W9425G6EH

4 M

×

4银行

×

16位DDR SDRAM

表盒内的

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7.

一般DESCRIPTION............................................................................................................. 4

特点.................................................................................................................................... 4

关键参数......................................................................................................................五

引脚配置.................................................................................................................. 6

PIN DESCRIPTION........................................................................................................................ 7

框图......................................................................................................................... 8

功能DESCRIPTION....................................................................................................... 9

7.1

7.2

上电Sequence............................................................................................................ 9

命令功能........................................................................................................... 10

7.2.1

7.2.2

7.2.3

7.2.4

7.2.5

7.2.6

7.2.7

7.2.8

7.2.9

行激活命令......................................................................................................10

行预充电命令............................................... .................................................. 0.10

全部预充电命令......................................................................................................10

写命令...................................................................................................................10

带自动预充电命令写............................................ ....................................... 10

读命令...................................................................................................................10

阅读与自动预充电命令............................................ ...................................... 10

模式寄存器设置命令.............................................. ................................................ 11

扩展模式寄存器设置命令............................................. ................................. 11

7.2.10无操作命令......................................................................................................11

7.2.11突发读取停止Command..................................................................................................11

7.2.12设备取消命令............................................ .................................................. .... 11

7.2.13自动刷新命令.......................................................................................................11

7.2.14自刷新进入Command...............................................................................................12

7.2.15自刷新退出命令........................................... .................................................. .... 12

7.2.16数据写使能/禁用命令......................................... ........................................ 12

7.3

7.4

7.5

7.6

7.7

7.8

7.9

7.10

读操作................................................................................................................. 12

写操作................................................................................................................. 13

预充电.......................................................................................................................... 13

突发终止.............................................................................................................. 13

刷新操作............................................................................................................. 13

掉电模式............................................................................................................ 14

在预充电掉电模式输入时钟频率变化............................ 14

模式寄存器操作............................................... .................................................. 14

7.10.1突发长度字段（ A2至A0 ） ....................................... .................................................. ....... 14

-1-

出版日期：四月11 ， 2008

修订版A04

W9425G6EH

7.10.2寻址模式选择(A3)...............................................................................................15

7.10.3 CAS延时场（ A6到A4)................................................................................................16

7.10.4 DLL复位位（ A8 ） ................................................................................................................16

7.10.5模式寄存器/扩展模式寄存器位的变化（ BA0 ， BA1 ） ................................. ...... 16

7.10.6扩展模式寄存器场........................................... .................................................. 0.16

7.10.7保留字段......................................................................................................................16

8.

运行模式.................................................................................................................... 17

8.1

8.2

8.3

8.4

简化的真相Table........................................................................................................ 17

功能真值表......................................................................................................... 18

功能真值表CKE ............................................. ............................................... 21

简化的叙述性图............................................... .................................................. 22

绝对最大Ratings............................................................................................... 23

建议的直流工作条件.............................................. ........................... 23

Capacitance....................................................................................................................... 24

泄漏和输出缓冲特性............................................. ......................... 24

DC Characteristics............................................................................................................. 25

AC特性与使用条件............................................. ........................ 26

AC测试Conditions............................................................................................................ 28

AC过冲/下冲规范地址和控制引脚........................... 30

过冲/下冲规范数据，频闪灯，掩码引脚............................ 31

命令输入时序..................................................................................................... 32

时序CLK信号............................................. .................................................. .. 32

读时序（突发长度= 4 ） .......................................... .............................................. 33

写时序（突发长度= 4 ） .......................................... .............................................. 34

DM ，数据屏蔽（ W9425G6EH ） ........................................... .......................................... 35

模式寄存器设置（ MRS）时序........................................... .......................................... 36

扩展模式寄存器设置（ EMRS ）时序.......................................... ............................. 37

自动预充电时间（读周期， CL = 2 ） ..................................... ............................. 38

自动预充电时间（读周期， CL = 2 ） ，继续.................................... .............. 39

9.

电气特性................................................ ............................................ 23

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

9.6

9.7

9.8

9.9

10.

