怀特电子设计
特点
n
n
包装：
66针， PGA类型， 1.385"广场，密封
陶瓷HIP （ 402包） 。
68领先， 40毫米薄型CQFP （包
502 ）的3.5mm （ 0.140" ）的高度。
68引线，密封CQFP （ G2T ） ， 22.4毫米
（ 0.880" ）的平方（ 509包） 4.57毫米
（ 0.180" ）的高度。旨在满足JEDEC 68
铅0.990CQFJ足迹（图3）
n
部门架构
按每个64K字节的32大小相等的行业
2Mx8芯片
任何部门的结合可以被删除。还
支持整片擦除。
n
最少100,000次写/擦除周期最短
n
组织为4Mx32
WF4M32-XXX5
初步*
4MX32 5V闪存模块， SMD 5962-97612 （申请中）
100访问时间， 120为150ns
n
用户可配置为8Mx16或16Mx8髋关节和
G4T包。
n
商业，工业和军用温度范围内
n
5伏的读取和写入。 5V ±10 ％电源。
n
低功耗CMOS
n
数据轮询和切换位功能的检测
编程或擦除周期完成。
n
支持读取或编程数据到一个部门
不被删除。
n
RESET引脚复位内部状态机来读
模式。
n
内置的去耦电容和地面多
引脚低噪音运行，独立电源
层和接地层，以提高抗噪性能
*此数据表描述了正在研发的产品，不能完全
特点，并随时更改，恕不另行通知。
注意：
对于编程的信息，请参阅闪存编程16M5应用笔记。
F
IG
. 1
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
P
IN
C
ONFIGURATION
F
OR
WF4M32-XH2X5
T
OP
V
IEW
12
RESET
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
RESET
A
0-21
WE
CS
1-4
OE
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
A
17
WE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
33
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
A
21
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
34
V
CC
CS
4
NC
I / O
27
A
4
A
5
A
6
A20
CS
3
GND
I / O
19
44
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
56
CS
2
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
CS
1
A
19
I / O
3
22
V
CC
GND
RESET
B
LOCK
D
IAGRAM
CS
1
A
21
CS
2
CS
3
CS
4
I / O
23
I / O
22
OE
WE
I / O
21
I / O
20
55
66
A
0-20
RESET
2M ×8
2M ×8
2MX 8
2M ×8
2M
x 8
2M
x 8
2M
x 8
2M
x 8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2002年8月第4版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
F
IG
. 2
P
IN
C
ONFIGURATION
F
OR
WF4M32-XG4TX5
T
OP
V
IEW
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
1
GND
CS
3
WE
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
WF4M32-XXX5
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
数据输入/输出
A
0-21
WE
CS
1-4
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
RESET
地
没有连接
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
OE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
V
CC
RESET
GND
NC
B
LOCK
D
IAGRAM
CS
1
A
21
CS
2
CS
3
CS
4
OE
WE
A
0-20
RESET
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
卜FF器
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
2
OE
CS
4
A
17
A
18
A
19
A
20
RESET
NC
A21
2M
x 8
2M
x 8
2M
x 8
2M
x 8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
F
IG
. 3
P
IN
C
ONFIGURATION
F
OR
WF4M32-XG2TX5
T
OP
V
IEW
RESET
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
NC
GND
NC
WE
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
数据输入/输出
A
0-20
WE
地址输入
写入启用
银行选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
RESET
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
CS
1-2
OE
白68引G2T CQFP
填充相同的配合和功能
作为JEDEC 68领先CQFJ或
68 PLCC 。但G2T有
TCE和铅的检查
优势CQFP形式。
CS
1
RESET
WE
OE
A
0-20
V
CC
GND
RESET
B
LOCK
D
IAGRAM
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
2M ×8
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
1
OE
CS
2
A
17
NC
NC
NC
A
18
V
CC
A
19
A
20
8
8
8
8
CS
2
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
注意：
CS1& CS2作为银行的选择
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
2
怀特电子设计
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
短路输出电流
耐力 - 写/擦除周期
（MIL温度）
数据保留（MIL温度）
符号
V
T
P
T
TSTG
I
OS
评级
-2.0到+7.0
8
-65到+125
100
100000分钟
20
单位
V
W
°C
mA
周期
岁月
WF4M32-XXX5
C
APACITANCE
(
P
F)
（ TA = + 25 ° C，V
IN
= 0V ，
F
= 1.0MH
Z
)
参数
OE电容
WE电容
CS电容
数据I / O容量
地址输入电容
符号
HIP （ H2 ） CQFP （ G2T ） CQFP （ G4T ）
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
C
AD
75
75
20
30
75
75
75
50
30
75
20
20
20
30
20
