VSKL300-08PbF
日前，Vishay高功率产品
INT -A- PAK电源模块
可控硅/二极管， 300一个
特点
电隔离底板
3000 V
RMS
隔离电压
工业标准封装
简化机械设计，快速组装
高浪涌能力
大爬电距离
完全无铅（Pb ） - 免费
INT -A- PAK
RoHS指令
柔顺
应用
电池充电器
产品概述
I
T（ AV ）
300 A
焊工
电源转换器
发电机
主要额定值及特点
符号
V
RRM
/V
DRM
I
T（ AV ）
特征
值
800
300
T
C
50赫兹
60赫兹
50赫兹
60赫兹
53
6500
6900
214
195
2140
范围
- 40至140
单位
V
A
°C
A
I
TSM
I
2
t
I
2
√t
T
J
kA
2
s
kA
2
√s
°C
电气规格
电压额定值
类型编号
V
RRM
/V
DRM
最大
重复峰值
反向电压
V
800
V
RSM
/V
帝斯曼
最大
非重复性峰值
反向电压
V
900
I
RRM
/I
DRM
在125℃下
mA
50
VSKL300-08PbF
文档编号： 94557
修订： 29 09月08
如有技术问题，请联系： ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
1
VSKL300-08PbF
日前，Vishay高功率产品
INT -A- PAK电源模块
可控硅/二极管， 300一个
通态传导
参数
最大平均通态电流
在外壳温度
最大RMS通态电流
最大峰值，单周期
导通状态，非重复
浪涌电流
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
测试条件
180度通电半正弦波
作为AC开关
T = 10毫秒
I
TSM
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
我最大
2
吨融合
I
2
t
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
我最大
2
√t
对于融合
阈值电压的低电平值
阈值电压高的电平值
水平低价值的状态
斜率电阻
较高的电平值导通状态
斜率电阻
最大通态压降
SCR
二极管
I
2
√t
V
T(TO)1
V
T(TO)2
r
t1
r
t2
V
TM
V
FM
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
正弦半波，
初始的T
J
= T
J
最大
值
300
53
116
6600
6900
5500
5800
214
195
151
138
2140
0.796
0.868
0.972
mΩ
（I GT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
最大
T
J
= 25 ° C， 500 A I
pk
0.88
1.35
1.20
V
kA
2
√s
V
kA
2
s
A
单位
A
°C
T = 0.1 10毫秒，无电压重新申请
(16.7 % x
π
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
最大
（I GT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
最大
(16.7 % x
π
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
最大
开关
参数
典型的延迟时间
典型关断时间
符号
t
d
t
q
测试条件
栅电流1 A ，二
g
/ DT = 1 A / μs的
V
d
= 0.67 % V
DRM
, T
J
= 25 °C
I
TM
= 300 A，T
J
= T
J
最大， di / dt的= 20 A / μs的，V
R
= 50 V
的dV / dt = 20 V / μs的，门0 V 100
Ω,
t
p
= 500 s
值
1.0
s
100
单位
闭塞
参数
崛起的最大关键利率
断态电压
最大反向峰值和关闭状态
漏电流
RMS绝缘电压
符号
dv / dt的
I
DRM
,
I
RRM
V
插件
测试条件
T
J
= T
J
最大线性至67 ％额定V
DRM
T
J
= T
J
最大额定V
DRM
/V
RRM
应用的
50Hz时，电路的基础上，短路所有终端， t为1秒
值
500
50
3000
单位
V / μs的
mA
V
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INT -A- PAK电源模块
可控硅/二极管， 300一个
触发
参数
最大峰值功率门
最大平均功耗门
最大峰值正栅极电流
最大所需的直流栅极电压来触发
所需的最大直流栅极电流触发
最大保持电流
最大峰值正栅极电压
最大峰值负栅极电压
直流栅极电压不触发
直流栅极电流不触发
崛起的最大非重复率
导通的电流
符号
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GT
I
GT
I
H
+V
GM
-V
GM
V
GD
I
GD
的di / dt
T
J
= T
J
最大，T
p
≤
5毫秒
T
J
= T
J
最大
最大栅极电流/电压不触发是
这将不触发任何最大值
机组额定V
DRM
阳极到阴极施加
栅极驱动20 V ， 20
Ω,
t
r
≤
1 s
T
J
= T
J
最大，阳极电压
≤
80 % V
DRM
T
J
= 25 °C
阳极电压：12V阻性负载
测试条件
T
J
= T
J
最大，T
p
≤
5毫秒
T
J
= T
J
最大中，f = 50Hz时，旦·％ = 50
T
J
= T
J
最大，T
p
≤
5毫秒
值
10.0
2.0
3.0
3
200
600
20
5.0
0.30
10
单位
W
A
V
mA
日前，Vishay高功率产品
V
V
mA
1000
A / μs的
热和机械规格
参数
最大工作结
温度范围
最大存储温度范围
最大热电阻，
每个结点的结到外壳
