添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第130页 > VUM25-05
先进的技术信息
VUM 25-05
整流模块
三相功率因数校正
使用快速恢复外延二极管和MOSFET
1
V
DSS
= 500 V
I
D25
= 35 A
R
DS （ ON）
= 0.12
W
5
1
2
3
V
RRM （二极管）
V
600
V
DSS
V
TYPE
5
6
9
10
9
6
2
10
500
VUM 25-05E
3
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
I
S
I
SM
V
RRM
I
DAV
二极管
MOSFET
测试条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 10千瓦
连续
T
S
= 85°C
T
S
= 25°C
T
S
= 25 ° C，T
p
=
x
T
S
= 85°C
V
GS
= 0 V ，T
S
= 25°C
V
GS
= 0 V ，T
S
= 25 ° C，T
p
=
x
T
S
= 85°C ，矩形
d
= 0.5
T
VJ
= 45℃， t为10毫秒（ 50赫兹）
T = 8.3毫秒（ 60赫兹）
T
VJ
= 150℃， t为10毫秒（ 50赫兹）
T = 8.3毫秒（ 60赫兹）
T
S
= 85°C
最大额定值
500
500
±20
24
35
95
170
24
95
600
40
300
320
260
280
36
-40...+150
150
-40...+150
V
V
V
A
A
A
W
特点
q
与DCB陶瓷基板封装
对于PCB的焊接连接
MOUNTING
隔离电压3600 V
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
高低封装电感
高速开关
超快二极管
开尔文源驱动器，方便
q
q
q
q
q
A
A
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
V~
V~
q
应用
q
I
FSM
三相输入整流电源
因数校正由三个
模块VUM 25-05
q
对于电源， UPS ， SMPS ，
驱动器，焊接等。
P
T
VJ
T
JM
T
英镑
模块
优势
q
投入减少谐波含量
对应的标准电流
整流器产生最大直流
功率与给定的AC保险丝
宽输入电压范围
无需外部隔离
容易用两个螺丝安装
适用于波峰焊
高温和功率循环
能力
V
ISOL
M
d
重量
50/60赫兹
I
ISOL
1毫安
安装扭矩（ M5 ）
T = 1分
t=1s
3000
3600
q
2-2.5 / 18-22牛米/ lb.in 。
35
g
q
q
q
q
q
x
脉冲宽度限制T
VJ
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
826
VUM 25-05
符号
测试条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
500
2
V
V
nA
mA
W
W
S
V
ns
ns
nF
nF
nF
nC
0.38 K / W
1.65
1.4
1.5
0.25
7
V
V
mA
mA
mA
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
GINT
g
fs
V
DS
t
D（上）
t
D（关闭）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
R
thjs
V
F
I
R
二极管
MOSFET
V
GS
= 0 V，I
D
= 2毫安
V
DS
= 20 V，I
D
= 20毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
V
DS
= 15 V,
I
DS
= 24 A,
I
DS
= 12 A
V
GS
= 0 V
5
±500
2
0.12
1.5
30
1.5
100
220
8.5
0.9
0.3
350
V
DS
= 250 V，I
DS
= 12 A，V
GS
= 10 V
Zgen 。 = 1
W,
L-负荷
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0 V
V
DS
= 250 V，I
D
= 12 A,
I
F
V
R
V
R
= 22 A;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
=150°C
V
GS
= 10 V
= 600 V ，T
VJ
= 25°C
= 480 V ，T
VJ
= 25°C
T
VJ
=125°C
V
T0
r
T
I
RM
R
thjs
对于只功率损耗计算
T
VJ
= 125°C
I
F
V
R
= 30 A; - 二
F
/ DT = 240 A / MS
= 350 V，T
VJ
= 100°C
10
1.14
V
10兆瓦
11
A
1.8 K / W
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-4
