W24L010A
128K
×
8高速CMOS静态RAM
概述
该W24L010A是一款高速，低功耗CMOS静态RAM组织为131072
×
8比特
运行在一个单一的3.3伏电源。该器件采用华邦制造高
高性能CMOS技术。
特点
高速存取时间： 15年10月12日纳秒（最大）
低功耗：
主动： 300毫瓦（典型值）。
所有输入和输出直接TTL / LVTTL
兼容
三态输出
可用的软件包： 32引脚300密耳SOJ ，
瘦DIP和TSOP
+ 3.3V单电源供电
全静态操作
PIN CONFIGURATIIONS
框图
V
DD
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I / O 8
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
V
SS
A0
.
.
A16
解码器
CORE
C 0重
ARRAY
CS2
CS1
OE
WE
控制
数据I / O
I/O1
.
.
I/O8
引脚说明
符号
A0A16
I/O1I/O8
CS1，CS2
WE
OE
V
DD
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
V
DD
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32-pin
TSOP
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
DQ3
DQ2
DQ1
A0
A1
A2
A3
-1-
出版日期： 1999年9月
A2版
W24L010A
DC特性
绝对最大额定值
参数
电源电压V
SS
潜力
输入/输出到V
SS
潜力
允许功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
1.0
-65到+150
0至+70
单位
V
V
W
°C
°C
注：暴露于超出上述绝对最大额定值条件下可能的寿命和可靠性产生不利影响
装置。
真值表
CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
模式
未选择
未选择
输出禁用
读
写
I/O1I/O8
高Z
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
V
DD
当前
I
SB
, I
SB1
I
SB
, I
SB1
I
DD
I
DD
I
DD
工作特性
(V
DD
= 3.3V
±5%,
V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏
当前
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
符号。
V
IL
V
IH
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
I
DD
测试条件
-
-
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
I / O
= V
SS
到V
DD
CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0毫安
10
CS1 = V
IL
,
CS2 = V
IH
I / O = 0毫安
周期= MIN
占空比= 100 ％
CS1
≥
V
DD
-0.2V或
CS2
≤
0.2V
12
15
分钟。
-0.5
+2.0
-10
-10
-
2.4
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
+0.8
V
DD
+0.5
+10
+10
0.4
-
130
120
100
15
5
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
待机功耗
电源电流
I
SB
I
SB1
CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
注：典型特征是在V
DD
= 3.3V ，T
A
= 25° C.
-2-
QQ：2881677436 复制
