R
EM微电子- MARIN SA
V3021
超低功耗1位32千赫的RTC
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
电源电流典型值为800 nA的在3 V
50 ns访问时间为50 pF负载电容
从2.0 V至5.5 V全面运作
无闲状态或时钟更新而危险
访问
在同一行一个标准的并行串行通信
数据总线或通过传统的3线串行接口
接口与Intel和Motorola兼容
秒，分钟，小时，月日，月，年，周
BCD格式的日期和星期数
闰年周数修正
时间设置的锁定模式，以防止未经授权的设置
当前时间或日期
振荡器的稳定性0.3 PPM /伏
无需外部电容
频率测量和测试模式
温度范围： - 40 + 85
o
C
封装DIP8和SO8
典型工作配置
WR或读/写
RD或DS
中央处理器
地址
解码器
地址总线
数据总线
CS
RD
WR
I / O
XI
XO
V3021
描述
在V3021是一款低功耗CMOS实时时钟。数据
串行发送的4个地址位和8个数据位，通过一个
行一个标准的并行数据总线。该装置是由访问
通过提供片选（ CS）与读写控制时序
无论是RD和WR脉冲（英特尔CPU）或DS凭借先进的R / W
（摩托罗拉CPU）。数据也可以通过发送
传统的3线串行接口有CLK ，数据I / O和
频闪。在V3021没有繁忙的状态和存在的危险
时钟的更新，同时访问。电源电流典型值为800
nA的在V
DD
= 3.0 V.电池操作支持完整的
至2.0V的功能的振荡器的稳定性通常是0.3
PPM / V 。
XI
XO
CS
V
SS
CS
RD
WR
内存
图。 1
引脚分配
DIP8 / SO8
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
电表
电池供电的便携设备
消费类电子产品
白色/黑色家电
付费电话
收银机
个人电脑
可编程控制器系统
数据记录仪
汽车电子
V
DD
V3021
WR
RD
I / O
图。 2
1
R
V3021
时序特性
V
SS
= 0 V和T
A
= - 40 + 85
O
C，除非另有规定编
参数
符号
t
CS
t
加
t
W
t
R
t
F
t
DF
t
DW
t
DH
t
ADW
t
WC
测试条件
分钟。
200
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DD
2 V
片选时间
1)
RAM的存取时间
两个转变之间的时间
2)
上升时间
2)
下降时间
3)
数据有效到高阻
4)
写数据建立时间
5)
数据保持时间
提前写入时间
6)
写脉冲时间
1)
V
DD
= 5.0V ± 10%
50
50
60
200
200
40
写周期
C
负载
= 50 pF的
180
500
10
10
10
60
80
25
200
200
200
100
100
10
10
15
50
25
10
50
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表4
t
加
从RD或CS开始，无论最后激活
通常情况下，T
加
= 5 + 0.9 C
EXT
在纳秒;其中C
EXT
（外部寄生电容）是pF的
2)
CS ， RD ， DS ， WR和R / W的上升和下降时间为t指定
R
和T
F
3)
t
DF
从RD或CS开始，无论哪个先停用
4)
t
DW
结束于WR或CS ，取其先停用
5)
t
DH
从WR或CS开始，无论哪个先停用
6)
t
WC
从WR或CS ，取其激活最后结束于WR或CS开始，无论哪个先停用
时序波形
阅读时间为英特尔（ RD和WR脉冲）和摩托罗拉（ DS （或RD引脚连接至CS ）和R / W）
t
CS
CS
t
加
RD / DS
WR / R / W
t
DF
I / O
数据有效
图。 5A
t
R
t
W
t
F
写时序英特尔（ RD和WR脉冲）
t
CS
CS
RD
t
WC
WR
t
DW
I / O
数据有效
图。 5B
t
DH
t
W
4
R
V3021
写时序摩托罗拉（ DS （或RD引脚连接至CS ）和R / W）
t
CS
CS
DS
读/写
t
DW
I / O
数据有效
t
DH
图。 5C
t
W