VUM 25-05
80
A
70
60
I
D
50
40
30
20
10
0
0
2
4
V
DS
6
10 V
7V
6V
80
A
70
60
I
D
50
40
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
= 125
°
C
2.5
R
DS （ ON）
I
D
=18A
2.0
常态。
1.5
V
GS
= 5 V
30
20
1.0
0.5
10
0
8
V 10
2
3
4
V
GS
5
6
V 7
0.0
-50
0
T
VJ
50
100
°C
150
图。 1典型值。输出特性
I
D
= F（V
DS
） （MOSFET）
1.4
BV
DSS
V
GS （ TH）
1.2
V
GS （ TH）
V
DSS
图。 2典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
） （MOSFET）
12
V
10
8
V
DS
= 250 V
I
D
= 18 A
I
G
= 10毫安
6
图。 3典型。归
R
DS （ ON）
= F（T
VJ
） （MOSFET）
100
nF
10
C
C
国际空间站
1.0
常态。
0.8
V
GS
C
OSS
4
1
0.6
2
0
0
100
200
Q
g
300 NC 400
0.1
0
5
10
V
DS
15
C
RSS
0.4
-50
0
T
V
J
50
100
°C
150
V
20
图。 4典型。归BV
DSS
= F（T
VJ
)
V
GS （ TH）
= F（T
VJ
） （MOSFET）
80
s
60
g
fs
图。 5典型。导通栅极电荷
特色，V
GS
= F （Q
g
） （MOSFET）
120
A
100
80
I
F
60
40
图。 6典型。电容C = F （V
DS
),
F = 1兆赫（MOSFET）
3.0
C
2.5
Q
rr
2.0
1.5
1.0
0.5
典型值。
0.0
10
T
V
J
=100
°
C
V
R
= 350 V
马克斯。
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
= 25
°
C
I
F
= 37 A
I
F
= 74 A
I
F
= 37 A
I
F
= 18.5 A
40
20
20
0
0
20
40
60
I
D
80 A 100
0
0.5
1.0
1.5
V
F
2.0 V 2.5
100
- 二
F
/ DT
A/
m
s 1000
图。 7典型。跨导，
g
fs
= F（我
D
） （MOSFET）
图。 8正向电流随
电压降（二极管）
图。 9恢复电荷与-di
F
/ DT
（二极管）
826
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
VUM 25-05
50
一件T
V
J
=100
°
C
V
R
= 350 V
40
I
RM
30
I
F
= 37 A
I
F
= 74 A
I
F
= 37 A
I
F
= 18.5 A
马克斯。
K
t
1.4
0.6
s
1.2
t
rr
1.0
I
RM
0.8
0.2
典型值。
Q
r
0.1
0.3
0.5
0.4
T
V
J
=100
°
C
V
R
= 350 V
马克斯。
20
I
F
= 37 A
I
F
= 74 A
I
F
= 37 A
I
F
= 18.5 A
10
0.6
典型值。
0
0
100
200
300 400
- 二
F
/ DT
500
s
600
A/
m
0.4
20
0.0
40
60
80 100 120 140 160
°C
T
J
T
VJ
0
100
200
300 400
A/
m
s
600
500
- 二
F
/ DT
图。 10峰值反向电流对
- 二
F
/ DT （二极管）
18
V
16
14
V
FR
12
10
8
6
4
2
0
100
200
t
FR
0.3
V
FR
0.5
0.9
图。 11动力参数对比
结温（二极管）
图。 12恢复时间与
- 二
F
/ DT （二极管）
2.5
K / W
2.0
VUM 25
m
s
0.7
Z
thJC
1.5
二极管
1.0
0.5
t
FR
MOSFET
0.0
0.01
0.1
1
t
s
10
0.1
300 400 A/
m
s 600
500
di
F
/ DT
图。 13峰值正向电压 -
- 二
F
/ DT （二极管）
图。 14瞬态热阻抗结到外壳的所有设备
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
先进的技术信息
VUM 25-05
整流模块
三相功率因数校正
使用快速恢复外延二极管和MOSFET
1
V
DSS
= 500 V
I
D25
= 35 A
R
DS （ ON）
= 0.12
W
5
1
2
3
V
RRM （二极管）
V
600
V
DSS
V
TYPE
5
6
9
10
9
6
2
10
500
VUM 25-05E
3
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
I
S
