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W29C040

512K

8 CMOS FLASH MEMORY

概述

该W29C040是4兆， 5伏的CMOS只页面模式，组织成512K EEPROM

8位。

该装置可被写入（擦除和编程）的在系统与标准5V电源。一

12伏V

不是必需的。的W29C040结果快速写入独特的单元架构（擦除/

程序）操作具有非常低的电流消耗相比其他可比的5伏

闪存产品。该装置也可以被写（擦除和编程）通过使用标准

EPROM编程器。

特点

单5伏写（擦除和编程）

操作

快速页写操作

每页256字节

页写（擦除/编程）周期： 5毫秒

（典型值）。

有效字节写入（擦除/编程）周期

时间： 19.5

可选的软件保护的数据写入

软件和硬件的数据保护

低功耗

工作电流：25 mA（典型值）

（典型值）。

自动写（擦除/编程）与时序

内部V

GENERATION

写结束（擦除/编程）检测

切换位

数据轮询

快速的芯片擦除操作： 50毫秒

两个16锁定KB引导块

典型的页写（擦除/编程）周期：

1K / 10K （典型值）。

读访问时间：一百二十○分之九十〇纳秒

十年的数据保留

锁存地址和数据

所有输入和输出直接TTL兼容

JEDEC标准的字节宽引脚

可用的软件包： TSOP和PLCC

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出版日期： 1999年5月

修订A5

W29C040

销刀豆网络gurations

框图

DQ0

14 15 16 17 18 19 20

A A

1 1

6 8

控制

产量

卜FF器

32 31 30

A14

A13

A11

A10

DQ7

DQ0

DQ7

32-pin

PLCC

A18

解码器

16K字节引导块（可选）

CORE

ARRAY

16K字节引导块（可选）

A11

A13

A14

A17

A18

A16

A15

A12

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

GND

DQ2

DQ1

DQ0

引脚说明

符号

A0A18

DQ0DQ7

GND

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

32-pin

TSOP

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W29C040

功能说明

读取模式

该W29C040的读操作是由CE及OE控制，既芯片，其中要低

为主机，以获得从所述输出数据。 CE是用于设备的选择。当CE为高，则

芯片被去选择和仅待机电力将被消耗掉。 OE为输出控制，并用于

从门控输出引脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论CE或OE是

高。

指的是读周期的时序波形的进一步细节。

页写模式

该W29C040写入（擦除/编程）以页为单位。每一页包含256个字节

数据。如果数据页内的字节将被改变，数据的整个页必须被加载到

装置。该页面的写操作期间没有装入任何字节将被删除，以"FF hex" 。

通过强制CE发起的写操作和WE低， OE高。写程序

包括两个步骤。步骤1是字节负载循环，其中，所述主机写入的页缓冲器

装置。

步骤2是一个内部写（擦除/编程）的周期，在此期间，在页面缓冲器中的数据是

同时被写入到非易失性存储器的存储器阵列。

在字节负载周期中，地址由CE或WE的下降沿锁存

为准过去。该数据由CE或WE的上升沿，锁存为准

先发生。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器（T

BLC

）的

200

初始字节负载周期之后， W29C040将停留在页面载入周期。附加字节

然后，可以连续加载。页面载入周期将被终止，内部写

如果没有额外的字节装入页缓冲器（擦除/编程）循环将开始。 A8到A18指定

该网页的地址。被加载到页缓冲器中的所有字节都必须具有相同的页面地址。

A0到A7的指定的页中的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;顺序

不需要加载。

在内部写周期，在页缓冲器中的所有数据，即256字节的数据，写入

同时到存储器阵列。典型的写（擦除/编程）时间为5毫秒。整个

存储器阵列可以被写入10.4秒。在完成内部写周期之前，

主机可以自由地执行其他任务，如获取系统中的其他位置的数据，以准备

写下一页。

软件保护的数据写

该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是

启用时，任何写操作需要3个字节的命令序列（与特定的数据到一