t
ADW
通信周期
读数据周期为英特尔（ RD和WR脉冲）
CS
DS
WR
I / O
A0
A1
A2
A3
D0
D1
mP
读取8个数据位
D7
mP
写4个地址位
图。 6A
读数据周期为摩托罗拉（ DS （或RD引脚与CS ）和R / W）
CS
DS
读/写
I / O
A0
A1
A2
A3
D0
D1
mP
读取8个数据位
D7
mP
写4个地址位
图。 6B
写数据周期为英特尔（ RD和WR脉冲）
CS
RD为“1”
“ 0”
WR
I / O
A0
A1
A2
A3
D0
D1
mP
读取8个数据位
D7
mP
写4个地址位
图。 6C
5
R
EM微电子- MARIN SA
V3021
超低功耗1位32千赫的RTC
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
电源电流典型值为800 nA的在3 V
50 ns访问时间为50 pF负载电容
从2.0 V至5.5 V全面运作
无闲状态或时钟更新而危险
访问
在同一行一个标准的并行串行通信
数据总线或通过传统的3线串行接口
接口与Intel和Motorola兼容
秒，分钟，小时，月日，月，年，周
BCD格式的日期和星期数
闰年周数修正
时间设置的锁定模式，以防止未经授权的设置
当前时间或日期
振荡器的稳定性0.3 PPM /伏
无需外部电容
频率测量和测试模式
温度范围： - 40 + 85
o
C
封装DIP8和SO8
典型工作配置
WR或读/写
RD或DS
中央处理器
地址
解码器
地址总线
数据总线
CS
RD
WR
I / O
XI
XO
V3021
描述
在V3021是一款低功耗CMOS实时时钟。数据
串行发送的4个地址位和8个数据位，通过一个
行一个标准的并行数据总线。该装置是由访问
通过提供片选（ CS）与读写控制时序
无论是RD和WR脉冲（英特尔CPU）或DS凭借先进的R / W
（摩托罗拉CPU）。数据也可以通过发送
传统的3线串行接口有CLK ，数据I / O和
频闪。在V3021没有繁忙的状态和存在的危险
时钟的更新，同时访问。电源电流典型值为800
nA的在V
DD
= 3.0 V.电池操作支持完整的
至2.0V的功能的振荡器的稳定性通常是0.3
PPM / V 。
XI
XO
CS
V
SS
CS
RD
WR
内存
图。 1
引脚分配
DIP8 / SO8
应用
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
电表
电池供电的便携设备
消费类电子产品
白色/黑色家电
付费电话
收银机
个人电脑
可编程控制器系统
数据记录仪
汽车电子
V
DD
V3021
WR
RD
I / O
图。 2
1
R
V3021
时序特性
V
SS
= 0 V和T
A
= - 40 + 85
O
C，除非另有规定编
参数
符号
t
CS
t
加
t
W
t
R
t
F
t
DF
t
DW
t
DH
t
ADW
t
WC
测试条件
分钟。
200
马克斯。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DD
2 V
片选时间
1)
RAM的存取时间
两个转变之间的时间
2)
上升时间
2)
下降时间
3)
数据有效到高阻
4)
写数据建立时间
5)
数据保持时间
提前写入时间
6)
写脉冲时间
1)
V
DD
= 5.0V ± 10%
50
50
60
200
200
40
写周期
C
负载
= 50 pF的
180
500
10
10
10
60
80
25
200
200
200
100
100
10
10
15
50
25
10
50
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表4
t
加
从RD或CS开始，无论最后激活
通常情况下，T
加
= 5 + 0.9 C
EXT
在纳秒;其中C
EXT
（外部寄生电容）是pF的
2)
CS ， RD ， DS ， WR和R / W的上升和下降时间为t指定
R
和T
F
3)
t
DF
从RD或CS开始，无论哪个先停用
4)
t
DW
结束于WR或CS ，取其先停用
5)
t
DH
从WR或CS开始，无论哪个先停用
6)
t
WC
