初步W27C020M
256K
×
8电可擦除EPROM
概述
该W27C020M是一个高速，低功率电可擦除和可编程只读
内存组织为262144
×
8位可以工作在单5伏电源。该W27C020M
提供电芯片擦除function.The W27C020M被设计在3.3VI使用/ O总线
接口enviornment 。
特点
高速存取时间：
70/90/120纳秒（最大）
阅读工作电流：30 MA（最大）
擦除/编程工作电流：
30毫安（最大）
单5V电源
+ 14V的擦除/ + 12V的编程电压
全静态操作
输出电平： 3.3V输出兼容
所有输入和输出直接TTL / CMOS
兼容
三态输出
可用的软件包： 32引脚600密耳DIP和
PLCC
销刀豆网络gurations
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
PGM
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
框图
PGM
CE
OE
控制
产量
卜FF器
Q0
.
Q7
7 32引脚DIP 26
A0
.
A17
V
CC
GND
V
PP
CORE
解码器
ARRAY
/
A A A V V P A
1 1 1 P C G 1
2 5 6 P C M 7
3 2 1 3 3 3
2 1 0
29
28
27
26
32引脚PLCC
25
24
23
1 1 1 1 1 2 22
5 6 7 8 9 0 21
引脚说明
符号
A0A17
Q0Q7
CE
OE
PGM
V
PP
V
CC
GND
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
项目启用
编程/擦除电源电压
电源
地
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
4
5
6
7
8
9
10
11
12 1
13 4
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q Q摹Q Q Q Q
1 2 N 3 4 5 6
D
-1-
出版日期： 1999年3月
修订版A1
初步W27C020M
功能说明
读取模式
像常规UVEPROMs ，所述W27C020M具有两个控制功能，这两者产生的数据
在输出端。
CE是功率控制和片选。 OE控制输出缓冲器到栅极的数据到输出引脚。
当地址是稳定的，该地址访问时间（T
加
）等于延迟从CE到输出
(T
CE
） ，以及数据可在输出
OE
OE的下降沿后，如果T
加
和T
CE
计时
得到满足。
擦除模式
擦除操作是从"0"数据更改为"1."不同于传统的UVEPROMs的唯一途径，
其中使用紫外线来擦除整个芯片（一个过程，要求多达一半的内容
一个小时） ，则W27C020M采用电擦除。一般情况下，该芯片可以在100毫秒内被删除
采用EPROM写入器具有特殊的擦除算法。
擦除模式进入当V
PP
被升高到V
PE
(14V), V
CC
= V
CE
（ 5V ） ，低CE ， OE高， A9 = V
ID
（ 14V ） ， A0低
,
和所有其他地址引脚为低电平，数据输入引脚高。脉冲PGM低启动
擦除操作。
擦除验证模式
在擦除操作之后，所有的芯片中的字节必须进行验证，以检查它们是否已经
成功擦除到"1"与否。擦除校验模式可自动确保大幅擦除
利润率。此模式将擦除操作后，如果要输入V
PP
= V
PE
（ 14V ） ， CE低， OE低
,
PGM高
.
编程模式
编程被执行，正是因为它是在常规UVEPROMs和编程是唯一
办法单元格数据改变从"1"至"0."程序模式时输入V
PP
被升高到V
PP
(12V), V
CC
= V
CP
（5V） ，CE低，OE高时，地址引脚等于所需的地址，并在
输入引脚等于所需输入。脉冲PGM低开始编程操作。
程序校验模式
所有在芯片中的字节必须进行验证，以检查其是否已被成功
编程所需的数据或没有。因此，在每个字节进行编程，编程验证
操作应该被执行。该程序验证模式可自动确保大幅
项目保证金。该模式将在程序运行后，如果输入V
PP
= V
PP
（ 12V ） ，CE低
,
OE低
,
和PGM高。
擦除/编程禁止
擦除或编程禁止模式允许并行擦除或多个芯片用不同的编程
数据。当CE高，擦除或者非目标芯片编程被抑制，从而使除
CE的W27C020M可能有共同的投入。
-2-
初步W27C020M
待机模式
在待机模式下显著降低V
CC
电流。该模式进入时， CE高。在待机状态
模式下，所有输出处于高阻抗状态，独立的OE和PGM的。
两线输出控制
由于EPROM中的大内存阵列经常使用的， W27C020M提供两个控制输入
为多个存储连接。两线控制提供尽可能低的功耗内存
耗散，并确保不会发生数据总线争用。
系统注意事项
EPROM电源开关特性需要仔细的去耦装置。系统设计人员
关注三个供电电流的问题：待机电流水平（我
SB
） ，有源电流电平（I
CC
),
并制作了CE的上升沿和下降沿的瞬态电流峰值。瞬态电流
大小取决于设备输出的容性和感性负载。两线控制
适当的去耦电容的选择将抑制瞬态电压尖峰。每个设备都应该有
a 0.1
F
陶瓷电容器，连接它的V之间
CC
和GND 。这种高频率，低inherent-
电感电容应尽可能靠近设备。此外，对于每八个
设备， 4.7
F
电解电容应放置在阵列的电源连接
V之间
CC
和GND 。大容量电容器将克服由PC电路板迹线电压衰退
电感。
TABLE操作模式
V
PP
= 12V, V
PE
= 14V, V
HH
= 12V, V
CP
= 5V, V