特定地址），以将数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令

序列开始页面加载周期，没有它的写操作将不会被激活。这

写方案提供了防止误写入周期，如触发周期最佳的保护

在系统上电和掉电时的噪音。

该W29C040出厂时启用了该软件的数据保护。要启用该软件的数据

保护方案，执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该

器件将进入软件的数据保护模式，以及任何后续的写操作必须

前面三个字节的命令序列的周期。一旦启用，该软件的数据保护

出版日期： 1999年5月

修订A5

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W29C040

将保持启用状态，除非禁用指令发出。电源转换不会复位

软件

数据保护功能。要重置设备未受保护的模式，6字节的命令序列

所需。有关特定代码的信息，请参阅命令代码的软件数据

保护工作模式的表中。有关时序波形信息，请参阅时机

下面的图。

硬件数据保护

存储在W29C040的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

上电/掉电检测：写操作时，禁止V

小于2.5V 。

（ 3 ）写禁止模式：强制

低，高CE或WE高会抑制写操作。这

防止在上电或掉电期间意外写入。

(4) V

上电延时：当V

已经达到了层次感，设备会自动超时

任何写（擦除/编程）术前10毫秒。

芯片擦除模式

整个装置可以通过使用一个六字节的软件指令代码被删除。请参见软件芯片

擦除时序图。

引导块操作

有两个引导块（ 16K字节的每个）在该装置中，其可以被用于存储引导代码。一

其中位于所述第一16K字节，而另一个位于所述最后一个16K字节的存储器。

该存储器的第一16K或16K最后可以通过使用一个7字节的命令被设置为引导块

序列。

请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置

对于指定的块中的数据不能被擦除或编程（编程闭锁） ;其他

存储单元可以通过常规的编程方法来改变。一旦引导块

编程锁定功能被激活时，芯片擦除功能将被禁用。为了检测

引导块功能是否被设置在两个16K块，用户可以执行一个6字节的命令

顺序：输入产品识别方式（参见命令代码识别/引导块

锁定检测的特定码），然后从地址"00002 hex"读（用于第一16K字节）的

或"7FFF2 hex" （最后的16K字节）。如果输出数据是"FF十六进制， "引导块编程

锁定功能被激活;如果输出数据是"FE进制， "锁定功能是灭活和

块可以被编程。

要返回到正常操作，进行三字节命令序列退出鉴定

模式。对于特定的代码，请参阅命令代码识别/引导块锁定检测。

数据轮询（ DQ7 ） - 写状态检测

该W29C040包括数据查询功能，以指示写周期的结束。当

W29C040是在内部写周期，任何尝试读取期间所加载的最后一个字节的DQ7

页面/字节负载周期将接收的真实数据的补码。一旦写周期被完成。

DQ7会显示真实数据。看到这些数据轮询时序图。

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W29C040

翻转位（ DQ6 ） - 写状态检测

除了数据轮询， W29C040提供了另一种方法，用于确定写操作的结束

周期。在内部写周期，任何尝试连续读取DQ6会产生交变

0和1的。当写周期完成时，在0和1的这个触发将停止。该装置

然后准备好用于下一操作。见翻转位时序图。

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在

软件接入模式，一个6字节的命令序列，可以被用来访问该产品ID。读

从地址"00000 hex"输出制造商代码"DA hex."发件人地址"00001 hex"阅读

输出所设备代码"46 hex."产品ID的操作可以通过一个三字节被终止

命令序列。

在硬件访问方式，访问到的产品ID是通过迫使CE和OE为低电平激活时，我们

高，并提高A9至12伏。

TABLE操作模式

操作模式选择

经营范围：0 70℃ （环境温度），V

= 5V

±10%,

= 0V, V

= 12V

模式

读

写

待机

写禁止

输出禁用

产品编号

引脚

地址

DOUT

DIN

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

高Z

制造商代码DA

（十六进制）

器件代码

46 （十六进制）

DQ 。

A0 = V

; A1 - A18 = V

;

A9 = V

A0 = V

; A1 - A18 = V

;

A9 = V

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出版日期： 1999年5月

修订A5