怀特电子设计
WF128K32-XXX5
128K
X
32 5V闪存模块， SMD 5962-94716
特点
50访问时间** ， 60 ， 70 ， 90 ， 120 ，为150ns
包装：
66针， PGA型， 1.075英寸见方，密封
陶瓷HIP （ 400包）
68铅，密封CQFP （ G2U ） ， 22.4毫米
（ 0.880英寸）的正方形， 3.56毫米（ 0.140英寸）高
（ 510包）
68铅，密封CQFP （ G2L ） ， 22.4毫米
（ 0.880英寸）的正方形， 4.06毫米（ 0.160英寸）高
（ 528包）
每一个16K字节的8大小相等的行业
任何部门的结合可以同时
删除。还支持整片擦除
商用，工业和军用温度
范围
5伏编程。 5V ±10 ％电源
低功耗CMOS ， 1毫安典型待机
嵌入式擦除和编程算法
TTL兼容输入和CMOS输出
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
页编程操作和内部程序
控制时间
重量
WF128K32 - XG2LX5 - 8克典型
WF128K32 - XG2UX5 - 8克典型
WF128K32 - XH1X5 - 13克典型
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程1M5应用笔记。
*本产品如有变更，恕不另行通知。
*为50ns的存取时间是在工业和商业温度可
只不等。
部门架构
10万次擦除/编程典型， 0 ° C至
+70°C
组织为128Kx32
图1 - 引脚配置WF128K32N ， XH1X5
顶视图
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
NC
I / O
0
I / O
1
I / O
2
WE
2
#
CS
2
#
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
CS
1
#
NC
I / O
3
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE ＃
NC
WE
1
#
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
NC
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
V
CC
CS
4
#
WE
4
#
I / O
27
A
4
A
5
A
6
WE
3
#
CS
3
#
GND
I / O
19
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
I / O
23
I / O
22
I / O
21
8
8
8
8
OE ＃
A
0-16
引脚说明
I / O
0-31
A
0-16
WE
1-4
#
CS
1-4
#
OE ＃
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图
WE
1
CS ＃
1
#
WE
2
CS ＃
2
#
WE
3
CS ＃
3
#
WE
4
CS ＃
4
#
128K ×8
128K ×8
128K ×8
128K ×8
I / O
20
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2006年3月
启8
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
WF128K32-XXX5
图3 - 引脚配置WF128K32 - XG2UX5和WF128K32 ， XG2LX5
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
#
GND
CS
4
#
WE
1
#
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-16
WE
1-4
#
CS
1-4
#
OE ＃
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
1
#
OE ＃
CS
2
#
NC
WE
4
#
WE
3
#
WE
2
#
NC
NC
NC
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
框图
WE
1
CS ＃
1
#
WE
2
CS ＃
2
#
WE
3
CS ＃
3
#
WE
4
CS ＃
4
#
OE ＃
A
0-16
128K ×8
128K ×8
128K ×8
128K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2006年3月
启8
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号的电压范围（除A9的任何引脚）（2）
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留军用温度
耐力（写入/擦除周期）军用温度
A
9
电压保护部门（V
ID
) (3)
WF128K32-XXX5
推荐工作条件
单位
°C
V
V
°C
°C
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
A9电压部门保护
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
12.5
单位
V
V
V
°C
V
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
10年
10,000次分钟。
-2.0至14.0
V
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
该设备。延长运行在最高水平可能会降低性能
而影响可靠性。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。期间的电压转换，
输入可能会过冲V
SS
至-2.0 V最高为20ns的周期。最大直流
电压输出和I / O引脚为VCC + 0.5V 。期间的电压转换，输出
可能会过冲至V
CC
+ 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A9引脚上的最小直流输入电压为-0.5V 。期间的电压转换， A9可
Vss的过冲至-2V最高为20ns的时间。在A9最大直流输入电压
是+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时间高达20ns的。
电容
TA = + 25°C
参数
OE ＃电容
WE
1-4
＃电容
HIP （ PGA ） H1
CQFP G2U / G2L
CS
1-4
＃电容
数据＃ I / O容量
地址输入电容
符号
条件
C
OE
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的
C
WE
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的
最大单位
50 pF的
pF
20
15
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的20 pF的
V
I / O
= 0V ， F = 1.0 MHz的20 pF的
V
IN
= 0V ， F = 1.0 MHz的50 pF的
C
CS
C
I / O
C
AD
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
工作电流为程序或
擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
V
CC
静态电流
输出低电压
输出高电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5 ， CS ＃ = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
140
200
6.5
0.6
0.45
0.85 x
VCC
VCC
-0.4
3.2
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率
依赖分量（在5 MHz ） 。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
2006年3月
启8
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
写周期时间
WE＃建立时间
CS ＃脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
WE＃从WE＃保持高
CS ＃脉冲宽高
编程操作的持续时间
擦除操作的时间
先读后写恢复
芯片编程时间
符号
民
