WS128K32-XXX
128Kx32 SRAM模块， SMD 5962-93187 ＆放大器; 5962-95595
特点
n
n
访问时间的15 ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
n
MIL -STD- 883标准的设备可用
n
低功耗数据保持 - 仅在G2T可用
套餐类型
n
商用，工业和军用温度范围
n
5伏电源
n
低功耗CMOS
n
TTL兼容的输入和输出
n
内置的去耦电容和地面多销
包装
66针， PGA型， 1.075 ＆ QUOT ;方形，全封闭陶瓷
HIP （ 400包）
68领先， 40毫米CQFP （ G4T ）
1
， 3.56毫米（ 0.140 ＆ QUOT ; ）
（封装502）。
68领先， 22.4毫米CQFP （ G2T ）
1
， 4.57毫米（ 0.180 ＆ QUOT ） ，
（ 509包）
68领先， 23.9毫米薄型CQFP （ G1U ） ， 3.57毫米
（ 0.140 ＆ QUOT ; ），（包519）
68领先， 23.9毫米薄型CQFP （ G1T ） ， 4.06毫米
（ 0.160 ＆ QUOT ; ），（包524）
n
组织为128Kx32 ;用户可配置为256Kx16
或512Kx8
低噪音运行
n
重量：
WS128K32 - XG1UX - 5克典型
WS128K32 - XG1TX - 5克典型
WS128K32-XG2TX
1
- 8克典型
WS128K32 - XH1X - 13克典型
WS128K32-XG4TX
1
- 20克典型
n
所有设备都可以升级到512Kx32
注1 ：套餐不建议用于新设计
图。 1
P
IN
C
ONFIGURATION
F
OR
WS128K32N-XH1X
T
OP
V
IEW
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
数据输入/输出
A
0-16
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
B
LOCK
D
IAGRAM
2001年11月9牧师
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
WS128K32-XXX
图。 2
P
IN
C
ONFIGURATION
F
OR
WS128K32-XG4TX
1
T
OP
V
IEW
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
A
0-16
WE
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
B
LOCK
D
IAGRAM
注1 ：套餐不建议用于新设计
图。 3
P
IN
C
ONFIGURATION
F
OR
WS128K32-XG2TX
1,
WS128K32-XG1TX
T
OP
V
IEW
和
WS128K32-XG1UX
P
IN
D
ESCRIPTION
I / O
0-31
A
0-16
WE
1-4
CS
1-4
OE
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
B
LOCK
D
IAGRAM
注1 ：套餐不建议用于新设计
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
2
WS128K32-XXX
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
参数
符号
民
最大
单位
T
RUTH
T
ABLE
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
模式
待机
读
写
输出禁用
C
APACITANCE
（ TA = + 25 ° C）
数据I / O
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
工作温度
储存温度
信号电压相对于GND
结温
电源电压
T
A
T
英镑
V
G
T
J
V
CC
-55
-65
-0.5
+125
+150
Vcc+0.5
150
°C
°C
V
°C
V
-0.5
7.0
R
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
参数
参数
符号
民
最大
单位
符号
条件
最大
单位
OE电容
WE
1-4
电容
HIP （ PGA ） H1
CQFP G4
CQFP G2T
CQFP G1U / G1T
CS
1-4
电容
数据I / O容量
地址输入电容
C
OE
C
WE
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
50
20
50
20
20
pF
pF
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
4.5
2.2
-0.3
-55
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
+125
V
V
V
°C
C
CS
C
I / O
C
AD
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
20
20
50
pF
pF
pF
此参数由设计保证，但未经测试。
DC
极特
（ VCC = 5.0V ， GND = 0V ， TA = -55°C
参数
符号
条件
民
-15
最大
民
TO
+125°C)
-17
最大
民
-20
最大
民
-25
最大
单位
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
输出高电压
参数
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
OH
符号
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 8毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -4.0mA ，V
CC
= 4.5
条件
10
10
600
80
0.4
2.4
2.4
-35
民
最大
10
10
600
80
0.4
2.4
-45
民
10
10
600
80
0.4
2.4
-55
最大
民
10
10
600
60
0.4
A
A
mA
mA
V
V
单位
最大
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流
输出低电压
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB
V
OL
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IH
， OE = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
CS = V
IL
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
CS = V
IH
， OE = V
IH
中，f = 5MHz时， VCC = 5.5
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
= 4.5
2.4
10
10
600
60
0.4
2.4
10
10
600
60
0.4
2.4
10
10
600
60
0.4
A
A
mA
mA
V
V
I
OH
= -1.0mA ，V
CC
= 4.5
输出高电压
V
OH
注意：
DC测试条件： VIH = VCC - 0.3V ， VIL = 0.3V
D
ATA
（ TA = -55°C
特征
符号
TO
保留
C
极特
*
TO
+ 125°C ） ， （ TA = -40°C
条件
+85°C)
典型值
最大
单位
民
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保留时间（ 1 ）
V
CC
I
CCDR
T
CDR
V
CC
= 2.0V
CS = V
CC
-0.2V
V
IN
V
CC
-0.2V
2
-
0
T
RC
-
1
-
-
2
-
-
V
mA
ns
ns
或V
IN
- 0.2V
手术恢复时间（ 1 ）
T
R
注意：
参数的保证，但未经测试。
*低功耗数据保持只在G2T封装类型。
3
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WS128K32-XXX
AC - C
极特
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55°C
参数
读周期
符号
-15
民
最大
-17
民
最大
民
-20
最大
TO
+125°C)
-35
最大
民
最大
民
-45
最大
-55
民
最大
单位
-25
民
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
t
RC
t
AA
t
OH
t
ACS
t
OE
t
CLZ
1
t
OLZ
t
CHZ
1
15
15
0
15
10
3
0
12
12
17
17
0
17
10
3
0
12
12
20
20
0
20
12
3
0
12
12
25
25
0
25
15
3
0
12
12
35
35
0
35
20
3
0
20
20
45
45
0
45
25
3
0
20
20
55
55
0
55
30
3
0
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
t
OHZ
1
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC - C
极特
(V
CC
= 5.0V ， GND = 0V ，T
A
= -55°C
参数
写周期
符号
民
-15
最大
-17
民
最大
民
-20
最大
TO
+125°C)
-35
最大
民
最大
民
-45
最大
民
-55
最大
单位
-25
民
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
AH
t
OW
1
15
14
14
10
14
0
0
3
10
0
17
14
15
10
14
0
0
3
10
0
20
15
15
12
15
0
0
3
12
0
25
20
20
15
20
0
0
3
15
0
35
25
25
20
25
0
0
4
20
0
45
30
30
25
30
0
0
4
WS128K32 - XXX /
55
EDI8C32128C
45
45
25
45
0
0
4
25
25
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WHZ
t
DH
1
0
1.此参数由设计保证，但未经测试。
图。 4
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
参数
AC牛逼
美东时间
C
ONDITIONS
典型值
单位
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
V
ns
V
V
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。
IOL & IOH可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
W.
VZ典型VOH和VOL的中点。
人工晶状体& IOH被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
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4
WS128K32-XXX
图。五
T
即时通信
W
AVEFORM
-
READ C YCLE
图。 6
W
RITE
C
YCLE
- 我们
ONTROLLED
图。 7
W
RITE
C
YCLE
- CS
ONTROLLED
WS32K32-XHX
5
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