【W9751G6KB8M4银行16位DDR2 SDRAM表盒内的1.2.3.4.5.6.7.8.8.1】,IC型号W9751G6KB25I,W9751G6KB25I PDF资料,W9751G6KB25I经销商,ic,电子元器件-51电子网

W9751G6KB

4银行

16位DDR2 SDRAM

表盒内的

8.1

8.2

概述................................................................................................................... 4

产品特点........................................................................................................................................... 4

订购信息.......................................................................................................................五

关键参数.............................................................................................................................五

BALL配置...................................................................................................................... 6

BALL描述............................................................................................................................ 7

框图................................................................................................................................ 8

功能说明.............................................................................................................. 9

启动和初始化顺序............................................ .................................................. ..... 9

模式寄存器和扩展模式寄存器操作........................................... ........................ 10

8.2.1

8.2.2

8.2.2.1

8.2.2.2

8.2.2.3

8.2.2.4

8.2.3

8.2.3.1

8.2.3.2

8.2.3.3

8.2.4

8.2.5

8.2.5.1

8.3

8.3.1

8.3.2

8.3.3

8.3.4

8.3.5

8.3.6

8.3.7

8.3.8

8.3.9

8.3.10

8.3.11

8.4

模式寄存器设置命令（ MRS） ........................................... .................................... 10

扩展模式寄存器设置命令（ EMRS ） .......................................... .................... 11

扩展模式寄存器设置命令（ 1 ）， EMR （ 1 ） ..................................... ........... 11

DLL使能/禁用.............................................. .................................................. 12

扩展模式寄存器设置命令（ 2 ）， EMR （ 2 ） ..................................... ........... 13

扩展模式寄存器设置命令（ 3 ）， EMR （ 3 ） ..................................... ........... 14

片外驱动器（ OCD ）阻抗调整......................................... ....................... 15

扩展模式寄存器用于OCD阻抗调整.................................... 16

OCD阻抗调整............................................... ........................................... 16

驱动模式............................................................................................................. 17

片上端接（ ODT ） ........................................... .................................................. .. 18

ODT相关时序......................................................................................................... 18

MRS命令ODT的更新延迟............................................ ......................... 18

行激活命令............................................... .................................................. 20

读命令............................................................................................................... 20

写命令............................................................................................................... 21

突发读与自动预充电命令........................................... .......................... 21

突发写带自动预充电命令........................................... .......................... 21

全部预充电命令............................................... .................................................. 21

自刷新进入命令.............................................. ............................................ 21

自刷新退出命令.............................................. ............................................... 22

刷新命令........................................................................................................... 22

无操作命令.............................................. .................................................. .. 23

装置取消命令............................................... ............................................... 23

命令功能............................................................................................................................. 20

读取和写入访问模式........................................................................................................... 23

8.4.1

发布

CAS

.................................................................................................................... 23

-1-

出版日期： 2012年9月3日

修订版A04

W9751G6KB

8.4.1.1

8.4.2

8.4.3

8.4.4

8.4.5

8.5

8.6

贴例子

CAS

操作................................................. ..................... 23

突发模式工作....................................................................................................... 24

突发读取模式下运行.............................................. ................................................. 25

写突发模式操作.............................................. ................................................ 25

写数据屏蔽............................................................................................................... 26

突发中断..................................................................................................................................... 26

预充电操作............................................................................................................................ 27

8.6.1

8.6.2

突发读取操作之后的预充电............................................ ......................... 27

猝发写操作之后的预充电............................................ ........................ 27

突发读取Auto-precharge........................................................................................ 28

突发写带自动预充电............................................ ........................................... 28

8.7

自动预充电操作................................................................................................................... 27

8.7.1

8.7.2

8.8

8.9

刷新操作............................................................................................................................... 29

掉电模式.............................................................................................................................. 29

8.9.1

8.9.2

断电进入...........................................................................................................三十

掉电退出..............................................................................................................三十

8.10

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

10.

