Vitesse公司
半导体公司
初步数据表
VSC7927
特点
上升小于100ps的时间
高速运行
（最多为2.5Gb / s的NRZ数据）
差分或单端输入
单电源
ECL兼容的时钟和数据输入
SONET / SDH 2.5Gb / s的激光二极管驱动器
直接进入调制和偏置FET的
数据密度监视器
片上时钟恢复注册
片上复用的计时或不定时应用程序
阳离子
片50
输入端子：时钟和数据
概述
该VSC7927是一款单5V电源， 2.5可直接进入到激光调制Gb / s的激光二极管驱动器
和偏置FET的。激光器偏置电流和调制电流由外部元件允许的精度设置监视器 -
荷兰国际集团和电流电平的设置。提供数据密度输出，以允许用户调整激光的偏置
高不平衡数据的应用程序。时钟和数据输入各自终止于50
.
应用
SDH / SONET @ 622Mb / S， 1.244Gb / s时， 2.488Gb / s的
全速光纤通道（ 1.062Gb / s的）
VSC7927框图
MK
NMK
IOUT
NIOUT
DIN
50
**
DINTERM *
50
**
NDIN
Q
M
U
X
IBIAS
DCC
CLK
50
**
CLKTERM *
50
**
NCLK
SEL
MIP
*终止片外电容
**在模具组件
VIB
要人
I
MOD
I
BIAS
MIB
G52201-0 ，版本3.0
04/05/01
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741卡莱普莱诺卡马里奥， CA 93012
联系电话： （ 800 ） VITESSE 传真： （ 805 ） 987-5896 电子邮件： prodinfo@vitesse.com
互联网： www.vitesse.com
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SONET / SDH 2.5Gb / s的激光二极管驱动器
表1 ：信号引脚参考
信号
DIN ， NDIN
MK ， NMK
NIOUT
IOUT
VSS
GND
要人
MIP
VIB
MIB
IBIAS
CLK ， NCLK
DINTERM
CLKTERM
DCC
SEL
总销
VSC7927
描述
数据输入和数据参考，片上50Ω端接
数据密度差分输出
激光调制电流输出（互补）
激光调制电流输出（到激光阴极）
负电压轨
正电压轨
调门节点
调制源节点
偏置门节点
偏置源节点
激光偏置输出（到激光阴极）
时钟输入和参考时钟，内置50Ω端接
数据参考
时钟参考
占空比控制，给浮动
CLK /非CLK数据选择
TYPE
In
OUT
OUT
OUT
PWR
PWR
In
In
In
In
OUT
In
In
In
In
In
水平
ECL
ECL
＃引脚
2
2
1
1
2
5
1
1
1
1
1
2
1
1
1
1
24
—
—
PWR
PWR
DC
DC
DC
DC
DC
ECL
DC
DC
DC
DC
—
—
表2 ： MUX选择逻辑表
SEL
V
SS
GND
N / C
模式选择
主频在数据
非时钟数据在
非时钟数据在
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
SS
T
J
T
英镑
等级
负电源电压
最高结温
储存温度
极限
V
CC
为-6.0V
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
表4 ：推荐工作条件
符号
GND
VSS
T
Cl
T
J
参数
正电压轨
负电压轨
工作温度
(1)
结温
民
—
-5.5
-40
典型值
0
-5.2
最大
—
-4.9
85
(2)
125
单位
V
V
°C
°C
条件
—
—
—
功耗1.3W =
注：规格（ 1 ）下限是环境温度，上限为外壳温度。 （ 2 ）看的部分“计算
最大外壳温度“的详细最高温度计算。
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表5 ：高速输入和输出ECL
符号
V
IN
V
CM
V
OH
V
OL
V
IN
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参数
单端输入电压摆幅
差分输入共模范围
ECL输出高电压
ECL输出低电压
片上端接
民
300
-2.3
-1200
典型值
—
—
—
—
—
最大
1500
-1.3
单位