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHWH
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WH
t
CPH
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-50
最大
民
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-60
最大
民
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
60
-90
WF128K32-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， CS ＃控制
-120
最小最大
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
12.5
60
-150
最小最大
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
最大
图4 - AC测试电路
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
2006年3月
启8
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片选择保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间
（分钟）
扇区擦除时间
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 1 ）
1.对于切换和数据查询。
WF128K32-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， WE＃控制
符号
民
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHEH
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CH
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
t
VCS
50
12.5
t
OES
t
OEH
0
10
0
10
60
-50
最大
民
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
-60
最大
民
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
-90
最大
-120
最小最大
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
-150
最小最大
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
12.5
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
s
美国证券交易委员会
ns
ns
t
WHWL
t
WPH
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55°C
≤
T
A
≤
+125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
OE ＃到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
OE ＃高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS ＃或OE ＃输出保持
变化，无论是科幻RST
1.由设计保证，未经测试。
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
50
-50
最大
民
60
50
50
25
20
20
0
-60
最大
民
70
60
60
30
20
20
0
-70
最大
民
90
70
70
35
20
20
0
-90
最大
-120
最小最大
120
-150
最小最大
150
单位
ns
90
90
40
25
25
0
120
120
50
30
30
0
150
150
55
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2006年3月
启8
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
WF128K32-XXX5
128K
X
32 5V FL ASH模块， SMD 5962-94716
特点
n
50 *， 60 ，70， 90 ，120， 150ns的访问时间
n
n
5伏编程。 5V ±10 ％电源
n
低功耗CMOS ， 1毫安典型待机
n
嵌入式擦除和编程算法
n
TTL兼容输入和CMOS输出
n
内置的去耦电容和地面多销
包装：
66针， PGA型， 1.075英寸见方，密封
陶瓷HIP （ 400包）
68引线，密封CQFP （ G2U ） ， 22.4毫米（ 0.880英寸）
方形， 3.56毫米（ 0.140英寸）高（ 510包）
68引线，密封CQFP （ G1U ） ， 23.9毫米（ 0.940英寸）
方形， 3.56毫米（ 0.140英寸）高（ 519包）
68引线，密封CQFP （ G1T ） ， 23.9毫米（ 0.940英寸）
方形， 4.06毫米（ 0.160英寸）高（ 524包）
1
低噪音运行
n
n
页编程操作和内部控制程序
时间
重量
WF128K32 - XG1UX5 - 5克典型
WF128K32 - XG1TX5 - 5克典型
WF128K32-XG2UX5
1
- 8克典型
WF128K32 - XH1X5 - 13克典型
n
部门架构
8个大小相等的每个16K字节的扇区
行业的任何组合可以同时
删除。
还支持整片擦除
n
10万次擦除/编程典型， 0 ° C至+ 70°C
n
组织为128Kx32
n
商用，工业和军用温度范围
图。 1
注1 ：套餐不建议用于新设计
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程1M5
应用笔记。
*为50ns的存取时间是在工业和商业温度可
只不等。
引脚配置WF128K32N ， XH1X5
顶视图
引脚说明
I / O
0-31
A
0-16
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图
2001年12月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WF128K32-XXX5
图。 3
引脚配置WF128K32 - XG1UX5 ， WF128K32 ， XG1TX5和
WF128K32-XG2UX5
1
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
GND
CS
4
WE
1
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-16
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
框图
CS
2
NC
E
2
E
3
A
16
CS
1
OE
E
4
NC
A
11
A
12
A
13
A
14
V
CC
A
15
NC
NC
注1 ：套餐不建议用于新设计
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2
WF128K32-XXX5
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
单位
推荐工作条件
参数
符号
民
最大
单位
工作温度
电源电压范围（V
CC
)
信号的电压范围（除A9的任何引脚）（2）
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留军用温度
耐力（写入/擦除周期）军用温度
A
9
电压保护部门（V
ID
) (3)
注意事项：
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
10年
10,000次分钟。
-2.0至14.0
°C
V
V
°C
°C
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
A
9
电压部门保护
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
V
ID
4.5
2.0
-0.5
-55
11.5
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
12.5
V
V
V
°C
V
电容
V
参数
(T
A
= +25C)
符号