最大热电阻，
案件每个模块散热片
MOUNTING
扭矩± 100 ％
大约重量
机箱样式
IAP到散热器
母线到IAP
符号
T
J
T
英镑
R
thJC
R
乡镇卫生院
直流操作
安装表面光滑，平整，涂油
一个安装化合物和建议
扭矩应一段时间后复查
3小时，以允许的传播
化合物。润滑螺纹。
测试条件
值
- 40至140
- 40150
0.19
K / W
0.035
46
500
17.8
INT -A- PAK
Nm
g
盎司
单位
°C
ΔR
传导PER JUNCTION
器件
180°
VSKL300
0.019
正弦传导
在T
J
最大
120°
0.022
90°
0.028
60°
0.041
30°
0.068
180°
0.013
长方形的导
在T
J
最大
120°
0.023
90°
0.031
60°
0.043
30°
0.069
K / W
单位
记
表示热电阻R的增加
thJC
当器件工作在不同的导通角比DC操作
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日前，Vishay高功率产品
INT -A- PAK电源模块
可控硅/二极管， 300一个
最大允许外壳温度（ ℃）
150
最大通态平均功耗（ W）
600
500
400
RMS限制
DC
100
30°
导通角
300
导通时间
50
60°
90°
120°
180°
200
100
0
0
100
200
300
0
0
50 100 150 200 250 300 350
通态平均电流（A）
180°
120°
90°
60°
30°
400
500
通态平均电流（A）
图。 1 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
最大允许外壳温度（ ℃）
峰值半正弦波通态电流（A ）
150
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
1
10
100
同等幅度半周期电流脉冲数（N ）
100
最大不重复浪涌电流
与脉冲串持续时间
最初的TJ = 140℃
没有再通电
额定VRRM重新申请
导通角
30°
50
60°
90°
120°
180°
0
0
100
200
300
400
500
通态平均电流（A）
图。 2 - 额定电流特性
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
最大通态平均功耗（ W）
峰值半正弦波通态电流（A ）
500
6500
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
0.01
0.1
1
10
最大不重复浪涌电流
与脉冲串持续时间
最初的TJ = 140℃
没有再通电
额定VRRM重新申请
400
RMS限制
300
200
导通角
100
0
0
50
180°
120°
90°
60°
30°
100 150 200 250 300 350
通态平均电流（A）
脉冲串持续时间（S ）
图。 3 - 通态功耗特性
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
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INT -A- PAK电源模块
可控硅/二极管， 300一个
10000
瞬时通态电流（A ）
日前，Vishay高功率产品
10000
瞬时通态电流（A ）
1000
TJ = 140℃
1000
100
100
10
TJ = 25°C
1
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
瞬时通态电压（V ）
10
TJ = 140℃
TJ = 25°C
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
瞬时通态电压（V ）
图。 7 - 通态压降特性 - SCR
图。 8 - 通态压降特性 - 二极管
瞬态热阻抗Z
thJC
（K / W）
1
0.1
0.01
0.001
单脉冲
（热电阻）
0.0001
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
方波脉冲持续时间（ S）
图。 9 - 热抗Z
thJC
特征
订购信息表
器件代码
VSK
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
L
2
300
3
-
08
4
PBF
5
模块类型
电路结构（L = SCR /二极管的倍阴性对照）的
额定电流（ 300 = 300 A）
电压额定值（ 08 = 800 V）
PBF =铅（Pb ） - 免费
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日前，Vishay高功率产品
INT -A- PAK电源模块
可控硅/二极管， 300一个
通态传导
参数
最大平均通态电流
在外壳温度
最大RMS通态电流
最大峰值，单周期
导通状态，非重复
浪涌电流
符号
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
测试条件
180度通电半正弦波
作为AC开关
T = 10毫秒
I
TSM
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
我最大
2
吨融合
I
2
t
T = 8.3毫秒
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
我最大
2
√t
对于融合
阈值电压的低电平值
阈值电压高的电平值
水平低价值的状态
斜率电阻
较高的电平值导通状态
斜率电阻
最大通态压降
I
2
√t
V
T(TO)1
V
T(TO)2
r
t1
r
t2
V
TM
V
FM
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