时序波形................................................................................................................ 32

10.1

10.2

10.3

10.4

10.5

10.6

10.7

10.8

10.9

10.10自动预充电时间（写周期） ......................................... ....................................... 40

10.11读取读取（ CL = 2 ， BL = 2 ， 4 ， 8 ）中断................................ .............................. 41

10.12突发读取停止（ BL = 8 ） ......................................... .................................................. ....... 41

10.13读取写入& BST中断（ BL = 8 ） ..................................... .................................. 42

10.14读取预充电（ BL = 8 ）中断........................................ ................................... 42

10.15写了写（ BL = 2 ， 4 ， 8 ）中断.................................... ....................................... 43

-2-

出版日期：四月11 ， 2008

修订版A04

W9425G6EH

10.16写了读（ CL = 2 ， BL = 8 ）中断.................................... ................................... 43

10.17写了读（ CL = 3 ， BL = 4 ）中断.................................... ................................... 44

10.18写了预充电（ BL = 8 ）中断........................................ ................................... 44

10.19 2央行交错读取操作（ CL = 2 ， BL = 2 ） ................................... ...................... 45

10.20 2央行交错读取操作（ CL = 2 ， BL = 4 ） ................................... ...................... 45

10.21 4行交错读取操作（ CL = 2 ， BL = 2 ） ................................... ...................... 46

10.22 4行交错读取操作（ CL = 2 ， BL = 4 ） ................................... ...................... 46

10.23自动刷新Cycle............................................................................................................ 47

10.24预充电/激活省电模式进入和退出时机....................................... ... 47

在预充电掉电模式时序................. 47 10.25输入时钟频率变化

10.26自刷新进入和退出时机........................................... ........................................ 48

11.

12.

包规范....................................................................................................... 49

11.1

TSOP 66李 - 400万......................................................................................................... 49

修订历史................................................................................................................... 50

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出版日期：四月11 ， 2008

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W9425G6EH

1.概述

W9425G6EH是CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器（DDR

SDRAM ） ，组织为4,194,304字

×

4银行

×

16位。 W9425G6EH提供了数据带宽

每秒高达500M字（-4） 。为了完全符合个人电脑行业标准，

W9425G6EH被分类为以下速度等级： -4 / -5 / -6和-75 。 -4是符合的

DDR500 / CL3规范。 -5是符合的DDR400 / CL3规范。 -6兼容

到DDR333 / CL2.5规范。在-75是符合的DDR266 / CL2规范。

所有的输入参考CLK的上升沿（除了DQ ， DM和CKE ） 。定时基准

点的差分时钟是当CLK和

CLK

转换期间信号交叉。写和

读出的数据与DQS （数据选通）的两个边缘同步。

通过具有可编程的模式寄存器，系统可以改变脉冲串的长度，延迟周期

交错或顺序突发最大限度地发挥其性能。 W9425G6EH是理想的主存

高性能的应用。

2.特点

2.5V

±0.2V

电源的DDR266 / 400分之333

2.6V

±0.1V

电源的DDR500

高达250 MHz的时钟频率

双倍数据速率的架构;每个时钟周期2的数据传输

差分时钟输入（ CLK和

CLK

)

DQS是边沿对齐与读取数据;中心对齐与写入数据

CAS延迟： 2 ， 2.5和3

突发长度： 2,4和8

自动刷新和自刷新

预充电，关机和主动关机

写数据面膜

写延时= 1

7.8μS刷新间隔（ 8K / 64ms的刷新）

最大连拍数量刷新周期： 8

接口： SSTL_2

包装TSOP II 66针，采用无铅材料，符合RoHS标准

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W9425G6EH

3.主要参数

符号

描述

CL = 2

t

CK

时钟周期时间

CL = 2.5

CL = 3

t

RAS

t

RC

I

DD0

I

DD1

I

DD4R

I

DD4W

I

DD5

I

DD6

活跃

期

to

预充电

命令

最小/最大。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

马克斯。

分钟。

分钟。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

-4

-

-

-

-

4纳秒

10纳秒

36纳秒

52纳秒

110毫安

150毫安

210毫安

210毫安

190毫安

3毫安

-5

7.5纳秒

12纳秒

6纳秒

12纳秒

5纳秒

12纳秒

40纳秒

55纳秒

110毫安

150毫安

180毫安

180毫安

190毫安

3毫安

-6

7.5纳秒

12纳秒

6纳秒

12纳秒

6纳秒

12纳秒

42纳秒

60纳秒

110毫安

150毫安

170毫安

170毫安

190毫安

3毫安

-75

7.5纳秒

12纳秒

7.5纳秒

12纳秒

7.5纳秒

12纳秒

45纳秒

67.5纳秒

110毫安

150毫安

160毫安

160毫安

190毫安

3毫安

主动为ref /激活命令时期

工作电流：

一家银行主动预充电

工作电流：

一家银行的主动 - 读预充电

突发读取操作电流

突发写操作电流

自动刷新当前

自刷新电流

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修订版A04