10.1

10.2

10.3

10.4

10.5

10.6

10.7

10.8

10.9

10.10

10.11

预充电电源关闭时的输入时钟频率的变化.......................................... ................... 30

运行模式........................................................................................................................... 31

命令真值表........................................................................................................................ 31

时钟使能（ CKE ）真值表进行同步转换........................................ .................... 32

数据屏蔽（ DM ）真值表............................................................................................................... 32

功能真值表........................................................................................................................... 33

简化地说图................................................................................................................... 36

电气特性................................................ .................................................. 37

绝对最大Ratings................................................................................................................. 37

工作温度条件....................................................................................................... 37

建议的直流工作条件.............................................. ............................................. 38

ODT DC电气特性...................................................................................................... 38

直流输入逻辑电平........................................................................................................................... 38

AC输入逻辑电平........................................................................................................................... 38

电容........................................................................................................................................ 39

泄漏和输出缓冲特性............................................. ........................................... 39

直流特性.............................................................................................................................. 40

.............................................. IDD测量测试参数............................................ 42

AC特性..................................................................................................................... 43

10.11.1

10.11.2

交流特性和工作条件-18速度等级................................... 43

交流特性和工作条件-25 / 25I / 25A / 25K / -3速度等级........... 45

AC输入测试条件........................................................................................................... 66

差分输入/输出交流逻辑电平........................................... ....................................... 66

AC过冲/下冲规范............................................. .................................... 67

10.14.1

10.14.2

AC过冲/下冲规范地址和控制引脚： ........................ 67

AC过冲/下冲规范时钟，数据，选通和面膜引脚： .......... 67

10.12

10.13

10.14

11.

时序波形....................................................................................................................... 68

-2-

出版日期： 2012年9月3日

修订版A04

W9751G6KB

11.1

命令输入时序....................................................................................................................... 68

11.2

ODT时序活动/待机模式........................................... .................................................. .... 69

11.3

ODT时序掉电模式............................................ .................................................. ...... 69

11.4

在进入掉电模式ODT定时模式切换......................................... ........................... 70

11.5

在退出省电模式ODT定时模式切换......................................... ............................. 71

11.6

数据输出（读）时序.................................................................................................................... 72

11.7

突发读操作： RL = 5 （ AL = 2 ， CL = 3 ， BL = 4 ） .............................. .................................................. 72

11.8

数据输入（写）定时...................................................................................................................... 73

11.9

突发写操作： RL = 5 （ AL = 2 ， CL = 3 ， WL = 4 ， BL = 4 ） .......................... .......................................... 73

11.10

无缝突发读操作：RL = 5（ AL = 2和CL = 3， BL = 4） ............................ .......... 74

11.11

无缝突发写操作： RL = 5 （ WL = 4 ， BL = 4 ） ................................. ........................ 74

11.12

突发读取中断时间： RL = 3 （ CL = 3 ， AL = 0 ， BL = 8 ） ............................. ................................ 75

11.13

突发写中断时间： RL = 3 （ CL = 3 ， AL = 0 ， WL = 2 ， BL = 8 ） ......................... ......................... 75

11.14

有数据模板写操作： WL = 3 ， AL = 0 ， BL = 4 ） ................................ ............................... 76

11.15

突发读取操作之后的预充电：RL = 4（ AL = 1， CL = 3 ，BL = 4， tRTP ≤ 2clks ） ............ 77

11.16

突发读取操作之后的预充电：RL = 4（ AL = 1， CL = 3 ，BL = 8， tRTP ≤ 2clks ） ............ 77

11.17

突发读取操作之后的预充电：RL = 5（ AL = 2， CL = 3 ，BL = 4， tRTP ≤ 2clks ） ............ 78

11.18

突发读取操作之后的预充电： RL = 6（ AL = 2， CL = 4 ，BL = 4， tRTP ≤ 2clks ） ............ 78

11.19

突发读取操作之后的预充电：RL = 4（ AL = 0 ，C L = 4， BL = 8， tRTP > 2clks ） ............ 79

11.20

猝发写操作之后的预充电： WL = （RL -1） = 3 .................................. ................ 79

11.21

猝发写操作之后的预充电： WL = （RL -1） = 4 .................................. ................ 80