从WR或CS ，取其激活最后结束于WR或CS开始，无论哪个先停用
时序波形
阅读时间为英特尔（ RD和WR脉冲）和摩托罗拉（ DS （或RD引脚连接至CS ）和R / W）
t
CS
CS
t
加
RD / DS
WR / R / W
t
DF
I / O
数据有效
图。 5A
t
R
t
W
t
F
写时序英特尔（ RD和WR脉冲）
t
CS
CS
RD
t
WC
WR
t
DW
I / O
数据有效
图。 5B
t
DH
t
W
4
R
V3021
写时序摩托罗拉（ DS （或RD引脚连接至CS ）和R / W）
t
CS
CS
DS
读/写
t
DW
I / O
数据有效
t
DH
图。 5C
t
W
t
ADW
通信周期
读数据周期为英特尔（ RD和WR脉冲）
CS
DS
WR
I / O
A0
A1
A2
A3
D0
D1
mP
读取8个数据位
D7
mP
写4个地址位
图。 6A
读数据周期为摩托罗拉（ DS （或RD引脚与CS ）和R / W）
CS
DS
读/写
I / O
A0
A1
A2
A3
D0
D1
mP
读取8个数据位
D7
mP
写4个地址位
图。 6B
写数据周期为英特尔（ RD和WR脉冲）
CS
RD为“1”
“ 0”
WR
I / O
A0
A1
A2
A3
D0
D1
mP
读取8个数据位
D7
mP
写4个地址位
图。 6C
5
R
EM微电子 -
MARIN SA
V3021
超低功耗1位32千赫的RTC
描述
在V3021是一款低功耗CMOS实时时钟。数据
如4个地址位和8个数据位，在串行发送
一行一个标准的并行数据总线。该装置是
通过片选（访问
CS）与读写控制
无论是通过定时提供
RD
和
WR
脉冲（英特尔CPU ）
或DS凭借先进的R /
W
（摩托罗拉CPU）。数据
同时在传统的3线串行传输
接口有CLK ，数据I / O和频闪。在V3021
没有繁忙的状态，有一个时钟的危险
更新而访问。
供电电流一般
800 nA的在V
DD
= 3.0V 。支持电池操作
完整的功能下降到2.0V 。振荡器
通常为0.3ppm / V 。
特点
电源电流典型值为800 nA的电压为3V
50 ns访问时间为50 pF负载电容
全面运作，从2.0V至5.5V
无闲状态或时钟更新而危险
访问
在同一行一个标准的串行通信
并行数据总线或超过以往的3线串行
接口
接口与Intel和Motorola兼容
秒，分钟，小时，月日，月，年，
本周日和星期数BCD格式
闰年周数修正
时间设置锁定模式，以防止未经授权的设置
当前时间或日期
振荡器的稳定性0.3 PPM /伏
无需外部电容
频率测量和测试模式
温度范围： -40 ° C至+ 85°C
根据要求扩展级温度范围-40 ° C至
+125°C
封装DIP8和SO8
应用
电表
电池供电的便携设备
消费类电子产品
白色/黑色家电
付费电话
收银机
个人电脑
可编程控制器系统
数据记录仪
汽车系统
典型工作配置
或R /
引脚分配
or
中央处理器
SO8
XI
XO
地址
解码器
V
DD
WR
V3021
CS
RD
CS
V
SS
XI
V3021
XO
I / O
地址总线
RD
WR
I / O
数据总线
图。 2
CS
RD
WR
内存
图。 1
2005 ， EM微电子，马林SA
1
www.emmicroelectronic.com
R
V3021
绝对最大额定值
参数
在V最大电压
DD
在V Minimun电压
DD
在任何的最大电压
信号引脚
在任何信号的最小电压
针
最大存储
温度
最低储存温度
静电放电
最大限度的MIL -STD- 883C
3015.7方法与参考。到V
SS
最大的焊接条件
符号
V
DDMAX
V
DDMIN
V
最大
V
民
T
STOmax
T
STOmin
V
SMAX
T
SMAX
办理程序
条件
V
SS
+ 7.0V
V
SS
– 0.3V
V
DD
+ 0.3V
V
SS
– 0.3V
+150°C
-65°C
1000V
250℃ X 10秒
表1
该器件还内置了防静电高
电压或电场;但是，防静电措施
必须注意对于任何其他的CMOS组件。除非
另外指定，否则正确的操作只能发生时
所有的端子电压被保持的电压范围内。
未使用的输入必须连接到一个定义的逻辑
电压电平。
工作条件
参数
符号
工作温度
T
A
逻辑电源电压
