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Vitesse公司
半导体公司
先期产品信息
VSC7128
特点
支持ANSI X3T11 1.0625Gb / s的FC- AL磁盘
附加的弹性
双中继器( CRU的)提高信号质量
六端口旁路电路(的PBC )的弹性
双数字信号检测单元(SDU )
六角端口旁路电路/双中继器
为1.0625 Gb / s的FC- AL磁盘阵列
全差分的最低抖动
可选REFCLK : 53.125 / 106.25MHz
TTL旁路选择
3.3V供电, 1.3W
64引脚, 14毫米耐热增强型PQFP
概述
该VSC7128包含六个端口旁路电路(的PBC ) ,双嵌入式时钟恢复单元中继器
( CRU )和双信号检测单元( SDU ) 。这些功能集成到一个单一的部件,以最小化电路
尺寸,零件数量,低成本,高频率的路由和抖动积累。总之,它们允许优化设计
的FC-AL的JBOD系统,提供弹性和磁盘驱动器的热插入/移除。在的PBC CON连接gure
在FC- AL环路包含或排除的每个驱动器。中继器重新定时的输入信号,从而衰减
阿婷抖动使下游设备看高振幅,低抖动的信号。将SDU确定是否
CRU的输出是有效的光纤信道信号。磁盘驱动器直接连接到LSO / LSI / SEL引脚
而输入/输出引脚可以连接到任何的FC-AL设备。
VSC7128框图
DISK
DRIVE
#1
DISK
DRIVE
#2
DISK
DRIVE
#3
DISK
DRIVE
#4
DISK
DRIVE
#5
DISK
DRIVE
#6
LSO1+
LSO1-
LSI1+
LSI1-
SEL1
LSO2+
LSO2-
LSI2+
LSI2-
SEL2
LSO3+
LSO3-
LSI3+
LSI3-
SEL3
LSO4+
LSO4-
LSI4+
LSI4-
SEL4
LSO5+
LSO5-
LSI5+
LSI5-
SEL5
SDU1
FAIL1-
上一页设备
IN1+
IN1-
CRU1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
OUT2+
OUT2-
PBC1
OUT1+
OUT1-
PBC2
PBC3
PBC4
PBC5
MUX7
0
1
PBC6
IN2+
IN2-
CRU2
SDU2
FAILSEL
RFSEL
REFCLK
(五十三分之一百〇六兆赫)
CMU
FAIL2-
SEL8
SEL7
G52177-0 ,修订版2.3
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741卡莱普莱诺,卡马里奥,CA 93012 805 / 388-3700 传真: 805 / 987-5896
下一个设备
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MUX8
LSO6+
LSO6-
LSI6+
LSI6-
SEL6
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六角端口旁路电路/双中继器
为1.0625 Gb / s的FC- AL磁盘阵列
先期产品信息
VSC7128
功能说明
一个端口旁路电路包含一个差分2 : 1多路复用器在1.0625 Gb / s的运行。输入到人民银行是
总是传递给中国人民银行的LSOx输出,让磁盘驱动器的显示器循环活动。多路选择要么
盘驱动器的输入, LSIx ,或从先前的PBC的输入作为由SELx输入是去甲确定
马利直接连接到磁盘驱动器EN_BYP输出。当SELx为高电平时,多路转换器选择该磁盘
变频器输入, LSIx 。当SELx为低时,多路复用器绕过磁盘驱动器输入,并传递预先的输出
vious中国人民银行中国人民银行的输出。两个额外的多路复用器帮助路线串行信号。 MUX7通过两种输出
PBC6 (旁路模式)或CRU2 (正常模式) ,以MUX8 / OUT1取决于SEL7是否是输出
低或高。 MUX8传递CRU1的任一输出或MUX7来PBC1根据输出
是否SEL8是高还是低。
一个TTL参考时钟REFCLK ,所使用的内部时钟乘法器单元( CMU )产生波特率
时钟速度为1.0625 Gb /秒。如果RFSEL为高电平时, CMU乘以REFCLK (名义上106.25MHz )由
10.因素如果RFSEL为低电平时, CMU乘以REFCLK (名义上53.125MHz )由20倍
用户必须确保RFSEL是为了匹配REFCLK的频率适当地设置。
提供了两个完全集成的时钟恢复单元( CRU的),以提高信号质量,并确定
是否将输入到中继器是一个有效的光纤信道信号。每个转发器由一个时钟恢复
单元(CRU )和数字信号检测单元( SDU) 。 CRU的锁定到输入的信号,产生一
恢复的时钟(在1.0625 GHz)的,并使用该时钟重新同步输入信号。恢复的数据
提高了信号质量,由于放大器阳离子和抖动衰减。恢复的数据被重新定时到恢
ERED时钟,不要REFCLK 。 CRU的设计消除了对任何锁定到参考信号,因为
在不存在数据时, CRU锁定到REFCLK自动从而省去了任何克斯特
最终控制电路。
信号检测单元(SDU )通过检测运行测试小腿的有效的光纤通道数据输出
长度误差(大于5个连续的1或0 ),并且不存在一个7位模式中的K28.5煤焦发现
ACTER要么差距( “ 0000101 ”或“ 1111010 ” )的。这K28.5模式应该发生的多次
帧。光纤信道帧的最大长度是2148个字节(或21480编码的比特)和SDU
把时间分成 31微秒的时间间隔( 2 ^ 15位倍) 。在每个时间间隔,所有的游程长度的端部或
该时间间隔内发生K28.5错误在内部存储的状态机驱动的使用
SDU的输出, FAILx- 。
该FAILSEL输入同时控制SDU,并且FAILx-输出提供每个SDU的状态。 FAILSEL
选择由SDU生成两种不同的模式;单帧( LOW )或多个帧( HIGH )错误
模式。在单张拍摄模式的错误,发生的时间间隔内,任何错误情况导致FAILx-是
该时间间隔后立即LOW断言。 FAILx-遗体后断言,直到紧接无差错
间隔发生。在多帧错误模式, FAILx-是一个包含四个连续的时间间隔后置
错误和保持有效,直到四连冠无差错发生的时间间隔。在多帧的意图
错误模式是允许FAIL1-或FAIL2-被直接连接到多路复用器的控制, SEL8或SEL7 ,为了
到CON组fi gure的部分隔离的IN1或IN2每当有效数据不存在。单帧错误模式允许
用户可以开发自己的算法监测数据和控制MUX8或MUX7 。
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VSC7128
AC特性
六角端口旁路电路/双中继器
为1.0625 Gb / s的FC- AL磁盘阵列
图1 : AC时序图
INx的+/- ,
LSIx +/-
LSOx +/- ,
的OUTx +/-
T
p
T
p
T
s
80%
20%
T
s
REFCLK
T
t
T
h
T
t
T
l
T
V
IH(分钟)
V
白细胞介素(最大)
表1 :交流特性
(在推荐的工作条件) 。
参数
描述
差分输入/输出
T
p
T
s
从IN, LSI延迟到LSO ,
OUT
差分输出上升/下降时间
