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W29EE011

128K

8 CMOS FLASH MEMORY

概述

该W29EE011是1兆位， 5伏的CMOS只闪光灯组织成128K存储器

8位。该

装置可以编程和擦除系统与标准的5V电源。一个12伏V

不是必需的。该W29EE011的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作

具有极低的电流消耗（相对于其他可比的5伏闪存产品）。

该设备还可以被编程和擦除使用标准EPROM编程。

特点

单5伏的编程和擦除操作

快速页写操作

每页128字节

页编程周期： 10 ms（最大值）

有效字节的程序循环时间： 39

可选的软件保护的数据写入

低功耗

工作电流：25 mA（典型值）

（典型值）。

内部V程序自动计时

GENERATION

节目结束检测

切换位

数据轮询

快速的芯片擦除操作： 50毫秒

读访问时间：一百五十○分之九十零纳秒

网页编程/擦除周期： 1K / 10K

十年的数据保留

软件和硬件的数据保护

锁存地址和数据

TTL兼容的I / O

JEDEC标准的字节宽引脚

可用的软件包： 32引脚600密耳DIP ， TSOP

（8 ×20mm的）， STSOP （8× 14毫米）和PLCC

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出版日期： 2002年2月19日

修订版A15

W29EE011

销刀豆网络gurations

框图

A16

A15

A12

DQ0

DQ1

DQ2

GND

#WE

A14

A13

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

GND

#CE

#OE

#WE

控制

产量

卜FF器

DQ0

32-pin

DIP

DQ7

解码器

DQ0

V #

W N

D E

A16

A14

A13

A11

#OE

A10

#CE

DQ7

CORE

ARRAY

1 32 31 30

32-pin

PLCC

14 15 16 17 18 19 20

引脚说明

符号

A16

D D摹

Q Q

1 2 D

D D

Q Q

5 6

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

电源

地

无连接

A11

A13

A14

#WE

A16

A15

A12

#OE

A10

#CE

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

GND

DQ2

DQ1

DQ0

DQ7

#CE

#OE

#WE

GND

32-pin

TSOP

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W29EE011

功能说明

读取模式

该W29EE011的读操作是由#CE和#OE ，这两者都必须为低电平控制

主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时，芯片

被取消选择，并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制，用于栅极

从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时，无论#CE或#OE高。

参考定时波形的进一步细节。

页写模式

该W29EE011被编程以页为单位。每一页包含128个字节的数据。如果一个字节

在页面内的数据将被改变，对于整个页面的数据必须被加载到设备中。任何字节

这是不加载的页面的编程期间将被删除，以"FFh" 。

通过强制#CE和#WE低和#OE高启动写操作。写程序

包括两个步骤。步骤1是字节负载循环，其中，所述主机写入的页缓冲器

装置。步骤2是一个内部编程周期，在此期间，在页面缓冲器中的数据是

同时被写入到非易失性存储器的存储器阵列。

在字节负载周期中，地址是通过任一#CE或#WE的下降沿锁存

为准过去。该数据由任一#CE或#WE的上升沿，取发生锁存

第一。如果主机加载第二个字节到字节负载周期时间内的页缓冲器（T

BLC

） 200

初始字节负载周期之后， W29EE011将停留在页面载入周期。额外的字节可以

然后被连续加载。页面载入周期将被终止，并且在内部编程

如果没有额外的字节装入内300页缓冲器周期将开始

BLCO

）从上

字节负载循环，即有后的最后一个上升沿没有后续#WE高向低转换

#WE 。一

到A

指定的页面地址。被加载到页缓冲器中的所有字节必须具有

同样的页面地址。一

到A

指定的页中的字节地址。该字节可以在被加载

任何命令;不要求顺序装载。

在内部编程周期中，在页缓冲器中的所有数据，即128字节的数据，写入

同时到存储器阵列。在完成内部编程周期之前，

主机可以自由地执行其他任务，如获取系统中的其他位置的数据，以准备

写下一页。

软件保护的数据写

该器件提供了JEDEC批准的可选软件保护的数据写入。一旦这个方案是

启用时，任何写操作需要一系列的三字节的程序命令（与特定的数据到一

特定地址），以将数据加载操作之前执行。这三个字节装入命令

序列开始页面加载周期，没有它的写操作将不会被激活。这写

方案提供了防止误写入周期，如周期噪声引发的最佳保护

在系统上电和断电。

该W29EE011附带启用该软件的数据保护。要启用该软件的数据

保护方案，执行三字节命令周期在一个页面载入周期的开始。该

器件将进入软件的数据保护模式，以及任何后续的写操作必须

前面的三字节的程序命令的周期。一旦启用，该软件的数据保护将

保持启用状态，除非禁用指令发出。电源转换不会复位软件

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出版日期： 2002年2月19日

修订版A15

W29EE011

数据保护功能。要重置设备未受保护的模式，一个6字节的命令序列

所需。表3列出了具体的规范和图10的时序图。

硬件数据保护

存储在W29EE011的数据的完整性也是硬件以下列方式保护：

（ 1 ）噪声/毛刺保护：小于15 ns的时间一#WE脉冲不会启动写周期。

(2) V

上电/掉电检测：编程和读操作被禁止时， V

比3.8V少。

（ 3 ）写禁止模式：强制#OE低， #CE高，或#WE高会抑制写操作。这

防止在上电或掉电期间意外写入。

数据轮询（ DQ

） -Write状态检测

该W29EE011包括数据查询功能，以指示编程周期的结束。当

W29EE011是在内部编程周期，任何尝试读取DQ

过程中加载的最后一个字节的

页面/字节载入周期将接收的真实数据的补码。一旦编程周期

完成。 DQ

会显示出真实的数据。

切换位（ DQ

） -Write状态检测

除了数据轮询， W29EE011提供了另一种方法，用于确定所述端

项目周期。在内部编程周期，任何尝试连续读取DQ

将

产生交替的0和1的。当编程周期结束， 0之间的这种切换

和1的停止。该设备然后准备进行下一次操作。

5伏，仅软件芯片擦除

该芯片擦除模式可以通过一个6字节的命令序列来启动。该命令加载后

周期，器件进入内部芯片擦除模式，自动定时的会

在50ms内完成。主机系统不需要在此提供的任何控制或定时

操作。

产品标识

产品ID的操作输出的制造商代码和设备代码。编程设备

自动匹配的设备，其正确的擦除和编程算法。

的制造商，设备代码可以通过软件或硬件的操作来访问。在

软件接入模式，一个6字节的命令序列，可以被用来访问该产品ID。读

从地址0000H输出制造商代码（ DAH ）。从地址0001H读输出

设备代码（ C1H ）。产品ID的操作可以通过一个3字节的命令序列被终止。

在硬件访问方式，访问到的产品ID是通过迫使#CE和#OE低， #WE激活

高，并提高A9至12伏。

注意： SID读功能的硬件，不包含在所有部分;请参阅订购信息。

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W29EE011

TABLE操作模式

操作模式选择

经营范围为0 70℃ （环境温度），V

DD =

±10%,

= 0V, V

= 12V

模式

#CE #OE #WE

读

写

待机

写禁止

输出禁用

5伏软件芯片擦除

产品编号

引脚

地址

DOUT

DIN

高Z

高Z / D

OUT

高Z / D

OUT

高Z

制造商代码DA

（十六进制）

DQ 。

A0 = V

; A1

A16 = V

;

A9 = V

A0 = V

; A1

A16 = V

;器件代码

C 1 （十六进制）

A9 = V

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出版日期： 2002年2月19日

修订版A15