11.22

突发读操作与自动预充电： RL = 4 （ AL = 1 ， CL = 3 ， BL = 8 ， tRTP ≤ 2clks ） ............... 80

11.23

突发读操作与自动预充电： RL = 4 （ AL = 1 ， CL = 3 ， BL = 4 ， tRTP > 2clks ） ............... 81

11.24

突发读取与自动预充电，随后由一个激活到同一组（ tRC的限制）：RL = 5

（ AL = 2 ， CL = 3 ，内部的tRCD = 3 ， BL = 4 ， tRTP ≤ 2clks ） ............................ .................................................. ......... 81

11.25

突发读取与自动预充电，随后由一个激活到同一组（ tRP的限制）：RL = 5

（ AL = 2 ， CL = 3 ，内部的tRCD = 3 ， BL = 4 ， tRTP ≤ 2clks ） ............................ .................................................. ......... 82

11.26

突发写带自动预充电（TRC限制）： WL = 2 ， WR = 2 ， BL = 4 ， tRP的= 3 ........................ ......... 82

11.27

带自动预充电（ WR + tRP的限制）突发写： WL = 4 ， WR = 2 ， BL = 4 ， tRP的= 3 ...................... 。 83

11.28

自刷新时间................................................................................................................... 83

11.29

主动掉电模式进入和退出时机.......................................... ............................. 84

11.30

预充电掉电模式进入和退出时机.......................................... .................... 84

11.31

时钟频率的变化在预充电掉电模式.......................................... .............. 85

12.

13.

包规范.............................................................................................................. 86

修订历史.......................................................................................................................... 87

-3-

出版日期： 2012年9月3日

修订版A04

W9751G6KB

1.概述

该W9751G6KB是512M比特的DDR2 SDRAM ，组织为8,388,608字

4银行

16位。

该器件实现了高速的传输速率高达1066MB /秒/针（ DDR2-1066 ）的各种

应用程序。 W9751G6KB被分类为以下速度等级： -18 ， -25 ， 25I ， 25A ， 25K和-3 。

-18是符合的DDR2-1066 （ 7-7-7 ）规范。 -25 ， 25I ， 25A和25K级器件

兼容的DDR2-800 （ 5-5-5 ）或DDR2-800 （ 6-6-6 ）规范（ 25I的工业级

这是保证支持-40 ° C≤牛逼

例

≤ 95 ° C）。 -3兼容的DDR2-667 （ 5-5-5 ）

特定连接的阳离子。

汽车级器件温度，如果提供了，有两个同时要求：环境

温度（T

）周边设备不能低于-40 ° C或高于+ 95 ° C（用于25A ），

+ 105 ℃（对25K ），与壳体温度（T

例

）不能高于+ 95℃，低于-40 ℃或更高

（为25A ）， + 105°C （对于25K ）。 JEDEC规范要求的刷新率当T翻番

例

超过+ 85°C ;这也需要使用高温自刷新选项。此外， ODT

电阻和输入/输出阻抗必须降低当T

例

为< 0 ° C或> + 85°C 。

所有的控制和地址输入端有一对外部提供的差分的同步

时钟。输入在差分时钟的交叉点锁存（ CLK上升沿和

CLK

下降）。所有

的I / O都与一个单端DQS的或微分同步DQS-

的DQ

对在源

同步方式。

2.特点

电源： V

, V

DDQ

= 1.8 V

0.1V

双倍数据速率的架构：每个时钟周期两个数据传输

CAS延时：3， 4 ，5，6和7

突发长度： 4和8

双向，差分数据选通（ DQS和

的DQ

）被发送/与数据接收

边沿对齐与读取数据中心对齐与写入数据

DLL对齐DQ和DQS转换时钟

差分时钟输入（ CLK和

CLK

)

