STP5NK100Z - STF5NK100Z
STW5NK100Z
N沟道1000V - 2.7Ω - 3.5A - TO- 220 / TO- 220FP / TO- 247
齐纳保护的超网功率MOSFET
一般特点
TYPE
STF5NK100Z
STP5NK100Z
STW5NK100Z
■
■
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
1000 V
1000 V
1000 V
R
DS （ ON）
< 3.7
< 3.7
< 3.7
I
D
3
3.5 A
3.5 A
3.5 A
TO-220
1
2
TO-220FP
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
TO-247
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
stripbased的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STF5NK100Z
STP5NK100Z
STW5NK100Z
记号
F5NK100Z
P5NK100Z
W5NK100Z
包
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
管
管
管
2006年8月
转4
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www.st.com
16
目录
STP5NK100Z - STF5NK100Z - STW5NK100Z
目录
1
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
的栅极 - 源极的齐纳二极管的保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................ 7
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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STP5NK100Z - STF5NK100Z - STW5NK100Z
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
价值
TO-220/TO-247
TO-220FP
V
V
3.5
(1)
2.2
(1)
14
(1)
30
0.24
4000
4.5
-
2500
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
3.5
2.2
14
125
1
1000
± 30
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
门源ESD
（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5ΚΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（ T = 1秒; TC = 25 ° C）
工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
3.5A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表2中。
符号
热数据
参数
TO-220
TO-247
价值
TO-220FP
4.2
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
单位
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
1
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电气额定值
STP5NK100Z - STF5NK100Z - STW5NK100Z
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
3.5
250
单位
A
mJ
表4 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅源击穿电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
1.1
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
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STP5NK100Z - STF5NK100Z - STW5NK100Z
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值，
TC = 125°C
分钟。
1000
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
门体漏电流
V
GS
= ± 20V
(V
GS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.75 A
3
3.75
2.7
4.5
3.7
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
osseq(2).
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
测试条件
分钟。
典型值。
4
1154
106
21.3
46.8
22.5
7.7
51.5
19
42
7.3
21.7
59
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
正向跨导V
DS
= 15V ，我
D
= 1.75A
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0V至800V
V
DD
= 500 V，I
D
= 1.75 A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（见
图20）
V
DD
= 800V ，我
D
= 3.5 A
V
GS
=10V
（见
图21）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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