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VVZ 70
VTO 70
VVZF 70
VTOF 70
三相
整流桥
初步数据
C
D
E
B
VVZ 70
VVZF 70
1
A
C
D
E
2
3
1
I
DAV
= 70 A
V
RRM
= 800-1600 V
2
3
1
A
C
D
E
2
3
1
A
V
RSM
V
帝斯曼
V
800
1200
1400
1600
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
TYPE
B
xxx
xxx
xxx
xxx
70-08io7
70-12io7
70-14io7
70-16io7
2
C
D
E
3
A
XXX =类型
5
4
6
B
5
4
6
B
VTO 70
VTOF 70
符号
I
DAV
I
DAVM
I
疲劳风险管理
, I
真有效值
I
FSM
, I
TSM
测试条件
T
K
= 85°C ，模块
模块
每腿
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
最大额定值
70
70
36
550
600
500
550
1520
1520
1250
1250
150
500
1000
10
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / μs的
A / μs的
V / μs的
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
g
特点
包以铜基板
隔离电压3000 V
平面钝化芯片
低正向压降
"快于电源端子
应用
供应直流电源设备
输入整流器的PWM逆变器
电池的直流电源
场供应直流电机
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环能力
小，重量轻
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
F2
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= 125°C
重复的，我
T
= 50 A
F = 50 Hz时，T
P
= 200
s
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A,
非重复性的，我
T
= 1/2 I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
∞;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
t
p
= 30
s
t
p
= 500
s
t
p
= 10毫秒
≤
≤
≤
（ dv / dt的）
cr
V
RGM
P
GM
P
GAVM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
10
5
1
0.5
-40...+125
125
-40...+125
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
安装力矩
T = 1分
t=1s
(M5)
（ 10-32 UNF ）
2500
3000
5 ± 15 %
44 ± 15 %
50
根据IEC 60747的数据指的是单个二极管/晶闸管，除非另有说明
对于电阻性负载的电桥输出。 IXYS保留更改限制，试验条件和正确的
尺寸。
版权所有1999 IXYS所有权利。
F2 - 51
VVZ 70
VTO 70
符号
I
D
, I
R
V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
R
thJC
R
thJH
d
S
d
A
a
测试条件
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
T
= 80 A;牛逼
VJ
= 25°C
特征值
≤
≤
5
1.64
0.85
11
≤
≤
≤
≤
≤
≤
≤
≤
≤
1.5
1.6
100
200
0.2
5
450
200
2
250
0.9
0.15
1.1
0.157
16.1
7.5
50
mA
V
V
m
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
s
s
K / W
K / W
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
VVZF 70
VTOF 70
对于只功率损耗计算
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
=
T
VJ
=
T
VJ
=
T
VJ
=
25°C
-40°C
25°C
-40°C
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25°C ;吨
P
= 10
s
I
G
= 0.45 A;迪
G
/ DT = 0.45 A / μs的
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
∞
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 1/2 V
DRM
I
G
= 0.45 A;迪
G
/ DT = 0.45 A / μs的
T
VJ
= T
VJM
; I
T
= 20 A，T
P
= 200
s;
的di / dt = -10 A / μs的典型值。
V
R
= 100V ;的dv / dt = 15 V / μs的; V
D
= 2/3 V
DRM
每个晶闸管/二极管; DC
每个模块
每个晶闸管/二极管; DC
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
马克斯。允许加速
F2
版权所有1999 IXYS所有权利。
F2 - 52
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