此参数由设计保证，但未经测试。
R
ECOMMENDED
DC
操作摄像机
C
ONDITIONS
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
工作温度（MIL ）。
工作温度（工业级）
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
0
2.0
-0.5
-55
-40
典型值
5.0
0
-
-
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
单位
V
V
V
V
°C
°C
DC
极特
- CMOS
OMPATIBLE
（ VCC = 5.0V ， GND = 0V ， TA = -55°C
TO
+125°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
工作电流为计划
或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LOx32
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时，
CS = V
IL
， OE = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS = V
IH
中，f = 5MHz时， RESET = V
IH
I
OL
= 12.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
0.85 x
VCC
3.2
4.2
民
HIP
最大
10
10
320
420
20
0.45
0.85 x
VCC
3.2
4.2
民
G2T
最大
10
10
215
295
2.0
0.45
0.85 x
VCC
3.2
4.2
G4T
民
最大
10
10
345
445
95
0.45
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
注意事项：
1.列出的电流Icc电流包括直流工作电流和频率相关元件（ @为5MHz ） 。该
频率分量通常是不大于2mA /兆赫，使用OE在V
IH
.
2. ICC活跃，而嵌入式算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
HIP = 66针， PGA类型， 1.385"广场，密封
陶瓷HIP （ 402包） 。
G2T = 68领先，密封CQFP （ G2T ） ， 22.4毫米（ 0.880" ）
正方形。旨在满足JEDEC 68领先0.990" CQFJ
足迹（图3 ）（包509）
G4T = 68领先， 40毫米薄型CQFP的3.5mm （ 0.140" ）
（ 502包）
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
怀特电子设计
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
复位脉冲宽度
t
OEH
t
RP
10
500
符号
民
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWL
t
DVWH
t
WHDX
t
WLAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
0
50
44
256
10
500
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
100
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
50
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
-120
WF4M32-XXX5
AC - C
极特
F
OR
G2T P
ACKAGE
W
RITE
/E
RASE
/P
ROGRAM
O
PERATIONS
- 我们
ONTROLLED
（ VCC = 5.0V ， TA = -55°C
TO
+125°C)
-150
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
50
44
256
10
500
44
256
300
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
ns
单位
注意事项：
对于tWHWH1 1.典型值是为7μs 。
对于tWHWH2 2.典型值是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
AC - C
极特
F
OR
G2T P
ACKAGE
R
EAD
-O
NLY
O
PERATIONS
（ VCC = 5.0V ， TA = -55°C
TO
+125°C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择高到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
输出保持从地址， CS或OE变化，
取其科幻RST
RST低到读模式（ 1 ）
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
t
准备
0
20
100
100
100
40
20
20
0
20
-100
最大
民
120
120
120
50
30
30
0
20
-120
最大
民
150
150
150
55
35
35
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
单位
1.由设计保证，未经测试。
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
4
怀特电子设计
WF4M32-XXX5
AC - C
极特
F
OR
G2T P
ACKAGE
W
RITE
/E
RASE
/P
ROGRAM
O
PERATIONS
， CS
ONTROLLED
（ VCC = 5.0V ， GND = 0V ， TA = -55°C
TO
+125°C)
参数
写周期时间
写使能设置时间
片选脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
片选脉冲宽高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间
芯片编程时间
芯片擦除时间（ 3 ）
输出使能保持时间（ 4 ）
t
OEH
10
符号
民
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
AVEL
t
DVEH
t
EHDX
t
ELAX
t
EHEL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHEL
0
44
256
10
t
WC
t
WS
t
CP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
CPH
100
0
45
0
45
0
45
20
300
15
0
44
256
10
-100
最大
民
120
0
50
0
50
0
50
20
300
15
0
44
256
-120
最大
民
150
0
50
0
50
0
50
20
300
15
-150
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ns
单位
注意事项：
对于tWHWH1 1.典型值是为7μs 。
对于tWHWH2 2.典型值是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是32秒。
4.切换和数据查询。
5
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