VSMF4710
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS ， 870纳米，
的GaAlAs双异质
特点
封装类型：表面贴装
封装形式： PLCC - 2
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3.5× 2.8× 1.75
峰值波长：
λ
p
= 870 nm的
高可靠性
高辐射功率
94
8553
高辐射强度
半强度角：
= ± 60°
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
高调制带宽：F
c
= 24 MHz的
描述
VSMF4710是红外线， 870 nm的发射中的GaAlAs二极管
双异质（ DH）技术，具有较高的辐射功率和
高速成型的PLCC -2封装的表面
安装（ SMD ） 。
与硅光电探测器良好的光谱匹配
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
应用
高速红外数据传输
高功率发射器用于低空间应用
高性能透射式的或反射式传感器
产品概述
部件
VSMF4710
I
e
（毫瓦/ SR）
10
（度）
± 60
λ
P
（纳米）
870
t
r
（纳秒）
15
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VSMF4710-GS08
VSMF4710-GS18
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 7500件， 1500件/卷
最小起订量： 8000件， 8000件/卷
包装形式
PLCC-2
PLCC-2
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
/T = 0.5, t
p
=
100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
价值
5
100
200
1
160
单位
V
mA
mA
A
mW
文档编号： 81470
修订版1.2 ， 04 09月08
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VSMF4710
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 870纳米， GaAlAs的双异质
绝对最大额定值
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
命中率。图8 ，J -STD- 020
J- STD- 051 ，焊接在PCB
测试条件
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
250
单位
°C
°C
°C
°C
K / W
180
120
100
80
60
P
V
- 功耗（MW ）
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90
100
21344
R
thJA
= 250 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
R
thJA
= 250 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21343
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
截止频率
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
f
c
d
6
125
10
100
40
- 0.35
± 60
870
40
0.25
15
15
24
0.44
22
分钟。
典型值。
1.5
2.3
- 1.8
10
马克斯。
1.8
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
mm
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文档编号： 81470
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VSMF4710
高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 870纳米， GaAlAs的双异质
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
威世半导体
10 000
1.25
0.01
Φ
ê相对
- 相对辐射功率
t
p
/T = 0.005
T
AMB
< 60℃
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
1.0
0.75
0.5
0.25
I
F
= 100毫安
0
820
870
λ
-
波长
（纳米）
920
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
15821
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 相对辐射功率与波长
1000
I
ê相对
- 相对辐射强度
I
F
- 正向电流（mA ）
0°
10°
20°
30°
- 角位移
100
t
p
= 100
s
t
p
/T = 0.001
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
10
1
0
18873_1
1
2
3
4
94
8013
0.6
0.4
0.2
0
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对辐射强度对比角位移
100
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
10
t
p
= 100
s
1
0.1
1
18874
10
100
1000
I
F
- 正向脉冲电流（mA ）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
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VSMF4710
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 870纳米， GaAlAs的双异质
包装尺寸
以毫米为单位
3.5 ± 0.2
1.75 ± 0.1
PIN码识别
0.9
贴装焊盘布局
1.2
覆盖区域
同
阻焊
2.8 ± 0.15
C
A
2.6 (2.8)
2.2
4
2.4
3 + 0.15
1.6 (1.9)
20541
焊接温度曲线
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。舷梯
up
3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
19841
时间（s）
图。 8 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020D
磁带和卷轴
PLCC-2封装的组件都装在防静电吸塑带
（ DIN IEC （ CO） 564 ），自动元件插入。
泡罩带的空腔都覆盖着胶带。
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4
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高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 870纳米， GaAlAs的双异质
威世半导体
10.0
9.0
120°
胶带
4.5
3.5
吸塑带
2.5
1.5
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
13.00
12.75
63.5
60.5
部件腔
94
8670
图。 9 - 吸塑带
180
178
14.4最大。
94
8665
3.5
3.1
2.2
2.0
图。 12 - 卷轴- GS08的尺寸
10.4
8.4
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
4.0
3.6
8.3
7.7
120°
4.5
3.5
2.5
1.5
0.25
13.00
12.75
62.5
60.0
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
94
8668
图。 10 - 磁带尺寸（mm）的PLCC- 2
MISSING器件
最多每分量的总数的0.5％的
盘可能会丢失，在完全缺少的组件
开始，并在卷轴的端部。最多三个
连续的组件可能会丢失，只要这种差距
后面是六个连续的组件。
德缫丝方向
94
8158
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
321
329
14.4最大。
18857
图。 13 - 卷轴- GS18的尺寸
盖带去除力
去除力在于n的0.1 N和1.0在去除
速度为5毫米/秒。为了防止部件从
飞出的水泡，盖带必须拉断
在180 °相对于进给方向的角度。
> 160毫米
40空
车厢
分钟。 75空
车厢
磁带首
运营商的领导者
载拖车
图。 11 - 开始与卷筒结束
磁带引出是在至少160毫米，后面是
载带的领导者，至少40空隔间。该
磁带引出可包括载带，只要盖
磁带未连接到载体带。最少
组件之后是载带拖车用至少75
空隔间，并与盖带密封。
文档编号： 81470
修订版1.2 ， 04 09月08
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301
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