【WFD4N60世界粮食日硅N沟道MOSFET特点■ 4A ， 600V.RDS （ ON）（最大2.】,IC型号WFD4N60,WFD4N60 PDF资料,WFD4N60经销商,ic,电子元器件-51电子网

WFD4N60

世界粮食日

硅N沟道MOSFET

特点

■ 4A ， 600V.R

DS （ ON）

（最大2.5Ω ） @V

=10V

■超低栅极电荷（典型值16nC ）

快速开关能力

■ 100 ％雪崩测试

■隔离电压（ VISO = 4000V AC）

■最大结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产

平面条形， DMOS技术。这项最新技术有

经过特别设计，以最大限度地减少通态电阻，

具有较高的坚固雪崩特性。该设备

是特别适合于半电桥和全桥谐振

拓扑线电子镇流器

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

dv / dt的

减额在25℃以上因素

英镑

结温和存储温度

0.78

-55~150

300

W/℃

℃

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

(Note1)

2.5

±30

240

4.5

V / ns的

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

参数

价值

600

单位

通道

温度

热特性

符号

QJC

qJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

热阻，结到环境

价值

民

典型值

最大

1.56

单位

℃/W

110

℃/W

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

Rev.A的Nov.2010

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世界粮食日

电气特性（TC = 25 ° C）

特征

栅极漏电流

栅源击穿电压

符号

GSS

（ BR ） GSS

测试条件

±30

V, V

= 0 V

±10

μA ，V

= 0 V

= 600 V, V

= 0 V

民

±30

600

TYPE

1.8

545

3.4

最大

±100

100

2.5

670

单位

μA

漏截止电流

DSS

= 480 V ，T

= 125°C

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

关断时间

总栅极电荷（栅源

（ BR ） DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

吨

花花公子

= 250 μA ，V

= 0 V

= 10 V，I

=250 μA

= 10 V，I

=3.25A

= 25 V,

= 0 V,

F = 1 MHz的

=300 V,

= 4.4 A

=25 Ω

(Note4,5)

= 480 V,

100

= 10 V,

QGS

QGD

=4.4A

(Note4,5)

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

DRP

DSF

TRR

QRR

测试条件

= 4.4 A，V

= 0 V

= 4.4 A，V

= 0 V,

/ DT = 100 A / μs的

民

TYPE

390

2.2

最大

17.6

1.4

单位

μC

注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温

2.L=18.5mH,I

=4.4A,V

=50V,R

= 0Ω ，起始物为

=25℃

3.I

≤4A ，二/ dt≤200A / US ，V

<BV

DSS

，起始物为

=25℃

4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％

5.Essentially独立的工作温度。

此晶体管是静电敏感设备

请小心处理

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稳定，让你提前

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图1导通状态特性

图2传输电流特性

Fig3 。导通电阻变化VS

漏电流

图4体二极管正向电压

变异VS源电流和

温度

图5导通电阻变化VS

结温

图6栅极电荷特性

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图7最大安全作业区

图8最大漏极电流与

外壳温度

图9瞬态热响应曲线

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图10门测试电路波形&

图11电阻开关测试电路波形&

图12松开电感式开关测试电路波形&

5/7

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