初步W49F201
在快100毫秒（典型值）完成。主机系统不需要提供任何控制或定时
在此操作。对整个存储器阵列将被擦除到FF （十六进制） 。由芯片擦除操作
如果引导块编程锁定功能没有被激活。一旦引导块锁定功能
激活后，芯片擦除功能将擦除除启动模式下，所有的部门。
扇区擦除操作
的三个扇区，主存储器和两个参数块，可以通过启动一个独立擦除
6个字的指令序列。扇区地址被锁存，第六周期的下降沿WE边缘
而30 （十六进制）的数据输入命令被锁存在WE的上升沿。该命令之后
负荷周期时，器件进入内部扇区擦除模式，自动定时和意志
在快100毫秒（典型值）内完成。主机系统不需要提供任何控制或
在此操作期间定时。擦除后，设备将自动返回到正常读模式
操作完成。数据轮询和/或翻转位可用于检测擦除周期的结束。
当引导块锁定功能失活，引导块和主存储器块将
删除在一起。一旦引导块被锁定时，只在主存储器块将被擦除
执行扇区擦除操作。
程序运行
该W49F201编程就一个字，用字的基础。编程操作只能改变逻辑
数据"1"至逻辑数据"0"擦除操作（在主存储器和/或引导改变整个数据
街区"0"到"1"编程之前需要。
由4个字的指令周期启动的程序运行（参见命令代码的Word
编程） 。该装置将内部的字处理后，立即进入程序操作
程序命令的输入。内部程序计时器会自动超时（ 50
S
最大。 -
T
BP
）一旦完成并返回到正常读模式。数据轮询和/或翻转位可以用来
检测项目周期的结束。
硬件数据保护
存储在W49F201的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：
（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一WE脉冲不会启动写周期。
(2) V
DD
上电/掉电检测：编程操作时，禁止V
DD
小于
2.5V典型。
（ 3 ）写禁止模式：强制OE低， CE高，否则我们高会抑制写操作。这
防止在上电或掉电期间意外写入。
(4) V
DD
上电延时：当V
DD
已经达到了层次感，设备会自动超时
5毫秒的任何写操作（擦除/编程）操作之前。
数据轮询（ DQ
7
） - 写状态检测
该W49F201包括数据查询功能，以指示一个节目的结束或擦除周期。当
在W49F201是在内部编程或擦除周期，任何尝试读取DQ
7
最后一个字
加载将接收的真实数据的补码。一旦程序或擦除周期完成时，
DQ
7
会显示出真实的数据。需要注意的是DQ
7
将在擦除周期中表现出的逻辑"0" ，并成为
当擦除周期已经完成逻辑"1"或真实数据。
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