无电压
重新申请
100 % V
RRM
重新申请
正弦半波，
初始的T
J
=
T
J
最大
值
300
53
116
6600
6900
5500
5800
214
195
151
138
2140
0.796
0.868
0.972
mΩ
（I GT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
最大
T
J
= 25 ° C， 500 A I
pk
SCR
二极管
0.88
1.35
1.20
V
kA
2
√s
V
kA
2
s
A
单位
A
°C
吨= 0.1毫秒至10毫秒，没有再通电的
(16.7 % x
π
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
最大
（I GT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
最大
(16.7 % x
π
X我
T（ AV ）
＆ LT ; I＆ LT ;
π
X我
T（ AV ）
), T
J
最大
开关
参数
典型的延迟时间
典型关断时间
符号
t
d
t
q
测试条件
栅电流1 A ，二
g
/ DT = 1 A / μs的
V
d
= 0.67 % V
DRM
, T
J
= 25 °C
I
TM
= 300 A，T
J
= T
J
最大， di / dt的= 20 A / μs的，V
R
= 50 V
的dV / dt = 20 V / μs的，门0 V 100
Ω,
t
p
= 500 μs
值
1.0
μs
100
单位
闭塞
参数
崛起的最大关键利率
断态电压
最大反向峰值和关闭状态
漏电流
RMS绝缘电压
符号
dv / dt的
I
DRM
,
I
RRM
V
插件
测试条件
T
J
= T
J
最大线性至67 ％额定V
DRM
T
J
= T
J
最大额定V
DRM
/V
RRM
应用的
50Hz时，电路的基础上，短路所有终端， t为1秒
值
500
50
3000
单位
V / μs的
mA
V
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文档编号： 94557
修订： 04月10
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日前，Vishay高功率产品
INT -A- PAK电源模块
可控硅/二极管， 300一个
最大允许外壳温度（ ℃）
150
最大通态平均功耗（ W）
600
500
400
RMS限制
DC
100
30°
导通角
300
导通时间
50
60°
90°
120°
180°
200
100
0
0
100
200
300
0
0
50 100 150 200 250 300 350
通态平均电流（A）
180°
120°
90°
60°
30°
400
500
通态平均电流（A）
图。 1 - 额定电流特性
图。 4 - 通态功耗特性
最大允许外壳温度（ ℃）
150
峰值半正弦波通态电流（A ）
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
1
10
100
同等幅度半周期电流脉冲数（N ）
最大不重复浪涌电流
与脉冲串持续时间
最初的TJ = 140℃
没有再通电
额定VRRM重新申请
100
导通角
30°
50
60°
90°
120°
180°
DC
0
0
100
200
300
400
500
通态平均电流（A）
图。 2 - 额定电流特性
图。 5 - 最大不重复浪涌电流
最大通态平均功耗（ W）
峰值半正弦波通态电流（A ）
500
6500
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
0.01
0.1
1
10
最大不重复浪涌电流
与脉冲串持续时间
最初的TJ = 140℃
没有再通电
额定VRRM重新申请
400
RMS限制
300
200
导通角
100
0
0
50
180°
120°
90°
60°
30°
100 150 200 250 300 350
通态平均电流（A）
脉冲串持续时间（S ）
图。 3 - 通态功耗特性
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
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INT -A- PAK电源模块
可控硅/二极管， 300一个
10000
瞬时通态电流（A ）
日前，Vishay高功率产品
10000
瞬时通态电流（A ）
1000
TJ = 140℃
1000
100
100
10
TJ = 25°C
1
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
瞬时通态电压（V ）
10
TJ = 140℃
TJ = 25°C
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
瞬时通态电压（V ）
图。 7 - 在通态压降特性（ SCR）
图。 8 - 在通态压降特性（二极管）
瞬态热阻抗Z
thJC
（K / W）
1
0.1
0.01
0.001
单脉冲
（热电阻）
0.0001
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
方波脉冲持续时间（ S）
图。 9 - 热抗Z
thJC
特征
订购信息表
器件代码
VSK
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
L
2
300
3
-
08
4
PBF
5
模块类型
电路结构（L = SCR /二极管的倍阴性对照）的
额定电流（ 300 = 300 A）
电压额定值（ 08 = 800 V）
PBF =铅（Pb ） - 免费
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