V43658R04V
3.3伏8M ×64 UNBUFFERED SDRAM
模块
初步
CILETIV LESO M
特点
■
168针无缓冲8,388,608 ×64位
Oganization SDRAM DIMM
■
采用高性能128兆位， 8M ×16
SDRAM在TSOPII -54封装
■
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
■
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源
■
可编程CAS延迟，突发长度和
裹顺序（顺序&交错）
■
自动刷新（ CBR）和自刷新
■
所有的输入，输出是LVTTL兼容
■
4096刷新周期每64毫秒
■
串行目前检测（SPD）
■
SDRAM性能
描述
该V43658R04V内存模块组织
8388608 ×64位的168引脚双列直插式内存
模块（DIMM） 。在8M ×64的内存模块使用
4茂矽 - 华智8M ×16 SDRAM 。在x64模块
非常适用于高性能计算机的使用
系统中的存储密度和快速增加
访问时间是必需的。
产品型号
V43658R04VXTG-75
速度
GRADE
-75 ， CL = 3
（ 133兆赫）
-75PC ， CL = 2,3
（ 133兆赫）
-10PC ， CL = 2,3
（100 MHz）的
CON组fi guration
8M ×64
V43658R04VXTG-75PC
8M ×64
V43658R04VXTG-10PC
8M ×64
V43658R04V 1.0版2002年3月
1
V43658R04V
CILETIV LESO M
产品编号信息
V
茂矽
制成的
4
3
65
8
R
0
4
V
x深
摹 - XX
SDRAM
3.3V
宽度
深度
168针无缓冲DIMM
X16 COMPONENT
刷新
RATE 4K
速度
75PC = PC133 CL2,3
75
= PC133 CL3
10PC = PC100 CL2
无铅封装
G =金
部件
包装， T = TSOP
部件
转级
LVTTL
4银行
框图
10
CLK1/3
10pF
WE
CS0
WE
DQM0
I/O1–I/O8
10
DQM1
I/O9–I/O16
10
CS2
WE
DQM2
I/O17–I/O24
10
DQM3
I/O25–I/O32
10
UDQM
I/O9–I/O16
DQM7
I/O57–I/O64
10
CKE0
RAS
CAS
WP
47K
CS
DQM4
I/O33–I/O40
10
DQM5
I/O41–I/O48
10
WE
LDQM
I/O1–I/O8
UDQM
I/O9–I/O16
CS
LDQM
I/O1–I/O8
UDQM
I/O9–I/O16
D0
D2
CS
DQM6
I/O49–I/O56
10
WE
LDQM
I/O1–I/O8
UDQM
I/O9–I/O16
CS
LDQM
I/O1–I/O8
D1
D3
E
2
PROM SPD （ 256字×8位）
SCL0
SA2
SA1
SA0
SDA
CKE ： SDRAM D0 -D3
RAS ： SDRAM D0 -D3
CAS ： SDRAM D0 -D3
WE： SDRAM D0 -D3
A（ 11 ： 0 ） ： SDRAM D0 -D3
BA0 ， BA1 ： SDRAM D0 -D3
D0–D3
C0–C7
D0–D3
两个0.1μF的电容器
按每个SDRAM
WE
A(11:0)
BA0 ， BA1
V
CC
10
D0/D2
D1/D3
CLK0/2
15pF
V
SS
2002年V43658R04V Rev.1.0三月
3
V43658R04V
CILETIV LESO M
SPD （续）表
字节Num-
BER
28
十六进制值
函数来描述
最小行主动向行主动延迟
t
RRD
最低RAS到CAS延迟时间T.
RCD
最低RAS脉冲宽度t
RAS
模块库密度（每行）
SDRAM的输入建立时间
SDRAM的输入保持时间
SDRAM的数据输入建立时间
SDRAM的数据输入保持时间
超集信息（可能在将来使用）
SPD修订
校验和字节0 - 62
制造商的JEDEC的ID代码
制造商的JEDEC的ID代码（续）
生产地点
模块部件号（ ASCII ）
PCB识别码
装配制造日期（年）
组装生产日期（周）
装配序列号
版权所有
英特尔规范频率
支持频率
未使用的存储位置
00
00
00
00
64
00
64
00
64
V43658R04V
茂矽
修订版2 / 1.2
SPD项值
14纳秒/ 15纳秒/ 16纳秒
-75PC
0E
-75
0F
-10PC
10
29
30
31
32
33
34
35
62-61
62
63
64
65-71
72
73-90
91-92
93
94
95-98
99-125
126
127
128+
15纳秒/ 20纳秒
42纳秒/ 45纳秒
64兆字节
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
0F
2A
10
15
08
15
08
00
02
D1
40
00
14
2D
10
15
08
15
08
00
02
16
40
00
14
2D
10
20
10
20
10
00
12
84
40
00
DC特性
T
A
= 0°C至70°C ; V
SS
= 0 V; V
DD
, V
DDQ
= 3.3V
±
0.3V
限值
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（I
OUT
= -2.0毫安）
输出低电压（I
OUT
= 2.0 mA）的
分钟。
2.0
–0.5
2.4
—
马克斯。
V
CC
+0.3
0.8
—
0.4
单位
V
V
V
V
2002年V43658R04V Rev.1.0三月
5
QQ：2881677436 复制
