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初步数据表
VSC7924
特点
上升时间小于100ps的
高速运行
（高达2.5Gb / s的NRZ数据）
单端工作
单电源供电
直接进入调制和偏置FET的
数据密度监视器
24引脚陶瓷封装
SONET / SDH 2.5Gb / s的激光二极管驱动器
应用
的SONET / SDH为622Mb / s时， 1.244Gb / s和2.488Gb / s的
全速光纤通道（ 1.062Gb / s的）
概述
该VSC7924是一款单5V电源，可直接进入到激光调制2.5Gb / s的激光二极管驱动器
和偏置FET的。激光器偏置电流和调制电流由外部元件允许的精度设置监视器 -
荷兰国际集团和电流电平的设置。数据输入接受ECL电平。提供数据密度输出，可
用户调整在高不平衡数据应用的激光器偏置。
VSC7924框图
IOUT
NIOUT
MK
NMK
DIN
VREF
IMOD
要人
* TERM
VIB
MIP
MIB
IBIAS
*终止片外电容
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741卡莱普莱诺卡马里奥， CA 93012
联系电话： （ 800 ） VITESSE 传真： （ 805 ） 987-5896 电子邮件： prodinfo@vitesse.com
互联网： www.vitesse.com
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SONET / SDH 2.5Gb / s的激光二极管驱动器
表1 ：信号引脚参考
信号
DIN
MK ， NMK
NIOUT
IOUT
VSS
GND
要人
MIP
VIB
MIB
VREF
TERM
总销
VSC7924
描述
数据输入
数据密度差分输出
激光调制电流输出（互补）
激光调制电流输出（到激光阴极） ）
负电压轨
正电压轨
调门节点
调制源节点
偏置门节点
偏置源节点
数据输入参考
数据输入参考
TYPE
In
OUT
OUT
OUT
PWR
PWR
In
In
In
In
In
In
水平
ECL
ECL
＃引脚
1
2
1
1
PWR
PWR
DC
DC
DC
DC
DC
DC
5
8
1
1
1
1
1
1
24
表2 ：绝对最大额定值
符号
V
SS
T
J
T
英镑
等级
负电源电压
最高结温
储存温度
极限
V
CC
为-6.0V
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
表3 ： ECL的输入和输出
符号
V
IN
V
OH
V
OL
参数
输入电压摆幅
ECL输出高电压
ECL输出低电压
民
300
-1200
-2000
典型值
最大
800
-700
-1600
单位
mV
mV
mV
条件
峰 - 峰值，V
REF
= -1.3V
50Ω至-2.0V
50Ω至-2.0V
表4 ：推荐工作条件
符号
GND
VSS
T
Cl
T
J
参数
正电压轨
负电压轨
工作温度
(1)
结温
民
-5.5
-40
典型值
0
-5.2
最大
-4.9
85
(2)
125
单位
V
V
°C
°C
条件
功耗= 1.25W
注：对特定网络阳离子（ 1 ）下限是环境温度，上限为外壳温度。
（ 2 ）请参见详细最高温度计算“的最大外壳温度的计算” 。
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表5 ：功耗
符号
I
VSS
P
D
P
DMAX
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参数
电源电流（V
SS
)
总功耗
最大功率耗散
民
典型值
最大
220
1120
1815
单位
mA
mW
mW
条件
V
SS
= -5.5V ，我
MOD
= I
BIAS
= 0毫安
V
SS
= -5.5V ，我
MOD
= I
BIAS
= 0毫安，
R
负载
= 25Ω到GND
V
SS
= -5.5V ，我
MOD
= 60毫安，
I
BIAS
= 50mA时我
OUT
= 0V
表6 ：激光驱动器DC电气规格
符号
I
BIAS
I
MOD
V
IB
V
IP
V
OCM
参数
可编程激光器偏置电流
可编程调制电流
激光偏置控制电压
激光调制控制电压
输出电压符合
民
2
2
典型值
最大
50
60
V
SS
+
2.1
V
SS
+
2.1
单位
mA
mA
V
V
V
条件
I
BIAS
= 50毫安
I
MOD
= 60毫安
V
SS
= -5.2V
GND
-2.2V
表7 ：激光驱动器AC电气规格
符号
t
R
, t
F
参数
输出上升和下降时间
民
典型值
最大
100
单位
ps
条件
25Ω负载， 20％-80％ ，
15毫安<我
MOD
< 60毫安，
I
BIAS
= 20mA下
表8 ：封装热阻规格
符号
θ
JCC
参数
热阻结到外壳
民
典型值
25
最大
单位
° C / W
条件
陶瓷封装
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最大外壳温度的计算
该VSC7924被设计成与125 ℃的最高结温操作。从崛起
情况下，以连接点是通过该装置的功率消耗来确定。功耗由下式确定
在V
SS
电流加上工作我
MOD
我
BIAS
电流。
芯片的功率由下式确定：
P
D
=
(-V
SS
*
I
SS
) + ((V
IOUT
– V
SS
) *
I
MOD
) + ((V
IBIAS
– V
SS
) *
I
BIAS
)
对于与实施例：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
=
=
=
=
=
-5.2V
40mA
20mA
-2.0V
-2.0V
(-5.2 *
220mA)
+ ((5.2
- 2.0)
*
40mA)
+ ((5.2
-
- 2.0)
*
20mA)
1144mW + 128mW + 64MW = 1.336W
P
D
=
P
D
=
结点的热引起的情况是
θ
JC
*
P
D
。对于陶瓷封装，
θ
JC
= 25 ° C / W 。因此，热敏
MAL崛起是：
25 ° C / W * 1.336W = 33.4 ℃，
最高外壳温度为：
125°C – 33.4°C = 91.6°C
该装置的绝对最大功耗为：
V
SS
I
MOD
I
BIAS
V
IBIAS
V
IOUT
=
=
=
=
=
-5.5V
60mA
50mA
0V
0V
(5.5 *
220mA)
+ (5.5 *
60mA)
+ （ 5.5毫安*
50mA)
P
D
=
1.815W
P
D
=
这将净赚最大的结到外壳的热兴起： 1.815W * 25 ° C / W = 45.4 ℃，
这种情况将允许最大外壳温度： 125°C - 45.4 ° C = 79.6 ℃，
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输入终端方案
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图1 ：输入结构
OV （ GND ）
1.4k
1400
1.4k
1400
DIN
X
VREF
X
TERM
X
12
p
F
3
4.3k
4300
4.3k
4300
+
-
额定VREF = -1.3V
1400年， 4300欧姆的电阻
上模，标称值
标称V
REF
= 1.3V
1.4kΩ ，对模具，标称值4.3kΩ电阻
GND -5.2V （ VSS ）
图2 ：单端交流耦合
GND
0.1F
来源
50
-2V
GND
DIN
X
TERM或VREF
+
X
0.1F
VSS
-
图3 ：单端交流耦合与失调调节
GND
0.1f
来源
50
DIN
X
VREF
+
-
X
GND
3 VSS
2000
2k
X
TERM
0.1f
GND
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4.3k
4300
VSS
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