CE
= 5V, V
ID
= 14V ，X = V
IH
或V
IL
模式
CE
读
输出禁用
待机（ TTL）的
待机（CMOS）
节目
程序校验
禁止程序
抹去
擦除验证
禁止删除
产品识别系统，
生产厂家
产品标识符的设备
V
IL
V
IL
V
IH
V
CC
±0.3V
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
V
IL
PGM
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IH
X
X
X
引脚
A0
X
X
X
X
X
X
X
V
IL
X
X
V
IL
V
IH
A9
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
X
X
V
HH
V
HH
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CP
V
CC
V
CP
V
CE
V
CC
V
CE
V
CC
V
CC
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
PE
V
PE
V
PE
V
CC
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
FF （十六进制）
D
OUT
高Z
DA （十六进制）
85 （十六进制）
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出版日期： 1999年3月
修订版A1
初步W27C020M
DC特性
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
所有引脚相对于地面除V电压
CC,
V
PP
和A9引脚
在V电压
CC
引脚对地
在V电压
PP
引脚对地
电压A9引脚相对于地面
等级
0至+70
-65到+125
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到+7
-0.5至14.5
-0.5至14.5
单位
°C
°C
V
V
V
V
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能寿命和可靠性产生不利影响
该装置。
DC擦除特性
(T
A
= 25° C
±5°
C，V
CC
= 5.0V
±5%,
V
HH
= 14V)
参数
符号。
条件
分钟。
范围
典型值。
-
-
马克斯。
10
30
单位
A
mA
输入负载电流
V
CC
擦除电流
I
LI
I
CP
V
IN
= V
IL
或V
IH
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
PGM = V
IL
， A9 = V
HH
-10
-
V
PP
擦除电流
I
PP
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
PGM = V
IL
， A9 = V
HH
-
-
30
mA
输入低电压
输入高电压
输出低电压（验证）
输出高电压（验证）
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
OH2
-
-
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -0.4毫安
I
OH
= -0.1毫安，V
CC
=
5V
-
-
-
-0.3
2.4
-
2.4
-
13.75
13.75
4.75
-
-
-
-
-
14.0
14.0
5.0
0.8
5.5
0.45
-
3.8
14.25
14.25
5.25
V
V
V
V
V
V
V
V
A9擦除电压
V
PP
擦除电压
V
CC
电源电压（擦除）
V
ID
V
PE
V
CE
注： V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
.
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初步W27C020M
电容
(V
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
12
单位
pF
pF
AC特性
AC测试条件
参数
70纳秒
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考
水平
输出负载
0至3.0V
5纳秒
1.5V/1.5V
C
L
= 30 pF的，
I
OH
/I
OL
= -0.4毫安/ 2.1毫安
条件
一百二十零分之九十○纳秒
0.45V至2.4V
10纳秒
0.8V/2.0V
C
L
= 100 pF的，
I
OH
/I
OL
= -0.4毫安/ 2.1毫安
交流测试负载和波形
+1.3V
(IN914)
3.3K欧姆
D
OUT
100 pF对于一百二十○分之九十零纳秒（包括跳汰机和范围）
30 pF的70纳秒（包括跳汰机和范围）
输入/ Outpu
t
2.4V
测试点
2.0V
0.8V
2.0V
0.8V
测试点
对于一百二十零分之九十零纳秒
0.45V
测试点
3.0V
测试点
1.5V
70纳秒
0V
1.5V
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出版日期： 1999年3月
修订版A1
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