S0808C1X
WCMS0808C1X
32Kx8静态RAM
特点
=低电压范围
—
4.5V - 5.5V操作
低有功功率
- 275毫瓦（最大）
低待机功耗
—
28
W
（ MAX 。 ）
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，降低功耗
消费
by
99.9%
当
取消选择。
该
WCMS0808C1X是在标准的450密耳宽的（ 300密耳厚的体
宽） SOIC和包。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
功能说明
该WCMS0808C1X是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 32K字。容易记忆expan-
锡安是由一个低电平有效芯片使能（ CE）和主动提供
逻辑框图
销刀豆网络gurations
窄体SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512x512
ARRA
Y
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
WCMS0808C1X
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ... 0 ° C至+ 70°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
........................................ 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
WCMS0808C1X
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，显示输出
体健
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
1.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
0.5
0.5
0.5
25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5V
0.8
+0.5
+0.5
50
典型值
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
0.3
0.5
mA
I
SB2
0.1
10
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1. V
IL
（分钟） =
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件
(T
A
= 25
°
C，V
CC
） 。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
*
WCMS0808C1X
开关特性
在整个工作范围
[10]
WCMS0808C1X
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
5
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
0
70
5
25
5
25
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并输出负载
指定I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
*
S0808C1X
WCMS0808C1X
32Kx8静态RAM
特点
=低电压范围
—
4.5V - 5.5V操作
低有功功率
- 275毫瓦（最大）
低待机功耗
—
28
W
（ MAX 。 ）
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，降低功耗
消费
by
99.9%
当
取消选择。
该
WCMS0808C1X是在标准的450密耳宽的（ 300密耳厚的体
宽） SOIC和包。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚（都为低，数据I / O的
0
通过I / O
7
）写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出， CE和OE低电平有效，虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下， CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
功能说明
该WCMS0808C1X是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 32K字。容易记忆expan-
锡安是由一个低电平有效芯片使能（ CE）和主动提供
逻辑框图
销刀豆网络gurations
窄体SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512x512
ARRA
Y
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
WCMS0808C1X
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ... 0 ° C至+ 70°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
........................................ 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
WCMS0808C1X
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，显示输出
体健
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
1.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
0.5
0.5
0.5
25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.5V
0.8
+0.5
+0.5
50
典型值
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
0.3
0.5
mA
I
SB2
0.1
10
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1. V
IL
（分钟） =
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件
(T
A
= 25
°
C，V
CC
） 。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
*
WCMS0808C1X
开关特性
在整个工作范围
[10]
WCMS0808C1X
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
5
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
0
70
5
25
5
25
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并输出负载
指定I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
*
QQ：2880707522 复制