I
SM
V
RRM
I
DAV
二极管
MOSFET
测试条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 10千瓦
连续
T
S
= 85°C
T
S
= 25°C
T
S
= 25 ° C，T
p
=
x
T
S
= 85°C
V
GS
= 0 V ，T
S
= 25°C
V
GS
= 0 V ，T
S
= 25 ° C，T
p
=
x
T
S
= 85°C ，矩形
d
= 0.5
T
VJ
= 45℃， t为10毫秒（ 50赫兹）
T = 8.3毫秒（ 60赫兹）
T
VJ
= 150℃， t为10毫秒（ 50赫兹）
T = 8.3毫秒（ 60赫兹）
T
S
= 85°C
最大额定值
500
500
±20
24
35
95
170
24
95
600
40
300
320
260
280
36
-40...+150
150
-40...+150
V
V
V
A
A
A
W
特点
q
与DCB陶瓷基板封装
对于PCB的焊接连接
MOUNTING
隔离电压3600 V
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
高低封装电感
高速开关
超快二极管
开尔文源驱动器，方便
q
q
q
q
q
A
A
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
V~
V~
q
应用
q
I
FSM
三相输入整流电源
因数校正由三个
模块VUM 25-05
q
对于电源， UPS ， SMPS ，
驱动器，焊接等。
P
T
VJ
T
JM
T
英镑
模块
优势
q
投入减少谐波含量
对应的标准电流
整流器产生最大直流
功率与给定的AC保险丝
宽输入电压范围
无需外部隔离
容易用两个螺丝安装
适用于波峰焊
高温和功率循环
能力
V
ISOL
M
d
重量
50/60赫兹
I
ISOL
1毫安
安装扭矩（ M5 ）
T = 1分
t=1s
3000
3600
q
2-2.5 / 18-22牛米/ lb.in 。
35
g
q
q
q
q
q
x
脉冲宽度限制T
VJ
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
826
VUM 25-05
符号
测试条件
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
500
2
V
V
nA
mA
W
W
S
V
ns
ns
nF
nF
nF
nC
0.38 K / W
1.65
1.4
1.5
0.25
7
V
V
mA
mA
mA
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
GINT
g
fs
V
DS
t
D（上）
t
D（关闭）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
R
thjs
V
F
I
R
二极管
MOSFET
V
GS
= 0 V，I
D
= 2毫安
V
DS
= 20 V，I
D
= 20毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
V
DS
= 15 V,
I
DS
= 24 A,
I
DS
= 12 A
V
GS
= 0 V
5
±500
2
0.12
1.5
30
1.5
100
220
8.5
0.9
0.3
350
V
DS
= 250 V，I
DS
= 12 A，V
GS
= 10 V
Zgen 。 = 1
W,
L-负荷
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0 V
V
DS
= 250 V，I
D
= 12 A,
I
F
V
R
V
R
= 22 A;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
=150°C
V
GS
= 10 V
= 600 V ，T
VJ
= 25°C
= 480 V ，T
VJ
= 25°C
T
VJ
=125°C
V
T0
r
T
I
RM
R
thjs
对于只功率损耗计算
T
VJ
= 125°C
I
F
V
R
= 30 A; - 二
F
/ DT = 240 A / MS
= 350 V，T
VJ
= 100°C
10
1.14
V
10兆瓦
11
A
1.8 K / W
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-4
VUM 25-05
80
A
70
60
I
D
50
40
30
20
10
0
0
2
4
V
DS
6
10 V
7V
6V
80
A
70
60
I
D
50
40
T
VJ
= 25
°
C
T
VJ
= 125
°
C
2.5
R
DS （ ON）
I
D
=18A
2.0
常态。
1.5
V
GS
= 5 V
30
20
1.0
0.5
10
0
8
V 10
2
3
4
V
GS
5
6
V 7
0.0
-50
0
T
VJ
50
100
°C
150
图。 1典型值。输出特性
I
D
= F（V
DS
） （MOSFET）
1.4