MVP -P
V
mV
mV
条件
V
CM
= -2.0V
V
SS
= -5.2V
50Ω至-2.0V
50Ω至-2.0V
—
-1600
65
—
35
表6 ：功耗
符号
I
VSS
P
D
参数
电源电流（ VSS ）
总功耗
民
—
—
典型值
—
—
最大
120
700
单位
mA
mW
条件
V
SS
= -5.5V ，我
MOD
= I
BIAS
=
0毫安， MK / NMK开路
V
SS
= -5.5V ，我
MOD
= I
BIAS
=
0毫安，R
负载
= 25Ω到GND ，
MK / NMK 50Ω端接至-2V
表7 ：激光驱动器DC电气规格
符号
I
BIAS
I
MOD
V
IB
V
IP
V
OCM
参数
可编程激光器偏置电流
可编程调制电流
激光偏置控制电压
激光调制控制电压
输出电压符合
民
2
2
—
—
典型值
—
—
—
—
GND -
3V
最大
100
100
V
SS
+
2.1
V
SS
+
2.1
—
单位
mA
mA
V
V
V
—
条件
—
I
BIAS
= 50毫安
I
MOD
= 60毫安
V
SS
= -5.2V
—
表8 ：激光驱动器AC电气规格
符号
t
R
, t
F
t
SU
t
H
参数
输出上升和下降时间
数据时钟的建立时间
保持时间
民
—
—
20
典型值
—
50
50
最大
100
单位
ps
ps
ps
条件
25Ω负载， 20％-80％ ，
20毫安<我
MOD
< 60毫安，
I
BIAS
= 60毫安
90
—
—
—
表9 ：封装热阻规格
符号
θ
JCC
参数
热阻结到外壳
民
—
典型值
25
最大
—
单位
° C / W
条件
陶瓷封装
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最大外壳温度的计算
该VSC7927被设计成与125 ℃的最高结温操作。从崛起
情况下，以连接点是通过该装置的功率消耗来确定。功耗由下式确定
在V
SS
电流加上工作我
MOD
我
BIAS
电流。
芯片的功率由下式确定：
P
D
= (-V
SS
* I
SS
) + ((V
IOUT
– V
SS
) * I
MOD
) + ((V
IBIAS
– V
SS
) * I
BIAS
)
对于与实施例：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
P
D
P
D
=
=
=
=
=
=
=
-5.2V
40mA
20mA
-2.0V
-2.0V
（ -5.2 * 150毫安） + （ （ 5.2 - 2.0 ） * 40毫安） + （ （ 5.2
-
- 2.0 ） * 20mA）的
780MW + 128mW + 64MW = 972mW
热兴起，从结点到外壳的
θ
JC
* P
D
。对于陶瓷封装，
θ
JCP
= 25 ° C / W 。因此，热敏
MAL崛起是：
25 ° C / W * 972W = 24.3 ℃，
最高外壳温度为：
125°C – 24.3°C = 100.7°C
该装置的绝对最大功耗为：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
P
D
P
D
=
=
=
=
=
=
=
-5.5V
60mA
50mA
0V
0V
（ 5.5 * 150毫安） + （ 5.5 * 60毫安） + （ 5.5毫安* 50毫安）
1.43W
这将净赚最大的结到外壳的热兴起： 1.43W * 25 ° C / W = 35.8 ℃，
这种情况将允许最大外壳温度： 35.8 °C - 58 ° C = 89.2 ℃，
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图1 ：片内数据和时钟输入配置
GND
DIN
（CLK）
DINTERM
（ CLKTERM ）
NDIN
（ NCLK ）
GND
数据缓冲区
（时钟缓冲器）
X
*
50
*
*
4.0K
6.4K
X
*
50
X
*片
组件
VSS
VSS
DINTERM为-2.0V的ECL差分输入
图2 ：单端工作
7927
数据
来源
0.1f
GND
0.1f
DIN
DINTERM
NDIN
0.1f
0.1f
GND
时钟
来源
0.1f
GND
CLK
CLKTERM
NCLK
0.1f
GND
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