V
DD
电源电压的dv / dt
（电&掉电）
去耦电容
水晶特点
1)
频率
f
负载电容
C
L
串联电阻
R
S
1)
民
-40
2.0
典型值
5.0
最大单位
+125 °C
5.5
V
6
V / μs的
nF
千赫
pF
100
32.768
8.2
35
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏该设备。超越曝光
规定的工作条件下可能影响器件的可靠性
或导致故障。
7
12.5
50
k
表2
参见图。 3
电气特性（标准温度范围）
V
DD
= 5.0V ±10%, V
SS
= 0V和T
A
= -40+ 85 ℃，除非另有说明
参数
符号
测试条件
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
V
DD
= 3.0V ，地址0 = 0
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
V
DD
= 5V ，地址0 = 0
T
A
= +25°C
动态电流
I
SS
I / O到V
SS
通过1M
RD
= V
SS
,
WR
= V
DD
,
CS = 4兆赫
地址0 = 0 ，读取所有0
输入/输出
输入逻辑低电平
V
IL
输入逻辑高
V
IH
输出逻辑低电平
V
OL
I
OL
= 4毫安
输出逻辑高电平
V
OH
I
OH
= 4毫安
输入漏
I
IN
0.0 < V
IN
＆ LT ; 5.0V
在I输出三态漏/ O
I
TS
CS高，地址0 ，第0位，低
针
振荡器
启动电压
V
STA
在十一输入电容
C
IN
T
A
= +25°C
在XO输出电容
C
OUT
T
A
= +25°C
启动时间
T
STA
1.5
≤
V
DD
≤
5.5V ，T
A
= +25°C
频率稳定度
f/f
频率测量模式
在I / O引脚的电流源
I
ONF
CS高， addr.0 ，位0 ，高
脉冲的开/关@ 256赫兹
V
I / O
= 1V
民
典型值
0.8
1.3
最大
1.8
10
3
300
单位
A
A
A
A
1.0
3.5
0.4
2.4
0.1
0.1
1.8
13
9
1
0.3
10
25
1
1
V
V
V
V
A
A
V
pF
pF
s
PPM / V
A
表3
0.5
60
2005 ， EM微电子，马林SA
2
www.emmicroelectronic.com
R
V3021
电气特性（扩展级温度范围）
V
DD
= 5.0V ±10%, V
SS
= 0V和T
A
= -40+ 125 ℃，除非另有说明
参数
符号
测试条件
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
V
DD
= 3.0V ，地址0 = 0
静态总供给
I
SS
所有输出开路，所有输入在V
DD
地址0 = 0
动态电流
I
SS
I / O到V
SS
通过1M
RD
= V
SS
,
WR
= V
DD
,
CS = 4兆赫
地址0 = 0 ，读取所有0
输入/输出
输入逻辑低电平
V
IL
输入逻辑高
V
IH
输出逻辑低电平
V
OL
I
OL
= 4毫安
输出逻辑高电平
V
OH
I
OH
= 4毫安
输入漏
I
IN
0.0 < V
IN
＆ LT ; 5.0V
在I输出三态漏/ O
I
TS
CS高，地址0 ，第0位，低
针
振荡器
启动电压
V
STA
电源电压的dV / dt （加电
+85°C
≤
T
A
≤
+125°C
高达&掉电）
在十一输入电容
C
IN
T
A
= +25°C
在XO输出电容
C
OUT
T
A
= +25°C
的串联电阻
R
S
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
水晶
启动时间
T
STA
T
A
= + 125°C （注1 ）
2.0
≤
V
DD
≤
5.5V ，T
A
= +25°C
频率稳定度
f/f
频率测量模式
在I / O引脚的电流源
I
ONF
CS高， addr.0 ，位0 ，高
脉冲的开/关@ 256赫兹
V
I / O
= 1V
民
典型值
最大
4.9
8.3
300
单位
A
A
A
1.0
3.5