BV
DSS
V
GS （ TH）
1.2
V
GS （ TH）
V
DSS
图。 2典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
） （MOSFET）
12
V
10
8
V
DS
= 250 V
I
D
= 18 A
I
G
= 10毫安
6
图。 3典型。归
R
DS （ ON）
= F（T
VJ
） （MOSFET）
100
nF
10
C
C
国际空间站
1.0
常态。
0.8
V
GS
C
OSS
4
1
0.6
2
0
0
100
200
Q
g
300 NC 400
0.1
0
5
10
V
DS
15
C
RSS
0.4
-50
0
T
V
J
50
100
°C
150
V
20
图。 4典型。归BV
DSS
= F（T
VJ
)
V
GS （ TH）
= F（T
VJ
） （MOSFET）
80
s
60
g
fs
图。 5典型。导通栅极电荷
特色，V
GS
= F （Q
g
） （MOSFET）
120
A
100
80
I
F
60
40
图。 6典型。电容C = F （V
DS
),
F = 1兆赫（MOSFET）
3.0
C
2.5
Q
rr
2.0
1.5
1.0
0.5
典型值。
0.0
10
T
V
J
=100
°
C
V
R
= 350 V
马克斯。
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
= 25
°
C
I
F
= 37 A
I
F
= 74 A
I
F
= 37 A
I
F
= 18.5 A
40
20
20
0
0
20
40
60
I
D
80 A 100
0
0.5
1.0
1.5
V
F
2.0 V 2.5
100
- 二
F
/ DT
A/
m
s 1000
图。 7典型。跨导，
g
fs
= F（我
D
） （MOSFET）
图。 8正向电流随
电压降（二极管）
图。 9恢复电荷与-di
F
/ DT
（二极管）
826
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-4
VUM 25-05
50
一件T
V
J
=100
°
C
V
R
= 350 V
40
I
RM
30
I
F
= 37 A
I
F
= 74 A
I
F
= 37 A
I
F
= 18.5 A
马克斯。
K
t
1.4
0.6
s
1.2
t
rr
1.0
I
RM
0.8
0.2
典型值。
Q
r
0.1
0.3
0.5
0.4
T
V
J
=100
°
C
V
R
= 350 V
马克斯。
20
I
F
= 37 A
I
F
= 74 A
I
F
= 37 A
I
F
= 18.5 A
10
0.6
典型值。
0
0
100
200
300 400
- 二
F
/ DT
500
s
600
A/
m
0.4
20
0.0
40
60
80 100 120 140 160
°C
T
J
T
VJ
0
100
200
300 400
A/
m
s
600
500
- 二
F
/ DT
图。 10峰值反向电流对
- 二
F
/ DT （二极管）
18
V
16
14
V
FR
12
10
8
6
4
2
0
100
200
t
FR
0.3
V
FR
0.5
0.9
图。 11动力参数对比
结温（二极管）
图。 12恢复时间与
- 二
F
/ DT （二极管）
2.5
K / W
2.0
VUM 25
m
s
0.7
Z
thJC
1.5
二极管
1.0
0.5
t
FR
MOSFET
0.0
0.01
0.1
1
t
s
10
0.1
300 400 A/
m
s 600
500
di
F
/ DT
图。 13峰值正向电压 -
- 二
F
/ DT （二极管）
图。 14瞬态热阻抗结到外壳的所有设备
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-4
查看更多VUM25-05PDF信息
推荐型号
V7PB-15E33S
V43644Y04VCTG-75
VWRBS2-D5-S12-SIP
VASD1-S15-D15-SIP
VB-2151
VI-B11-MU-S
VSB-60TB
VRAE-10E1A1
V43658R04VXTG-10PC
V10P45
VMMK-3603
VI-263-MU-BM
VLMK31R1S2-GS18
VPS20-4000
VTP110F
VFC320CP
VB40100G
V560MC10
VF10M10330K
VGO55-08IO7
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VUM25-05
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
VUM25-05
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7994
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多VUM25-05供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！