W986416CH
1M ×16位×4银行SDRAM
特点
3.3V ± 0.3V电源
高达166 MHz的时钟频率
1,048,576字× 4组×16位的组织
自动刷新和自刷新
CAS延迟： 2和3
突发长度：1 ，2，4 ，8，和全页
突发读取，写入单一模式
通过UDQM和LDQM控制字节数据
掉电模式
自动预充电和预充电控制
4K刷新周期/ 64ms的
接口： LVTTL
包装： TSOP II 54针， 400万 - 0.80
概述
W986416CH是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM） ，组织为1兆字×4库x
16位。采用流水线架构和0.20um制程技术， W986416CH提供高达332M的数据带宽
字节每秒（-6） 。对于不同的应用， W986416CH被分类为四个速度等级： -6 ， -7 ， -75和-8H 。 -6件
可以运行多达166MHz的/ CL3 。 -7部件可运行多达143MHz下/ CL3规范。在-75部件可运行多达PC133 / CL3
规范。该-8H部分可以运行高达125MHz / CL3或PC100 / CL2规范。
访问到SDRAM是突发式。在一个页面上连续的存储位置可以在一个脉冲串长度进行访问
1，2， 4，8或当银行和行被选中的主动命令的全部页。自动生成的列地址
在突发操作SDRAM的内部计数器。随机读取的列，也可以通过在每一个时钟提供其地址
周期。在多个银行特性使内部银行之间交错隐藏预充电时间。
通过具有可编程的模式寄存器，系统可以改变脉冲串的长度，延迟周期，交织或顺序脉冲串
最大限度地发挥其性能。 W986416CH非常适用于高性能应用的主存储器。
主要参数
符号
t
CK
t
AC
t
RP
t
RCD
I
CC1
I
CC4
I
CC6
描述
时钟周期时间
从CLK访问时间
预充电到激活命令
激活到读/写命令
工作电流（单银行）
突发工作电流
自刷新电流
最小/最大
民
最大
民
民
最大
最大
最大
-6
6ns
5ns
18ns
18ns
80mA
130mA
1mA
-7
7ns
5.4ns
20ns
20ns
65mA
115mA
1mA
-75(PC133)
7.5ns
5.4ns
20ns
20ns
65mA
115mA
1mA
-8H(PC100)
8ns
6ns
20ns
20ns
60mA
110mA
1mA
修订版1.2
-1-
出版日期： ， 1999年6月
W986416CH
1M ×16位×4银行SDRAM
引脚分配
引脚数
23 ~ 26, 22,
29 ~35
20, 21
2, 4, 5, 7, 8,
10, 11, 13,
42, 44, 45,
47, 48, 50,
51, 53
19
引脚名称
A0~ A11
BS0 ， BS1
DQ0
DQ15
功能
地址
BANK SELECT
数据输入/
产量
描述
复用管脚的行和列地址。
行地址： A0 A11 。列地址： A0 A7 。
选择银行时行地址锁存器时，可以激活，或银行
读/在地址锁存时间写。
复用引脚用于数据输出和输入。
CS ＃
芯片选择
18
17
16
39, 15
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
UDQM /
LDQM
CLK
CKE
行地址
频闪
COLUMN
地址选通
写使能
输入/输出
面膜
时钟输入
时钟使能
禁用或启用命令解码器。当命令
解码器被禁用，新的命令将被忽略，之前的
操作继续。
指令输入。当在时钟的上升沿取样，
RAS＃ ，CAS＃和WE＃定义要执行的操作。
简称RAS ＃
简称RAS ＃
输出缓冲器被置于高阻态（具有2延迟）时DQM
采样高的读周期。在写周期，采样DQM
高会阻塞写操作零延迟。
系统时钟用于采样时钟的上升沿输入。
CKE控制时钟激活和去激活。当CKE
低，省电模式，待机模式，或自刷新
模式进入。
电源输入缓冲器和内部DRAM逻辑电路。
地进行输入缓冲器和内部DRAM的逻辑电路。
从V电源分离
CC
中，用于输出缓冲器，以改善
噪声。
从V地面分离
SS
中，用于输出缓冲器，以改善
噪声。
无连接
38
37
1, 14, 27
28, 41, 54
3, 9, 43, 49
6, 12, 46, 52
36, 40
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
电源（ +3.3 V）
地
电源（ + 3.3 V
）的I / O缓冲区
地面的I / O
卜FF器
无连接
修订版1.2
-3-
出版日期： ， 1999年6月
W986416CH
1M ×16位×4银行SDRAM
绝对最大额定值
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
,V
CC
Q
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
项
输入，输出电压
电源电压
工作温度
储存温度
焊接温度（ 10秒）
功耗
短路输出电流
等级
-0.3~V
CC
+0.3
-0.3~4.6
0~70
-55~150
260
1
50
单位
V
V
°C
°C
°C
W
mA
笔记
1
1
1
1
1
1
1
建议的直流工作条件（大= 0 70
°C
)
符号
V
CC
V
CC
Q
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
输入高电压
输入低电压
民
3.0
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
3.3
-
-
最大
3.6
3.6
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
笔记
2
2
2
2
注意：
V
IH
（MAX） = V
CC
/V
CC
Q + 1.2V的脉冲宽度<为5ns
V
IL
（分钟） = V
SS
/V
SS
Q- 1.2V的脉冲宽度<为5ns
电容（ V
CC
= 3.3V ， AF = 1MHz时， TA = 25 ° C）
符号
C
I
C
O
参数
输入电容（ A0到A11 ， BS0 ， BS1 ， CS ， RAS ， CAS，WE ， DQM ， CKE ）
输入电容（ CLK ）
输入/输出电容
民
-
-
-
最大
4
4
6.5
单位
pf
pf
pf
注：这些参数周期性采样，而不是100 ％测试。
修订版1.2
-5-
出版日期： ， 1999年6月
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