VSP1000
www.ti.com
SBES023A
–
2011年9月
–
经修订的2011年10月
低功耗，高速缓冲
用于CCD传感器
检查样品：
VSP1000
1
特点
高速：
–
210 MHz时， 3分贝带宽
快速建立时间
可调有源负载电流
可调驱动力
低功耗： 20毫瓦
超小型封装：
–
1-mm
×
1毫米的超薄0.35毫米QFN
描述
该VSP1000是一种高速，低噪声，低功耗，
快速稳定，单位增益缓冲器。它是专
用于电荷耦合器件（CCD）之间用
传感器和模拟前端（ AFE的） 。该装置
具有可调节的有源负载电流，它可以加载
CCD传感器输出的正确。该VSP1000
还设有一个可调节输出驱动强度
可以根据带宽来设置
要求。在一个2 -mA驱动电流下，器件
提供了带宽为210 MHz时，其允许
具有良好的性能非常低的功率运行。一
超小型封装为1毫米
×
在1mm和0.35毫米
高度有助于节省印刷电路板（ PCB）的
空间，实现了非常低的轮廓。
该VSP1000非常适用于驱动德州仪器
的AFE ，用于CCD传感器，并且在一般情况下，任何
模拟 - 数字转换器（ADC ）输入。该
可调负载电流可以很容易地接口
用各种不同的CCD传感器的
生产厂家。
2
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权
2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
VSP1000
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2011年9月
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经修订的2011年10月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
封装/订购信息
(1)
产品
VSP1000
(1)
套餐 -
领导
QFN-6
包
代号
DSF
特定网络版
温度
范围
0 ° C至+ 85°C
包
记号
VSP1000DSF
订购
数
VSP1000DSFT
VSP1000DSFR
传输介质，
QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 5000
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在自由空气的温度范围内，除非另有说明。
VSP1000
电源电压
输入电压
输入电流
在偏置环境温度
储存温度
结温
封装温度（IR回流焊，峰值）
(1)
除了供应的任何引脚
VCC
20.0
–0.3
至VCC + 0.3
±10
–25
+85
–55
+125
+150
+250
单位
V
V
mA
°C
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
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典型特征
在T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 13 V ，R
IDRV
= 90千欧，R
ISF
= 300 kΩ的，和C
负载
= 22 pF的，除非另有说明。
带宽与IDRV
300
250
带宽（MHz ）
200
150
100
50
0
4
输入容限FROM V
CC
VS IDRV
输入容限FROM V
CC
(V)
60
80
100
IDRV （ μA ）
120
140
G001
3
2
1
0
50
100
150
IDRV （ μA ）
200
250
G006
图2中。
IDRV VS
IDRV
125
5
网络连接gure 3 。
输入负载电流与
ISF
75
输入负载电流（mA ）
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
G002
100
IDRV电流（ μA ）
4
3
50
2
25
1
0
0
100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650
R
ISF
(k)
G004
IDRV电阻值（kΩ ）
图4中。
IDRV与温度
80
3
2.8
75
IDRV （ μA ）
输入负载电流（mA ）
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
60
5
10
25
40
55
温度（℃）
70
85
G003
图5中。
输入负载电流与温度
70
65
1
0
12.5
25
37.5
50
温度（℃）
62.5
75
85
G005
图6 。
图7 。
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