数据掩码（ DM ），用于写入数据

命令输入的每个正CLK的边缘，数据和数据屏蔽参照的两个边缘

DQS的

发布

CAS

可编程的附加延迟的支持，使指令和数据总线效率

读取延迟=附加延迟加CAS延迟（ RL = AL + CL ）

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上端接（ ODT）为更好的信号

质量

自动预充电操作进行读取和写入突发

自动刷新和自刷新模式

预充电，关机和主动关机

写数据面膜

写延时=读延时 - 1 （ WL = RL - 1 ）

接口： SSTL_18

包装WBGA 84球（ 8X12.5毫米

），采用无铅材料，符合RoHS标准

-4-

出版日期： 2012年9月3日

修订版A04

W9751G6KB

3.订购信息

产品型号

速度等级

工作温度

W9751G6KB-18

W9751G6KB-25

W9751G6KB25I

W9751G6KB25A

W9751G6KB25K

W9751G6KB-3

DDR2-1066 （ 7-7-7 ）

DDR2-800 （ 5-5-5 ）或DDR2-800 （ 6-6-6 ）

DDR2-667 （ 5-5-5 ）

0 ° C≤牛逼

例

≤ 85°C

0 ° C≤牛逼

例

≤ 85°C

-40 ° C≤牛逼

例

≤ 95°C

-40 ° C≤牛逼

例

≤ 95°C

-40 ° C≤牛逼

例

≤ 105°C

0 ° C≤牛逼

例

≤ 85°C

4.关键参数

符号。

速度等级

彬（ CL - tRCD的-TRP ）

型号扩展

@CL = 7

@CL = 6

CK （AVG）

平均时钟周期

@CL = 5

@CL = 4

@CL = 3

RCD

激活到读/写命令延迟时间

-40°C

≤

例

≤

85°C

REFI

平均周期

刷新间隔

0°C

≤

例

≤

85°C

＆ LT ;

例

≤

95°C

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

DDR2-1066

DDR2-800

DDR2-667

7-7-7

5-5-5/6-6-6

5-5-5

-18

-25/25I/25A/25K

-3

1.875纳秒

7.5纳秒

2.5纳秒

7.5纳秒

8纳秒

3纳秒

2.5纳秒

3纳秒

7.5纳秒

8纳秒

3.75纳秒

7.5纳秒

8纳秒

5纳秒

8纳秒

13.125纳秒

12.5纳秒

15纳秒

2, 3

7.8 μS*

3.9 μS*

13.125纳秒

58.125纳秒

45纳秒

105毫安

115mA

165毫安

200毫安

105毫安

6毫安

245毫安

3.9 μS*

12.5纳秒

57.5纳秒

45纳秒

90毫安

百毫安

140毫安

165毫安

95毫安

6毫安

200毫安

3.9 μS*

15纳秒

60纳秒

45纳秒

80毫安

90毫安

125毫安

150毫安

90毫安

6毫安

180毫安

RAS

DD0

DD1

DD4R

DD4W

DD5B

DD6

DD7

95°C

＆ LT ;

例

≤

105°C

预充电到激活命令时期

主动为ref /激活命令时期

主动到预充电命令期

经营一家银行主动预充电电流

经营一家银行的主动 - 读预充电电流

工作突发读取电流

工作突发写入电流

突发刷新电流

自刷新电流（T

例

≤

85°C)

经营银行交错读取电流

分钟。

马克斯。

注意事项：

1.所有速度等级支持0 ℃，

≤

例

≤

85 ℃，完全符合JEDEC的AC和DC规格。

2. -18 ， -25和-3速度等级， -40°C

≤

例

＆ LT ;

0 ° C是不可用的。

3. 25I ， 25A和25K速度等级支持-40°C

≤

例

≤

85 ℃，完全符合JEDEC的AC和DC规格。

4.对于所有速度等级部位，T

例

能够延长到95 ℃，在倍频自动刷新命令到一个32毫秒

期间（t

REFI

= 3.9微秒），并经由A7的“1”上的EMR进入到自刷新模式，在此高温范围（ 2）。

5. 25K汽车速度等级，T

例

能够延长至105℃ ，在倍频自动刷新命令到一个

32 ms周期（T

REFI

= 3.9微秒），并经由A7的“1”上的EMR进入到自刷新模式，在此高温范围（ 2）。

6.为-18 ， -25 ， 25I ， 25A和-3速度等级， 95℃ <牛逼

例

≤ 105℃不可用。

-5-

出版日期： 2012年9月3日

修订版A04