOUT
X
DOUT
DOUT
#CE
1
低
低
低
低
低
X
低
低
#WP
X
高
高
高
X
X
X
X
#reset
高
高
高
高
高
低
高
高
注意事项：
1.高到#CE低的过渡将需要启动任何设备的操作，除了复位。
2. #RESET低将返回设备待机和终止正在进行的任何擦除或编程操作。
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初步W45B012
DC特性
绝对最大极限
（条件超过那些在"Absolute最大应力Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些条件或条件高于本数据表中的业务部门定义
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
参数
在偏置温度
储存温度
直流电压上的任何引脚对地电位
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）接地电位
包装功率耗散能力（T
A
= 25° C)
表面贴装引线焊接温度（ 3秒）
输出短路电流
1
等级
-55到+125
-65到+150
-0.5到V
DD
+0.5
-1.0到V
DD
+1.0
1.0
240
50
单位
°C
°C
V
V
W
°C
mA
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
直流工作特性
(V
DD
=2.7V
3.6V, V
SS
= 0V ，T
A
= 0至70
°
C)
参数
符号。
测试条件
分钟。
F = 20MHz的
#CE = V
白细胞介素，
V
DD
= V
DD
马克斯。
编程/擦除
读
-
-
-
-
-
-0.2
2.0
I
OL
= 1.6毫安
I
OH
= -0.4毫安
-
2.4
范围
马克斯。
30
20
15
2
2
0.6
V
DD
+0.3
0.4
-
单位
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
电源电流
待机电流
输入漏
输出漏
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
DD
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
#CE = V
IHC
, V
DD
= V
DD
马克斯。
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
= V
DD
马克斯。
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
= V
DD
马克斯。
注意：输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
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出版日期： 2002年4月18日
修订版A1
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