条件
最大
单位
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
该设备。在最高级别扩展操作可能会降低
性能和可靠性的影响。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。期间的电压转换，
输入可能会过冲VSS至-2.0 V最高为20ns的时间。最大直流
电压输出和I / O引脚为VCC + 0.5V 。期间的电压转换，输出
可能会过冲至Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A9引脚上的最小直流输入电压为-0.5V 。期间的电压转换， A9的
可能过冲VSS至-2V最高为20ns的时间。最大直流输入电压
在A9是+ 13.5V可能过冲至14.0 V的时间最多为20ns 。
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ）
CQFP G2U / G1U / G1T
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
C
OE
C
WE
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
50
20
15
pF
pF
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC CHAR Cucumis Sativus查阅全文 - CMOS兼容
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
符号
条件
民
最大
单位
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
工作电流为计划
或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
V
CC
静态电流
输出低电压
输出高电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
注意事项：
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
CS = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时，
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= 4.5
0.85 x
V
CC
V
CC
-0.4
3.2
10
10
140
200
6.5
0.6
0.45
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
1.列出的IC卡的电流包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE在VIH 。
2. ICC活跃，而嵌入式算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： VIL = 0.3V ， VIH = VCC - 0.3V
3
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WF128K32-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， CS控
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C至+ 125°C ）
参数
符号
-50
民
最大
民
-60
最大
-70
民
最大
-90
民
最大
-120
民
最大
-150
民
最大
单位
写周期时间
我们建立时间
CS脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
我们从所持有高
CS脉冲宽度高
编程操作的持续时间
擦除操作的时间
先读后写恢复
芯片编程时间
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHWH
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WH
t
CPH
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
12.5
60
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
12.5
60
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
60
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
12.5
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
美国证券交易委员会
图。 4
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
参数
AC测试条件
典型值
单位
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
V
ns
V
V
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。
IOL & IOH可编程从0到16毫安。
Tester Impedance Z0 = 75 ½.
VZ典型VOH和VOL的中点。
人工晶状体& IOH被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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4
WF128K32-XXX5
AC特征 - 写/擦除/编程操作，我们控制
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
符号
-50
民
最大
民
-60
最大
-70
民
最大
-90
民
最大
-120
民
最大
-150
民
最大
单位
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片选择保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作时间（min ）
扇区擦除时间
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 1 ）
1.对于切换和数据查询。
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHEH
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CH
t
WPH
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
60
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
12.5
0
10
60
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
12.5
0
10
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
ns
s
美国证券交易委员会
ns
ns
t
VCS
50
t
OES
t
OEH
0
10
交流特性 - 只读操作
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
符号
-50
民
最大
-60
民
最大
-70
民
最大
-90
民
最大
-120
民
最大
-150
民
最大
单位
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
OE到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
OE高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS或OE变化输出保持，
取其科幻RST
1.由设计保证，未经测试。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
50
50
50
25
20
20
0
60
60
60
30
20
20
0
70
70
70
35
20
20
0
90
90
90
40
25
25
0
120
120
120
50
30
30
0
150
150
150
55
35
35
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
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