VBO40-08NO6
标准整流器
3~
1~
整流器器
V
RRM
=
I
DAV
=
I
FSM
=
800 V
40 A
320 A
1 整流桥
产品型号
VBO40-08NO6
背面：隔离
3
2
1
4
特点/优势：
●
平面钝化芯片
●
非常低的漏电流
●
极低的正向电压降
●
改进的热行为
应用范围：
●
二极管的主要整治
●
对于一个相桥配置
●
供应直流电源设备
●
输入整流器的PWM逆变器
●
电池的直流电源
●
场供应直流电机
包装：
SOT- 227B （ minibloc ）
●
隔离电压： 3000 V
●
行业标准大纲
●
符合RoHS
●
环氧符合UL 94V- 0
●
底板：铜
DCB内部隔离
●
先进的功率循环
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130517b
版权所有 2013 IXYS所有权利
VBO40-08NO6
整流器器
符号
V
RSM
V
RRM
I
R
V
F
德网络nition
最大。重复反向阻断电压
反向电流
评级
条件
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125 °C
T
VJ
= 150 °C
d = 0.5
T
VJ
= 150 °C
0.81
12.1
1.3
0.10
T
C
= 25°C
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 °C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 °C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 25°C
11
95
320
345
270
295
510
495
365
360
V
m
K / W
K / W
W
A
A
A
A
As
As
As
As
pF
分钟。
典型值。
最大。非重复反向阻断电压
马克斯。
900
800
40
1.5
1.15
1.33
1.07
1.31
40
单位
V
V
A
mA
V
V
V
V
A
V
R
= 800 V
V
R
= 800 V
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
20 A
40 A
20 A
40 A
正向电压降
I
DAV
V
F0
r
F
R
thJC
R
thCH
P
合计
I
FSM
桥输出电流
T
C
= 115°C
矩形
阈值电压
斜率电阻
只有功率损耗计算
热阻结到外壳
热电阻的情况下到散热器
总功耗
最大。正向浪涌电流
I了
价值融合
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
T = 10毫秒; （ 50赫兹） ，正弦
T = 8.3毫秒; （ 60赫兹） ，正弦
C
J
结电容
V
R
= 400 V ; F = 1 MHz的
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130517b
版权所有 2013 IXYS所有权利
VBO40-08NO6
包
符号
I
RMS
T
英镑
T
VJ
重量
M
D
M
T
d
SPP /应用
d
国家邮政局/ APB
V
ISOL
安装力矩
终端扭矩
表面爬电距离|通过空中攻击距离
隔离电压
吨= 1秒
T = 1分钟
50/60赫兹， RMS ;我
ISOL
≤
1毫安
终端到终端
终端背面
SOT- 227B （ minibloc ）
德网络nition
RMS电流
储存温度
虚拟结温
评级
条件
每个终端
分钟。
-40
-40
典型值。
马克斯。
150
150
150
单位
A
°C
°C
g
Nm
Nm
mm
mm
V
V
30
1.1
1.1
10.5
8.6
3.2
6.8
3000
2500
1.5
1.5
产品标识
标志
YYWW
ABCDE
XXXXXX
产品型号
汇编代码
日期代码
流水线
订购
标准
产品型号
VBO40-08NO6
对产品标识
VBO40-08NO6
配送方式
管
QUANTITY
10
码号
475866
类似的部分
VBO40-12NO6
VBO40-16NO6
包
SOT- 227B （ minibloc ）
SOT- 227B （ minibloc ）
电压等级
1200
1600
等效电路的仿真
I
V
0
R
0
阈值电压
斜率电阻*
整流器器
*在芯片级
T
VJ
= 150 °C
V
0最大
R
0最大
0.81
10.2
V
m
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130517b
版权所有 2013 IXYS所有权利
VBO40-08NO6
概述SOT- 227B （ minibloc ）
3
2
1
4
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130517b
版权所有 2013 IXYS所有权利
VBO40-08NO6
整流器器
80
300
50赫兹
0.8× V
RRM
700
600
V
R
= 0 V
60
250
500
I
F
40
I
FSM
200
T
VJ
= 45°C
It
400
2
[A]
20
T
VJ
=
125°C
150°C
T
VJ
= 25°C
[A]
150
T
VJ
= 150°C
[A S]
300
200
2
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 150°C
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
100
10
-3
100
10
-2
10
-1
10
0
1
10
V
F
[V]
图。 1正向电流与
每个二极管的压降
T [ S]
图。 2浪涌过载电流
与每二极管的时间
2
T [毫秒]
图。 3 I吨对每个二极管的时间
28
24
20
DC =
1
0.5
0.4
0.33
0.17
0.08
R
thJA
:
0.6 KW
0.8 KW
1
2
4
8
KW
KW
KW
KW
80
DC =
1
60
0.5
0.4
0.33
P
合计
16
[W]
12
8
4
0
0
I
F（ AV ）M
40
0.17
0.08
[A]
20
0
5
10
15
20
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100 125 150
I
DAVM
[A]
图。 4功耗与正向电流
每二极管的环境温度
T
A
[°C]
T
C
[°C]
图。 5最大。正向电流与
每个二极管的外壳温度
1.6
1.2
常量Z的
thJC
计算方法：
Z
thJC
0.8
i
1
2
3
4
5
1
10
100
1000
10000
R
th
（K / W）
0.061
0.145
0.398
0.405
0.291
t
i
(s)
0.0002
0.0036
0.0200
0.1000
0.7000
〔 K / W〕
0.4
0.0
T [毫秒]
图。 6瞬态热阻抗结到外壳与每个二极管的时间
IXYS保留更改的限制，条件和尺寸的权利。
数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130517b
版权所有 2013 IXYS所有权利
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