0.4
2.4
0.1
0.1
2.0
0.006
13
9
90
10
0.3
8
25
0.5
60
1
1
V
V
V
V
A
A
V
V / μs的
pF
pF
k
s
PPM / V
A
表3的前
6
注1
：做了分析，在高温下具有晶型微晶CX2V -02
2005 ， EM微电子，马林SA
3
www.emmicroelectronic.com
R
V3021
在V3021将运行稍微太快，以允许所述
用户调整的频率，取决于平均
工作温度。这是因为水晶制成
调整不仅可以通过降低频率与工作
XO和V之间的电容增加
SS
。打印
电路的电容也必须考虑到
考虑。在DIL 8封装的V3021 ，与运行
一个8.2 pF的晶体在室温下，将调整为
优于± 1秒/天， 6.8 pF电容。
典型的频率在I / O引脚
典型漂移的理想32'768赫兹石英
记
：剪裁电容值不能超过
15 pF的。更大的值可能会影响振荡器
功能
图。 3
石英特性
F
PPM
2
= -0.038
(T – T
O
) ± 10%
F
O
°
C
2
F/F
O
=
的变化的频率的比值
以ppm表示的标称值（也可以是
认为是在任何频率偏差
温度）
的兴趣℃的温度
周转温度（25 ± 5℃）
T
T
O
=
=
在给定的确定时钟误差（精度）的
温度，在25℃下添加了频率容差的
从上面的公式获得的值。
图。 4
2005 ， EM微电子，马林SA
4
www.emmicroelectronic.com
R
V3021
定时特性（标准温度范围）
V
SS
= 0V和T
A
= -40+ 85 ℃，除非另有说明
参数
符号测试条件
片选时间
RAM的存取时间
（注1 ）
两个转变之间的时间
上升时间
（注2 ）
下降时间
（注2 ）
数据有效到高阻
（注3）
写数据建立时间
（注4 ）
数据保持时间
（注5 ）
提前写入时间
写脉冲时间
（注6 ）
t
CS
t
加
t
W
t
R
t
F
t
DF
t
DW
t
DH
t
ADW
t
WC
写周期
C
负载
= 50pF的
500
10
10
10
60
80
25
200
200
200
100
分钟。马克斯。
V
DD
≥
2V
200
180
分钟。
典型值。
马克斯。
V
DD
= 5.0V ±10%
50
50
100
10
10
15
50
25
10
50
30
200
200
40
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表4
定时特性（标准温度范围）
V
SS
= 0V和T
A
= -40+ 125 ℃，除非另有说明
参数
符号测试条件
片选时间
RAM的存取时间
（注1 ）
两个转变之间的时间
上升时间
（注2 ）
下降时间
（注2 ）
数据有效到高阻
（注3）
写数据建立时间
（注4 ）
数据保持时间
（注5 ）
提前写入时间
写脉冲时间
（注6 ）
t
CS
t
加
t
W
t
R
t
F
t
DF
t
DW
t
DH
t
ADW
t
WC
写周期
C
负载
= 50pF的
500
10
10
10
60
80
25
200
100
100
100
分钟。马克斯。
V
DD
≥
2V
200
180
分钟。
典型值。
马克斯。
V
DD
= 5.0V ±10%
60
50
120
10
10
5
50
25
15
60
30
100
100
50
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表4前。
注1
: t
加
从开始
RD
或者CS ，取其最后激活
通常情况下，T
加
= 5 + 0.9 C
EXT
在纳秒;其中C
EXT
（外部寄生电容）是pF的
注2
： CS ，
RD
，DS
WR
和R /
W
上升和下降时间为t指定
R
和T
F
注3
: t
DF
从开始
RD
或者CS ，取其停用第一
注4
: t
DW
结束于
WR
或者CS ，取其停用第一
注5
: t
DH
从开始
WR
或者CS ，取其停用第一
注6
: t
WC
从开始
WR
或者CS ，无论激活最后结束于
WR
或者CS ，取其停用第一
2005 ， EM微电子，马林SA
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