参考时钟要求
T
t
F
REFCLK输入上升/下降时间
REFCLK频率
105
52.5
9.2
18.5
-200
35
2.5
2.0
108
54
9.53
19.0
+200
65
ns
兆赫
V之间
白细胞介素(最大)
和V
IH(分钟)
106.25 MHz的标称如果RFSEL是
53.125 MHz的标称如果RFSEL是
RFSEL = HIGH
RFSEL = LOW
之间的最大频偏
10倍或20倍的REFCLK和数据
率的串行输入CRU的。
测量1.5V
从V
IL ( MIN )
到V
IH(分钟)
或V
IH( MAX)的
到V
白细胞介素(最大)
0.25
7.0
300
ns
ps
75欧姆的负载
在20%和80%的
以抽样方式进行测试
分钟。
马克斯。
单位
条件
T
F
o
DC
T
h
, T
l
REFCLK期
频率偏移
REFCLK占空比
REFCLK输入高电平/低电平的时间
ns
PPM
%
NS 。
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六角端口旁路电路/双中继器
为1.0625 Gb / s的FC- AL磁盘阵列
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DC特性
(在推荐的工作条件) 。
参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
V
DD
P
D
I
DD
V
IN( DF )
V
OUT75
V
OUT50
描述
输入高电压( TTL )
输入低电压( TTL )
输入大电流( TTL )
输入低电流( TTL )
输出高电压( TTL )
输出低电压( TTL )
电源电压
功耗
电源电流
PECL输入摆幅
PECL输出摆幅: LSO , OUT
PECL输出摆幅: LSO , OUT
2.0
0
2.4
3.14
300
1200
1200
典型值
50
1.3
390
最大
5.5
0.8
500
-500
0.5
3.47
2.1
620
2600
2200
2200
单位
V
V
A
A
V
V
V
W
mA
MVP -P
MVP -P
MVP -P
条件
V
IN
= 2.4 V
V
IN
= 0.5 V
I
OH
= -1.0mA
I
OL
= + 1.0毫安
V
DD
= 3.3V + 5%
输出打开,V
DD
= V
DD
最大
输出打开,V
DD
= V
DD
最大
交流耦合的。
内部偏置在V
DD
/2
75Ω到V
DD
– 2.0 V
50Ω到V
DD
– 2.0 V
绝对最大额定值
(1)
电源电压(V
DD
)..............................................................................................................-0.5V为+ 4V
PECL输入直流电压......................................................................................................... -0.5V到V
DD
+0.5V
TTL DC输入Voltage.......................................................................................................................-0.5V至5.5V
直流电压适用于TTL输出............................................ ........................................ -0.5V到V
DD
+ 0.5V
TTL输出电流................................................................................................................................. +/- 50毫安
PECL输出电流............................................................................................................................... +/- 50毫安
外壳温度下偏置........................................................................................................ -55
°
+125
o
C
存储Temperature...................................................................................................................... -65
°
到+ 150
o
C
最大输入ESD(人体模型) .......................................... .................................................. .. 1500 V
推荐工作条件
电源Voltage................................................................................................................3.3V ±5%以内
工作环境温度范围.............................................. ................. 0
°
C环境为+90
°
C外壳
注意事项:
1 )注意: “绝对最大额定值”,强调可应用于设备一次,而不会造成per-
永久性的损坏。在功能上面列出的值是不是暗示。接触这些值长时间可能
影响器件的可靠性。
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输入结构
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两个输入结构存在于这部分; TTL和高速,差分输入。该TTL输入接口会
面对任何TTL或3.3V或5V CMOS输出。高速,差分输入的本意是交流
按照FC -PH特定网络耦合的阳离子。被AC耦合,高速,差分输入缓冲器是有偏见
在V
DD
/ 2 。请参考图2为高速,差分输入结构。
图2 :输入结构
V
DD
+3.3 V
输入
当前
极限
R
R
GND
REFCLK和TTL输入
A
V
DD
+3.3 V
输入
输入
所有电阻
3.3K
GND
高速差分输入
( RX + / RX- )
B
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电话:13910052844(微信同步)
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