茂矽
V53C8258H
高性能
256K ×8 EDO页模式
CMOS动态RAM
V53C8258H
初步
高性能
马克斯。
RAS
访问时间， （T
RAC
)
马克斯。列地址访问时间（T
CAA
)
分钟。扩展数据输出页模式周期时间（T
PC
)
分钟。读/写周期时间， （T
RC
)
35
35纳秒
18纳秒
14纳秒
70纳秒
40
40纳秒
20纳秒
15纳秒
75纳秒
45
45纳秒
22纳秒
17纳秒
80纳秒
50
50纳秒
24纳秒
19纳秒
90纳秒
特点
s
256K ×8位的组织
s
EDO页面模式的持续数据传输率
71兆赫
s
RAS
访问时间：35， 40 ，45， 50纳秒
s
低功耗
s
读 - 修改 - 写，
RAS-只
刷新，
CAS先于RAS
刷新功能
s
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
s
采用24引脚300密耳的塑料DIP ，
26/24引脚300密耳SOJ引脚和28引脚300密耳
TSOP -I封装
s
单5V ± 10 ％电源
s
TTL接口
描述
该V53C8258H是高速262144 ×8位
CMOS动态随机存取存储器。
该V53C8258H提供的特征的组合：
页面扩展数据输出高模式
数据带宽和CMOS的低待机电流。
所有的输入和输出为TTL兼容。输入
输出电容显著降低到
使系统性能提高。页面模式
与扩展数据输出操作允许
多达512个的（x8）比特的行中的随机接入
与周期时间快14纳秒。由于静态
电路中，
CAS
时钟是不是在临界定时
路径。流过的列地址锁存器
允许地址流水线，同时放松许多关键
系统定时要求。该V53C8258H是
非常适合于图形，数字信号处理
和高性能计算系统。
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70
°C
包装外形
P
K
T
35
访问时间（纳秒）
40
45
50
动力
标准。
温度
标志
空白
1
V53C8258H 1.4修订版1997年2月
茂矽
V
5
3
C
8
2
5
8
H
V53C8258H
家庭
设备
P（塑料DIP ）
K（ SOJ ）
T（ TSOP -I ）
PKG
描述
塑料DIP
SOJ
TSOP -I
PKG 。
P
K
T
引脚数
24
26/24
28
速度
( t
RAC
)
温度。
PWR 。
空（ 0 ° C至70 ° C）
BLANK （ NORMAL）
35ns
40ns
45ns
50ns
8258H-01
26/24引脚SOJ
引脚配置
顶视图
V
SS
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
WE
RAS
A
0
A
1
A
2
A
3
V
CC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
16
16
15
14
V
SS
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
CAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
24引脚塑料DIP
引脚配置
顶视图
V
SS
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
WE
RAS
A
0
A
1
A
2
A
3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
SS
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
CAS
OE
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
300 MIL
8258H-02
28引脚TSOP -I
引脚配置
顶视图
CAS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
VSS
VSS
NC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
NC
WE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
8258H-04
引脚名称
A
0
–A
8
RAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
NC
VCC
NC
A3
A2
A1
A0
RAS
地址输入
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入，输出
+ 5V电源
0V供应
无连接
CAS
WE
OE
I / O
1
-I / O
8
V
CC
V
SS
NC
绝对最大额定值*
环境温度
在偏置............................. -10 ° C至+ 80°C
存储温度（塑料） ... -55 ° C至+ 125°C
电压相对于V
SS ....................
-1.0 V至7.0 V
数据输出电流.................................... 50毫安
功耗........................................为1.0W
*注：以上操作绝对最大额定值可以
器件的可靠性产生不利影响。
电容*
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
参数
地址输入
RAS ， CAS ， OE ， WE
数据输入/输出
典型值。马克斯。
3
4
5
4
5
7
单位
pF
pF
pF
*注：电容进行采样，而不是100 ％测试
V53C8258H 1.4修订版1997年2月
2
300 MIL
8258H-03
茂矽
AC特性
T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
= 5 V
±10%,
V
SS
= 0V ，除非另有说明
AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V
JEDEC
符号
t
RL1RH1
t
RL2RL2
t
RH2RL2
t
RL1CH1
t
CL1CH1
t
RL1CL1
t
WH2CL2
t
AVRL2
t
RL1AX
t
AVCL2
t
CL1AX
35
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
参数
RAS
脉冲宽度
读或写周期时间
RAS
预充电时间
CAS
保持时间
CAS
脉冲宽度
RAS
to
CAS
延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS
保持时间（读周期）
CAS
to
RAS
预充电时间
读命令保持时间
参考
CAS
读命令保持时间
参考
RAS
RAS
保持时间
参考
OE
访问时间从
OE
访问时间从
CAS
（ EDO ）
访问时间从
RAS
从列存取时间
地址
21
22
23
t
CL1QX
t
CH2QZ
t
RL1AX
t
LZ
t
HZ
t
AR
CAS
以低Z输出
输出缓冲关断延迟时间
列地址保持时间
从
RAS
24
t
RL1AV
t
拉德
RAS
到列地址
延迟时间
RAS
or
CAS
保持时间
在写周期
写命令
CAS
交货时间
11
17
12
20
13
23
14
26
0
0
28
6
0
0
30
6
0
0
35
7
0
0
40
8
40
45
50
V53C8258H
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
35
70
25
35
7
16
0
0
6
0
4
12
5
0
23
75K
40
75
25
40
8
17
0
0
7
0
5
12
5
0
28
75K
45
80
25
45
9
18
0
0
8
0
6
13
5
0
32
75K
50
90
30
50
9
19
0
0
9
0
7
14
5
0
36
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
4
t
CL1RH1(R)
t
RSH （R）的
t
CH2RL2
t
CH2WX
t
CRP
t
RCH
5
15
t
RH2WX
t
RRH
0
0
0
0
ns
5
16
t
OEL1RH2
t
ROH
8
8
9
10
ns
17
18
19
20
t
GL1QV
t
CL1QV
t
RL1QV
t
AVQV
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
12
12
35
18
12
12
40
20
13
13
45
22
14
14
50
24
ns
ns
ns
ns
6, 7
6, 8, 9
6, 7, 10
ns
ns
ns
16
16
ns
11
25
t
CL1RH1(W)
t
RSH （W）的
12
12
13
14
ns
26
t
WL1CH1
t
CWL
12
12
13
14
ns
V53C8258H 1.4修订版1997年2月
5
QQ：2880707522 复制
